Name: 金属/LaAlO 的生长和静电/化学性质3/SrTiO3异 (视频) | JoVE Journal
Uploaded: 2018-02-08T14:00:00.000+00:00
Duration: 11 min 54 s
Description: 了解利用脉冲激光沉积和磁控溅射制备金属/LaAlO₃/SrTiO₃异质结构的方法。该技术可精确控制薄膜生长，用于研究准二维电子气的静电与化学特性，为先进电子材料开发提供重要基础。

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本研究获得了欧洲研究理事会整合基金 #615759 &#34;MINT&#34;、法兰西岛大区 DIM &#34;Oxymore&#34;（项目 &#34;NEIMO&#34;）以及法国国家科研署项目 &#34;NOMILOPS&#34; 的资助。H.N. 的部分研究工作由英国工程与自然科学研究理事会—日本学术振兴会核心对核心项目、日本学术振兴会科学研究费补助金（B）（#15H03548）支持。A.S. 的研究由德国研究基金会（HO 53461-1；授予 A.S. 的博士后奖学金）资助。D.C.V. 感谢法国高等教育与研究部及法国国家科学研究中心对其博士学位论文研究的经费支持。J.S. 感谢巴黎-萨克雷大学（达朗贝尔项目）及法国国家科学研究中心对其在法国国家科学研究中心/泰雷兹研究所访学期间的经费支持。

