由 F⁻ 310 Nm 支队所示的阴离子光电子成像

在这里, 我们提出了一个关于阴离子物种光电子成像的协议。利用速度映射光电子成像技术, 对真空中产生的阴离子和质谱分离, 提供了负离子和中性能级、负离子和中性结构以及负离子电子态性质的详细资料。

该方法可以帮助回答电子散射分子光谱和反应动力学领域的关键问题，例如分子轨道的性质、分子电子结构、振动能级以及散射和自分离共振的性质。这种技术的主要优点是效率高，可以在单个图像中记录整个光电子能谱和角度分布。要开始产生阴离子，请在脉冲喷嘴后面施加前级气体或气体混合物。

以 10 赫兹的频率作喷嘴。在数字延迟发生器通道 A 上设置喷嘴持续时间，然后触发脉冲喷嘴驱动器将气体注入排放口。使用数字延迟发生器上的通道 C，施加高压放电脉冲 V1.To 监测阴离子质谱，首先将仪器置于离子模式。

将探测器分压器连接到成像探测器微通道板。将电压 V11 施加到检测器阳极。在此之后，将离子检测器分压器输出连接到示波器通道 1 输入。

将微通道板电源连接到分压器，并逐渐增加电压，如表 2 所示。为了通过飞行时间质谱分离阴离子，将加速堆栈电压设置为 V3 ，如文本协议中所述。使用数字延迟发生器上的通道 E 来设置潜在开关高压脉冲的定时和持续时间。

首先，将施加到离子检测器分压器的电压降低到零。将光谱仪切换到成像模式。然后，断开离子检测器分压器与微通道板的连接。

将微通道板电源和成像电源连接到成像高压脉冲上，将成像高压脉冲连接到成像微通道板上。打开 HV 脉冲发生器。在此之后，向荧光屏和微通道板施加永久电压。

将快速光电二极管连接到示波器通道 2。使用通道 H 和 G，从外部触发 ak 激光闪光灯和钥匙开关。调整激光触发的时间，直到光电二极管输出接近但早于感兴趣的离子信号。

接下来，对成像排斥器和提取电极施加电压。将相机设为长曝光。使用通道 H，调整激光触发时间，以最大限度地提高在 PC 屏幕上观察到的电子检测事件的数量。

使用通道 F 设置脉冲计时和持续时间，以便成像脉冲以光子脉冲的到达时间为中心。首先，使用通道 E 触发电荷耦合器件相机在实验周期开始时打开。用与感兴趣的阴离子重合的激光脉冲收集几个帧。

然后用与任何阴离子不重合的激光脉冲收集几帧。从重合时收集的帧中减去从重合中收集的帧。重复此收集和减去帧的过程，以累积背景减去的图像。

在此之后，调整成像排斥器和提取电极电压。再次重复 frame collection and subtract 过程以生成新的背景减去图像。要开始图像采集，请将相机切换到集中采集。

在最佳对焦条件下重复帧收集和减去过程，以累积亚像素分辨率图像。这是在光子能量为 4 电子伏特的氟离子处发生光分离而产生的代表性图像。该图像的左半部分是实验测量的图像，而右半部分是以相同分辨率显示的数据的逆变换。

这两个同心圆对应于光电子能谱中看到的两个狭窄跃迁。对于距中心的每个径向距离，所有角度的积分强度都通过适当的雅可比变换进行缩放，以生成光电子能谱。这两个跃迁反映了中性氟的两种低位电子态的存在。

跃迁