注意：本方案中描述的全部5个步骤均可随时暂停并重新启动，唯一条件是从步骤3.4至步骤5期间，样品必须保持在高真空状态下。
1. STO(001) 衬底终止面：
<ol>
	<li>将超声波清洗器（配备40 kHz换能器）注入水并加热至60 °C。取一个硼硅酸盐玻璃烧杯，加入丙酮。无论烧杯大小，均需至少填充其最大体积的20%，以确保基底完全浸没。
	<ol>
		<li>将一个开箱即用的、混合终止的单面抛光（001）取向STO单晶基底（55 mm2&#160;在硼硅酸盐玻璃烧杯内，横向尺寸为若干毫米，厚度为0.5 mm，偏角在0.01°至0.02°之间。</li>
		<li>将基底在丙酮中进行超声处理3分钟。使用操作压力约为5 bar的氮气吹干枪干燥基底。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>重复步骤1.1的操作，但依次使用异丙醇和去离子水。</li>
	<li>将洁净的基底放入由聚偏二氟乙烯（PVDF）制成的样品托中 &#34;浸渍器&#34; 形状（图1a）。用另一个硼硅酸盐玻璃烧杯（图1b用去离子水冲洗。 
	注意： 烧杯应足够大，以便样品架能够放入其中。</li>
	<li>将底物放入样品 holder 中。</li>
	<li>佩戴适当的防护装备，将烧杯（图1b），通常由聚四氟乙烯（PTFE）制成，用缓冲氢氟酸（HF）溶液（HF:NH₄F）将其体积缩小至最大体积的约20%。4F = 1:7）。使用与步骤 1.3 中相同大小的烧杯。</li>
	<li>将样品台完全浸入氢氟酸中，精确持续30秒，随后立即转移至去离子流动水中，以终止任何后续化学反应。轻轻晃动。</li>
	<li>2分钟后，将样品台从去离子水中取出。取出基底材料，并用氮气吹干。 
	注意： 更多细节可在Kawasaki的配方中找到11. 
	注意： 所使用的HF溶液具有强腐蚀性和剧毒性。操作和处理使用过的HF溶液时，务必在合适的实验环境中进行。接触身体部位后，中毒症状可能在暴露后长达一天内才开始显现，且最初数小时内可能不会引起任何疼痛。也可采用基于HCl-HNO₃的替代终止工艺。3 酸性溶液12 或无酸终止配方13.</li>
	<li>将底物放入管式炉中（图1c在20 °C下，将炉内氧分压调节至约1 atm。以20 °C/min的升温速率将温度升至1000 °C，在1000 °C下退火3小时。退火结束后，使样品自然冷却至20 °C，取出基底，关闭氧气源。</li>
	<li>重复步骤1.1，以去除退火过程中产生的后续表面污染。</li>
</ol>
2. 单晶LAO靶材的制备：
<ol>
	<li>使用砂纸和异丙醇溶液作为润滑剂，轻轻机械抛光单晶LAO靶材（直径1英寸）。随后用氮气吹干。</li>
	<li>将目标样品安装到载物盘上。 
	注意： 确保转盘能够实现目标旋转。</li>
	<li>将样品架插入负载锁室（图2）。将样品置于真空环境中脱气，同时持续抽气（直至腔室压力达到10⁻⁶ mbar量级-8 毫巴范围）。将样品架转移至脉冲激光沉积腔室（图3a 和 3b）。等待直至本底压力达到 10-9 毫巴范围。 
	注意： 在没有负载锁室的情况下 在真空中 转移系统中，典型的等待时间和本底压力可能会受到严重影响。</li>
	<li>使用准分子激光能量计检测激光能量。操作时，在激光源后立即使用一个矩形狭缝（6 mm × 16 mm）和一个外部衰减器，以调节光束的形状和能量图4a 和 4b将能量计置于激光束的光路中，位于第二块会聚透镜与石英窗口之间。随后以任意频率发射激光，并使用能量计读取能量值。</li>
	<li>将能量设置为与生长过程中（步骤 3.12）所用能量相同或略高。 
	注意： 激光能量的绝对值可能因实验装置的几何构型不同而有所变化。然而，对于LAO靶材的消融，应使用约&#160;1 J/cm2 （注量 = 能量/光斑面积）。同时，使用波长 λ=248 nm 的脉冲 KrF 准分子激光器，其典型脉冲持续时间为 25 ns，并在至少 21 kV 的电压下运行（以提高脉冲间重复性）。</li>
	<li>将LAO靶材安装在转盘平台上，以约10 rpm的速度旋转。
	<ol>
		<li>根据光斑大小和激光重复频率调整靶材旋转速度，以避免连续两次激光脉冲重叠，从而防止靶材局部过热或熔化，进而导致成分偏离化学计量比。图示说明见于 图4c.</li>
	</ol>
	</li>
	<li>向腔室中通入氧气，直至氧分压达到2x10-4 mbar 达成后，移除能量计。以 3 或 4 Hz 对 LAO 靶材进行预烧蚀，共 20000 次脉冲。 
	注意： 激光器应设置成使光束与靶材之间的夹角为45°（图4d发现对LAO单靶材进行相对较长时间的烧蚀在LAO/STO样品间的可重复性中起决定性作用。</li>
</ol>
3. 脉冲激光沉积（PLD）生长：
<ol>
	<li>对先前终止的STO衬底表面进行原子力显微镜（AFM）扫描，以验证其终止状态、形貌和清洁度图5).</li>
	<li>使用银浆将基底粘接到样品台上，使末端朝上的表面朝上。尽管基底的取向无关紧要，但需确保其位于样品台的中心位置（图6a).</li>
	<li>加热至约 100 °C 持续 10 分钟，使溶剂蒸发，浆料固化（以获得最佳热导性能）。让样品台冷却。</li>
	<li>将样品台插入负荷锁中。利用簇团系统内的机械臂，将样品台转移至XPS腔室，以分析氧、碳和钛的峰位（更多细节参见步骤5）。</li>
	<li>将样品支架转移至脉冲激光沉积（PLD）腔室中，使衬底朝下对准LAO靶材（图6b).</li>
	<li>向腔室内通入氧气，使氧分压达到2x10-4 毫巴。以25 °C/min的速率将样品台温度升至730 °C。</li>
	<li>使用反射式高能电子衍射（RHEED），将电子束以掠入射角（1°至3°之间）对准衬底表面，使衍射斑点出现在荧光屏上。利用CCD相机和图像分析软件实时监测每个衍射斑点的强度。电子源电压设为30 kV，电流设为40 µA。</li>
	<li>将样品架放置在距靶标 63 mm 的位置。 
	注意： 靶材与基底之间的距离可能需要根据所用PLD装置的几何结构进行一定程度的优化。</li>
	<li>发射激光以校准能量，使其达到约 1 J/cm2 （以与步骤2.4相同的方式进行）。再次使用矩形狭缝（6 mm × 16 mm），并在激光出口后立即使用外部衰减器来调节光束的形状和能量（图4a 和 4b).</li>
	<li>将激光频率设置为 1 Hz。停止发射激光，并移除能量计。</li>
	<li>启动LAO靶材的旋转（与步骤2.6相同）。开始采集RHEED振荡信号，等待其稳定。</li>
	<li>开始发射激光。观察等离子体羽流（图6c）以及反射高能电子衍射振荡（RHEED振荡）（图6d）。根据所需的厚度，将激光停止在其中一个振荡的峰值处。 
	注意： 请记住，每次振荡代表生长一个晶胞（uc）。在本实验中，分别生长1个和2个晶胞用于输运和光谱实验。</li>
	<li>生长结束后，关闭RHEED枪，进入后退火步骤。 
	注意： 退火后处理步骤在生长结束后立即进行。
	<ol>
		<li>开始退火后处理时，将腔室中的氧分压从2x10⁻⁶ 托升高至-4 mbar（生长压力）至1×10-1 毫巴，并将样品台温度从730 °C（生长温度）降至500 °C。</li>
		<li>待温度和压力稳定后，引入约300 mbar的静态氧气分压，同时将样品台温度保持在500 °C。在此条件下使样品保持60分钟。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>以25 °C/min的速率在相同氧分压条件下将样品冷却至室温。</li>
	<li>将样品转移至XPS腔室，以检测钛峰的可能价态变化或相对的La/Al浓度（更多细节参见步骤5）。</li>
	<li>为确保LAO表面保持洁净，需转移样品 在真空中 到溅射室（图7a)，该压力始终维持在10的范围内-8 mbar 
	注意： 进行这些实验 原位之外 会导致碳和水在表面聚集，最终引起结果偏差。</li>
</ol>
4. 金属覆盖层的磁控溅射：
注意：根据所需金属的不同，氩气压力、沉积电流和靶材到衬底的距离等参数可能会略有变化。建议根据所用溅射装置的几何结构优化每次沉积过程。以下步骤描述了沉积3 nm钴（Co）薄膜的方法。
<ol>
	<li>将样品表面朝下放置，对准靶材。</li>
	<li>向溅射腔内通入纯 Ar 气体，使腔内气压达到约 4.5×10-4 mbar（约 100 sccm）。</li>
	<li>将衬底（LAO/STO）置于距离 Co&#160;靶约 7 cm 的位置。</li>
	<li>关闭快门，逐渐增加电流至约 100 mA（36 W），以点燃等离子体。</li>
	<li>当等离子体稳定后（图 7b），将电流降低至 80 mA（沉积电流），同时将 Ar 气流量调至 5.2 sccm。确保等离子体保持稳定。</li>
	<li>对 Co&#160;靶进行约 5 分钟的预溅射，以去除其表面可能形成的氧化层。</li>
	<li>在样品处于室温条件下，打开快门并沉积 25 秒，随后关闭快门以结束沉积过程。
	<ol>
		<li>对于输运实验，需继续沉积一层约 3 nm 厚的 Al 保护层（该层在空气中暴露后表面会钝化，形成 AlOx 保护层），以防止下方金属层被氧化。 
		注意：生长速率未在腔体内直接测量。为此，应使用相同参数制备多个不同沉积时间的样品，然后利用 X 射线反射率测量各样品的厚度。每种金属靶材均需进行一次该标定过程。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>将电流逐渐降至零，关闭 Ar 气源并对腔体抽真空。</li>
	<li>再次将样品架转移至 XPS 腔室（图 8a），检测 Ti 2p 能级可能发生的价态变化，以及金属/LAO 界面可能发生的氧化情况（更多信息参见步骤 5）。</li>
</ol>
5. 原位X射线光电子能谱：
<ol>
	<li>将样品放置，使其表面法线与电子分析器轴平行（图8b）。</li>
	<li>将X射线枪尽可能靠近样品（避免枪端与样品支架发生机械接触，以防损坏），然后打开X射线枪。
	<ol>
		<li>本实验中，使用Mg Kα激发源，激发能量为1253.6 eV。调节灯丝，使在15 kV阳极电压下发射电流达到20 mA。对于分析器的电子光学系统，选择直径为2 mm的入射狭缝，以及尺寸为5×11 mm矩形的出射狭缝。 
		注意：请参考所用XPS设备的手册，了解最大发射电流和阳极电压的相关信息。此外，其他特定设备的入射和出射狭缝尺寸可能不同。如果分析器具有不同的规格，应选择合适的狭缝，以避免电子计数单元中信号强度过高。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>打开X射线枪后，确保腔室处于超高真空条件（10-10 mbar量级）。采集宽扫描谱图（结合能范围为0至1200 eV），步长设为0.05 eV，驻留时间为0.5 s，通能设置在30至60 eV之间，并选择合适的透镜模式以获得尽可能小的光斑尺寸。根据所需的分辨率调整各项参数。
	<ol>
		<li>确定相关峰的位置（图8c）。为提高统计精度，对每个峰进行多次测量，并对采集到的谱图取平均。</li>
	</ol>
	</li>
	<li>使用合适的XPS数据处理软件分析谱图。
	<ol>
		<li>为识别特定跃迁产生的电子，定义一个包含待分析峰的结合能范围。</li>
		<li>建立适当的背景曲线（通常为Shirley背景14），并从原始数据中扣除该背景。</li>
		<li>参考文献资料15，确定构成所测峰的可能峰组分。特别注意不同峰之间的文献记载距离和相对强度。 
		注意：有关所采集XPS数据的更深入分析，请参见&#34;代表性结果&#34;部分以及参考文献7。</li>
	</ol>
	</li>
</ol>
6. 磁输运实验：
<ol>
	<li>使用超声波楔焊机，用铝线或金线对金属/LAO/STO样品进行引线键合，以接触埋入式界面（图9a）。 
	注意：根据所使用的设备配置和输运测量样品架的类型，选择合适的楔形焊头到样品的距离、压力和焊接时间。</li>
	<li>采用八线配置（4线为范德堡几何结构 -通道1-，4线为霍尔几何结构 -通道2-）。具体操作时，首先将输运测量样品架的一个通道以范德堡几何方式连接至样品的四个角；然后，将第二个通道连接至样品上先前已制备的电极（图9b）。</li>
	<li>使用万用表测量电阻，检查电极接触是否良好。为确保样品均匀性，需验证在不同方向测得的电阻大致相同，从而满足范德堡条件 R100≈R010。 
	注意：若 R100 与 R010 差异显著，则应在两个方向上分别进行范德堡测量（参见文献16）。已有研究表明，LAO/STO中存在显著的各向异性电输运特性17。</li>
	<li>将样品架安装至输运测量系统。
	<ol>
		<li>测量电阻（通道1），降温至2 K。</li>
		<li>在低温下，通过施加垂直方向的外磁场（从-9 T到9 T）并通入典型为10至100 µA的电流，依次测量磁阻（通道1）和霍尔效应（通道2）。</li>
		<li>依次在5 K、10 K、50 K、100 K、200 K和300 K重复步骤6.4.2，以观察磁阻随温度的演变。</li>
	</ol>
	</li>
</ol>

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<li>Chen, Y. Z., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Extreme+mobility+enhancement+of+two-dimensional+electron+gases+at+oxide+interfaces+by+charge-transfer-induced+modulation+doping%5BTitle%5D)+AND+%22Nat.+Mater%22%5BJournal%5D)">Extreme mobility enhancement of two-dimensional electron gases at oxide interfaces by charge-transfer-induced modulation doping.</a> Nat. Mater. 14 (8), 801-806 (2015).</li>
<li>R&ouml;del, T. C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Universal+Fabrication+of+2D+Electron+Systems+in+Functional+Oxides%5BTitle%5D)+AND+%22Adv.+Mater%22%5BJournal%5D)">Universal Fabrication of 2D Electron Systems in Functional Oxides.</a> Adv. Mater. 28 (10), 1976-1980 (2016).</li>
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<li>Vaz, D. C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Tuning+Up+or+Down+the+Critical+Thickness+in+LaAlO3%2FSrTiO3+through+In+Situ+Deposition+of+Metal+Overlayers%5BTitle%5D)+AND+%22Adv.+Mater%22%5BJournal%5D)">Tuning Up or Down the Critical Thickness in LaAlO3/SrTiO3 through In Situ Deposition of Metal Overlayers.</a> Adv. Mater. 29 (28), 1700486(2017).</li>
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<li>Blank, D. H. A., Dekkers, M., Rijnders, G. <a target="_blank" href="https://research.utwente.nl/en/publications/pulsed-laser-deposition-in-twente-from-research-tool-towards-indu">Pulsed laser deposition in Twente: from research tool towards industrial deposition.</a> J. Phys. D. Appl. Phys. 47 (3), 34006(2014).</li>
<li>Preziosi, D., Sander, A., Barthélémy, A., Bibes, M. <a target="_blank" href="http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4975307">Reproducibility and off-stoichiometry issues in nickelate thin films grown by pulsed laser deposition.</a> AIP Adv. 7 (1), (2017).</li>
<li>Hensling, F. V. E., Xu, C., Gunkel, F., Dittmann, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Unraveling+the+enhanced+Oxygen+Vacancy+Formation+in+Complex+Oxides+during+Annealing+and+Growth%5BTitle%5D)+AND+%22Sci.+Rep%22%5BJournal%5D)">Unraveling the enhanced Oxygen Vacancy Formation in Complex Oxides during Annealing and Growth.</a> Sci. Rep. 7, 39953(2017).</li>
<li>Xu, C., Bäumer, C., Heinen, R. A., Hoffmann-Eifert, S., Gunkel, F., Dittmann, R. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Disentanglement+of+growth+dynamic+and+thermodynamic+effects+in+LaAlO3%2FSrTiO3+heterostructures%5BTitle%5D)+AND+%22Sci.+Rep%22%5BJournal%5D)">Disentanglement of growth dynamic and thermodynamic effects in LaAlO3/SrTiO3 heterostructures.</a> Sci. Rep. 6, 22410(2016).</li>
<li>Breckenfeld, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Effect+of+growth+induced+%28non%29stoichiometry+on+interfacial+conductance+in+LaAlO3%2FSrTiO3%5BTitle%5D)+AND+%22Phys.+Rev.+Lett%22%5BJournal%5D)">Effect of growth induced (non)stoichiometry on interfacial conductance in LaAlO3/SrTiO3.</a> Phys. Rev. Lett. 110 (19), (2013).</li>
</ol>

作者无任何利益冲突需要披露。

在衬底终止过程中，应极其注意在HF溶液中的浸入时间。我们发现，相对于原始方案仅改变5秒，就会导致表面出现刻蚀不足或过度刻蚀的现象。此外，我们还观察到衬底台阶尺寸与浸入时间之间存在依赖关系。对于较小的台阶尺寸（小于100 nm），浸入30秒可能导致过度刻蚀，尽管后续退火过程可能足以使表面充分重构。由于使用基于HF的酸存在风险，我们还建议优化采用HCl-HNO3酸性溶液终止12或无酸终止技术13，这些方法应能达到类似的效果。
关于 LAO 的生长，我们建议使用单晶靶材，以避免特定组分可能发生的选择性烧蚀，这种情况在陶瓷/烧结靶材中尤为明显。在我们的实验中，使用陶瓷靶材生长的样品表现出绝缘特性，极有可能是由于所生长薄膜的非化学计量比所致20。我们所描述的 20000 次脉冲预烧蚀步骤看似过长，但我们发现，若忽略此步骤，材料的输运性能会迅速恶化。使用少于 10000 次脉冲进行预烧蚀时，反复观察到 LAO/STO 界面呈现绝缘...

准二维电子体系（q2DES）已被广泛用作研究多种低维和量子现象的平台。自关于LaAlO3/SrTiO3体系（LAO/STO）的开创性论文发表以来1，一系列能够承载新型界面电子相的体系相继被构建出来。通过结合不同材料，研究人员发现了具有额外特性的准二维电子体系，例如电场可调的自旋极化2、极高的电子迁移率3，以及与铁电性耦合的现象4。尽管已有大量工作致力于揭示这些体系的形成机制与调控方法，但在条件相当相似的情况下，不同实验和技术仍呈现出相互矛盾的结果。此外，静电相互作用与化学相互作用之间的平衡被发现对于正确理解其中的物理机制至关重要5,6,7。
本文中，我们详细描述了利用脉冲激光沉积（PLD）技术结合不同金属/LAO/STO异质结构的生长过程， 原位 磁控溅射。随后，为了理解LAO/STO界面处埋藏量子二维电子系统（q2DES）中不同表面条件的影响，通过输运测量和电子能谱实验对其进行了电子结构与化学性质的研究。
由于此前已有多种方法用于在STO上生长结晶态LAO，因此选择合适的沉积技术是制备高质量氧化物异质结构的关键步骤（此外还需考虑可能的成本和时间限制）。在脉冲激光沉积（PLD）中，高强度的短脉冲激光轰击所需材料的靶材，使其发生烧蚀并作为薄膜沉积到衬底上。该技术的主要优势之一是能够可靠地将靶材的化学计量比转移至薄膜中，这对于实现期望的相形成至关重要。此外，该技术能够对大量复杂氧化物进行逐层生长（通过反射高能电子衍射-RHEED进行实时监控），可在腔室内同时放置多个靶材（允许在不破坏真空的条件下生长不同材料），且设备结构简单，使其成为最有效且最通用的技术之一。
然而，其他技术如分子束外延（MBE）能够实现更高质量的外延生长。与使用特定材料作为靶材的方法不同，MBE将每种特定元素分别升华至衬底表面，使其在衬底上相互反应，形成结构明确的原子层。此外，由于不存在高能粒子且能量分布更加均匀，该技术可制备出极为锐利的界面8。然而，对于氧化物的生长而言，MBE比脉冲激光沉积（PLD）复杂得多，必须在超高真空条件下进行（以保证较长的平均自由程不被破坏），并且通常在成本和时间投入上更高。尽管早期关于LAO/STO的研究采用的是PLD生长工艺，但已有通过MBE制备出具有类似特性的样品的报道9。还值得注意的是，LAO/STO异质结构也可通过溅射法生长10。尽管在高温（920 °C）和高氧压（0.8 mbar）条件下实现了原子级锐利的界面，但未能获得界面导电性。
对于金属覆盖层的生长，我们采用磁控溅射法，因为该方法在质量和灵活性之间提供了良好的平衡。然而，也可使用其他基于化学气相沉积的技术来获得类似的结果。
最后，本文展示的输运与光谱技术相结合的方法，为系统性地研究电子和化学相互作用提供了一种有效途径，强调了通过不同方法相互验证，以全面理解此类系统多种特性的必要性。

<table><tbody><tr><td>脉冲激光沉积</td><td>表面</td><td>PLD 工作站 + 超高真空集成系统</td><td></td></tr><tr><td>KrF准分子激光器</td><td>相干的</td><td>Compex Pro 201F</td><td></td></tr><tr><td>反射高能电子衍射（电子枪）</td><td>R-Dec Co., Ltd.</td><td>RDA-003G</td><td>由 SURFACE 在欧洲发行。</td></tr><tr><td>反射高能电子衍射（CCD相机）</td><td>k-Space Associates, Inc.</td><td>kSA 400</td><td></td></tr><tr><td>可变激光束衰减器</td><td>Metrolux</td><td>ML 2100</td><td></td></tr><tr><td>准分子激光传感器</td><td>相干</td><td>J-50MUV-248</td><td></td></tr><tr><td>LaAlO&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt; 目标</td><td>CrysTec</td><td></td><td>单晶靶</td></tr><tr><td>SrTiO₃&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt; 底物</td><td>CrysTec</td><td></td><td>多种不同规格。可订购 TiO&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt; 终止。</td></tr><tr><td>缓冲氢氟酸</td><td>技术</td><td>BOE 7:1</td><td>缓冲氢氟酸 = BOE 7:1（HF : NH4F = 12.5 : 87.5%）中&amp;nbsp;VLSI级</td></tr><tr><td>银浆</td><td>DuPont</td><td>4929N</td><td>导电银复合材料</td></tr><tr><td>超声波清洗机</td><td>Bransonic</td><td>12</td><td>超声波清洗仪</td></tr><tr><td>管式炉</td><td>AET Technologies</td><td>热处理炉</td><td></td></tr><tr><td>硼硅酸盐玻璃烧杯</td><td>VWR</td><td>213-1128</td><td>低形式</td></tr><tr><td>聚四氟乙烯烧杯</td><td>Dynalon</td><td>聚四氟乙烯烧杯</td><td></td></tr><tr><td>基底支架 &quot;浸渍器&quot;</td><td>Eberl&amp;eacute;</td><td></td><td>定制化浸渍器</td></tr><tr><td>磁控溅射</td><td>PLASSYS</td><td>溅射系统</td><td>5个用于目标物的腔室</td></tr><tr><td>金属靶材</td><td>Neyco S.A.</td><td></td><td>纯度 &gt; 99.9%</td></tr><tr><td>X射线光电子能谱系统</td><td>奥密克戎</td><td>定制XPS系统</td><td></td></tr><tr><td>X射线源</td><td>奥密克戎</td><td>DAR 400</td><td>双阳极X射线源</td></tr><tr><td>能量分析仪</td><td>奥密克戎</td><td>EA 125</td><td></td></tr><tr><td>原子力显微镜</td><td>Bruker</td><td>Innova 原子力显微镜</td><td></td></tr><tr><td>原子力显微镜探针</td><td>Olympus</td><td>OMCL-AC160TS-R3</td><td>微悬臂梁</td></tr><tr><td>引线键合</td><td>Kulicke &amp;amp; Soffa</td><td>4523AD</td><td></td></tr><tr><td>PPMS</td><td>Quantum Design</td><td>PPMS Dynacool</td><td>9T 磁体</td></tr></tbody></table>

金属/laalo3/srtio3 异质结构的生长及其静电/化学性质

Growth and Electrostatic/chemical Properties of Metal/LaAlO3/SrTiO3 Heterostructures

在氧化物电子学领域，LaAlO3（LAO）与 SrTiO3（STO）界面处形成的准二维电子体系（q2DES）引起了广泛关注。该体系的一个显著特征是：界面导电性的出现存在一个临界LAO厚度，即4个晶胞（uc）。尽管过去曾提出静电机制来解释这一临界厚度的存在，但近年来化学缺陷的重要性日益凸显。本文介绍了在超高真空（UHV）集成系统中生长金属/LAO/STO异质结构的方法，该系统结合了脉冲激光沉积（用于生长LAO）、磁控溅射（用于生长金属）和X射线光电子能谱（XPS）。我们逐步研究了q2DES的形成与演化过程，以及金属与LAO/STO之间发生的化学相互作用。此外，磁输运实验揭示了q2DES的输运特性与电子性质。这项系统性工作不仅展示了一种研究q2DES与其环境之间静电与化学相互作用的有效途径，还为将多功能覆盖层与二维电子体系中丰富的物理现象相耦合提供了可能，从而推动新型器件的制备。

用于生长与表征的完整实验系统如图所示 图2建议通过分配室将不同的装置在超高真空（UHV）条件下连接，以确保每次生长过程后样品表面保持洁净。PLD 腔室（图3），磁控溅射（图7）和XPS腔室（图8）也进行了详细描述。关于PLD装置中光路的附加信息如图所示。 图4a 和 4b （改编自参考文献）18）。需要注意的是，本方案中讨论的每种技术的实验条件可能因每个腔室的具体几何结构、所用靶标的类型或设备的类型而有所不同。
在开始生长之前，我们通过原子力显...

我们制备金属/LaAlO₃3/SrTiO3 异质结构的制备采用脉冲激光沉积与 原位 磁控溅射。通过磁输运和 原位 通过X射线光电子能谱实验，我们研究了该系统中形成的准二维电子气的静电效应与化学现象之间的相互作用。

金属/LaAlO3/SrTiO3 异质结构的生长及其静电/化学性质

LaAlO3（LAO）与 SrTiO3（STO）界面处形成的准二维电子体系（q2DES）在氧化物领域引起了广泛关注……

本实验的总体目标是通过结合脉冲激光沉积、磁控溅射、X射线光电子能谱以及磁输运实验，制备并研究金属-镧铝酸锶型异质结构。该方法有助于解答关于此类系统中形成的准二维电子气的静电效应与化学现象之间相互作用的关键问题。该技术的主要优势在于其简单性和多功能性，二者结合可实现多组分超薄膜的高质量逐层生长。首先，将一个40千赫兹的超声波清洗器装满水，并将水浴加热至60摄氏度。向一个硼硅酸盐玻璃烧杯中加入足量丙酮，使液面高度达到烧杯最大容积的至少20%。将一个未经处理的、混合终止的单面抛光、取向为001的STO单晶衬底放入烧杯中。将基底在丙酮中超声处理三分钟。使用吹气枪中的氮气流吹干基底。随后依次在异丙醇和去离子水中重复超声处理。将洁净的基底安装在聚偏二氟乙烯浸渍器中。用流动的去离子水装满另一个硼硅酸盐玻璃烧杯。然后，用经氟化铵缓冲的氢氟酸填充体积相近的聚四氟乙烯烧杯约20%。使用浸渍器将基底浸入缓冲氧化物刻蚀液中，精确持续30秒。立即将刻蚀后的基底转移至盛有流动去离子水的烧杯中。在流动去离子水中轻轻搅动基底两分钟。在氮气流下干燥基底，并将刻蚀后的基底在氧气环境中于1000摄氏度下退火。接着，使用180目氧化铝砂纸并以异丙醇作为润滑剂，轻轻机械抛光单晶一英寸LAO靶材。待表面呈现均匀状态后，在氮气流下干燥该靶材。将抛光的 LAO 靶材安装在可旋转靶材的样品架上。将样品架插入负载锁室，抽真空后转移至脉冲激光沉积室。当脉冲激光沉积室的压力降至 10⁻⁹ 毫巴时，向腔室内通入氧气，使氧分压达到 2×10⁻⁴ 毫巴，随后将准分子激光能量计置于氟化氪激光束的光路中，位于第二会聚透镜与石英窗口之间。将激光设定为任意频率，并读取能量计上的能量值。选择目标旋转模式，移除能量计，并以三到四赫兹对目标进行20,000次预烧蚀，以清洁其表面。在样品制备之前，使用原子力显微镜确认终止层、形貌以及终止STO衬底表面的清洁度。使用导电银浆将端面处理的STO衬底固定在样品台上，确保处理面朝上，并使衬底位于样品台中心。将样品台置于加热板上，在100摄氏度下加热10分钟，以蒸发溶剂并固化银浆，实现最佳热导性能。随后，让样品台冷却至室温。将样品台插入负荷锁室，并将样品台转移至X射线光电子能谱室。调整样品位置，使样品表面法线与电子分析器轴线平行。将X射线枪移动至尽可能靠近样品的位置，但不得使枪体与样品台发生机械接触。确保腔室处于超高真空后，开启X射线枪。在12,000至0电子伏特范围内采集宽扫描谱图，步长设为0.2电子伏特，驻留时间为0.2秒，通能选择30至60电子伏特，并使用尽可能小的束斑尺寸。针对后续元素分析所需的特征峰，采集相应的谱图。在对样品进行初始XPS分析后，将样品支架转移至PLD腔室，并调整支架位置，使衬底朝向LAO靶材。向腔室内通入氧气，使氧分压达到2×10⁻⁴毫巴。以每分钟25摄氏度的速率将样品支架温度升至730摄氏度，然后将反射高能电子衍射枪的源电压设为30千伏，电流设为约50微安。将样品支架放置在距靶材63毫米处，以1至3度的掠入射角使反射电子束与基底表面对齐，从而使衍射斑点出现在荧光屏上。通过CCD相机和图像分析软件实时监测斑点强度。当读数稳定后，启动激光器。观察羽流并监测读数振荡。当达到所需厚度且振荡处于峰值时，停止激光。关闭读取枪，将样品台温度降至500摄氏度，并将腔室中的氧分压升至0.1毫巴。当温度和压力稳定后，将氧分压升高至300毫巴，在500摄氏度下退火60分钟。使用XPS分析LAO/STO样品。在真空条件下，将带有LAO/STO衬底的样品架转移至溅射腔室。将样品台放置在距离钴靶约7 cm的位置。向溅射室中通入高纯氩气。在靶挡板关闭的情况下，将电流逐渐增加至约100毫安，以点燃等离子体。将电流减小至80毫安，并将氩气流量降低至5.2 sccm，对钴靶进行预溅射，然后打开快门，沉积钴25秒。关闭快门以结束沉积。对于输运实验，在样品表面沉积一层3纳米厚的铝作为保护层，以防止底层金属在暴露于空气时发生氧化。否则，在钴沉积后使用XPS分析样品。将样品架从系统中取出，并将样品转移至输运测量样品架。在超声波楔形键合机的样品台上，使用直径为0.025毫米的铝线或金线，将样品的四个角以船形几何结构键合到输运测量样品架的一个通道上。确保导线与样品表面接触良好。然后，按照范德波夫几何构型，将四个角引线键合到第二个通道上。使用万用表检查各接触点。将样品 holder 安装至输运测量装置中，并在不同温度下测量其磁阻和霍尔效应。磁输运测量结果显示，根据所沉积的金属层不同，表现出显著差异的行为。采用活性金属封装的 LAO/STO 样品呈现出 S 形霍尔曲线，表明在界面处已形成准二维电子体系。类似地，以贵金属封顶的双单位晶胞 LAO/STO 样品在 4 特斯拉磁场下表现出线性霍尔轨迹，电阻变化仅为几十毫欧。这与界面呈绝缘性、仅检测到金属层的特性一致。对钽封顶的单单位晶胞 LAO/STO 样品进行 X 射线光电子能谱（XPS）分析，结果显示存在氧化钽峰，并且金属钽特征峰部分或完全被抑制，表明氧倾向于从钙钛矿表面向金属扩散。在钙钛矿表面形成氧空位时，部分释放到晶格中的电子被钛原子捕获，使钛的价态从4价变为3价，从而形成准二维电子体系。Ti³⁺与Ti⁴⁺的强度比约为20%。将电子出射角从0度改变至50度，对Ti³⁺信号强度的影响极小，表明该准二维电子体系的延伸范围超过了X射线光电子能谱（XPS）约五纳米的最大探测深度。一旦掌握该方法，完成一个样品的全部实验流程大约需要一到两天时间。在进行脉冲激光沉积（PLD）生长时，需特别注意所用衬底和靶材的质量。若生长的样品未表现出预期的特性，应进行额外的分析。由于该方法具有高度的灵活性，可实现对几乎所有类型的氧化物异质结构进行精确可控的制备与分析，同时也为探索多种新型界面和表面物理效应提供了可能。

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金属/LaAlO 的生长和静电/化学性质3/SrTiO3异

氧化物纳米结构为科学与技术提供了新的机遇。利用导电原子力显微镜技术，可近原子精度地调控LaAlO3与SrTiO3之间的界面电导。本文演示了在LaAlO3/SrTiO3界面处创建和测量导电纳米结构的实验方案。...

氧化物纳米结构的制备与低温表征

本研究详细阐述了通过原子层沉积法在锗衬底上直接生长和表征结晶态 SrTiO3...

通过原子层沉积在锗上外延生长钙钛矿型钛酸锶

通过硫化预先沉积的过渡金属，可制备大面积垂直二维晶体异质结构。本报告还展示了薄膜转移和器件制备的工艺流程。...

通过过渡金属薄膜硫化制备大面积垂直二维晶体异质结构用于器件 fabrication

本文介绍了一种通过表面活性剂辅助溶胶-凝胶法制备多孔钛酸钡（BaTiO3）薄膜的实验方案，该方法利用自组装的两亲性表面活性剂胶束作为有机模板。...

多孔钛酸钡薄膜的化学合成及通过孔隙诱导应变实现铁电相的热稳定化

本文介绍了一种通过射频（RF）溅射法在（001）取向的 SrTiO3（STO）单晶衬底上生长 LSMO 纳米颗粒和（Gd）BCO...

射频磁控溅射 GdBa2Cu3O7−δ/ La0.67Sr0.33MnO3SrTiO上的准双层薄膜3（STO）单晶衬底

氧化物材料表现出多种可通过调节氧含量来控制的奇异特性。在此，我们通过改变脉冲激光沉积参数以及进行退火处理，实现对氧化物中氧含量的调控。以 SrTiO3...

通过生长与退火过程中的氧空位调控来调节氧化物性质

本研究提出一种无残留物的制备方法，用于制备二维材料的单层薄片，并仅通过范德华相互作用将其组装成复杂的异质结构。该技术无需使用外部物质或特定实验条件，可通过自下而上、自上而下以及模块化堆叠的方式实现复杂异质结构的组装。...

二维材料范德华异质结构的无残留制备

有机光伏（OPV）材料在纳米尺度上本质上是不均匀的。OPV材料的纳米级不均匀性会影响光伏器件的性能。本文中，我们描述了一种用于定量测量OPV材料电学和力学性能的实验方案，空间分辨率优于100...

使用原子力显微镜对有机光伏材料进行同步定量电导率与力学性能测量

本文介绍了一种通过化学气相沉积法（CVD）制备垂直排列碳纳米管阵列的简单方法，并进一步通过真空退火或干法氧化处理来调控其润湿性能。...

碳纳米管阵列润湿性能调控的干法氧化与真空退火处理

介绍了一种通过溅射法制备有序合金外延层的方法。以B2有序FeRh化合物为例，因其表现出对化学有序度和合金精确成分高度敏感的亚铁磁性转变。...

溅射生长与亚铁磁性B2有序FeRh外延薄膜的表征

了解利用脉冲激光沉积和磁控溅射制备金属/LaAlO₃/SrTiO₃异质结构的方法。该技术可精确控制薄膜生长，用于研究准二维电子气的静电与化学特性，为先进电子材料开发提供重要基础。

金属/LaAlO₃/SrTiO₃ 异质结构的生长及其静电/化学性质

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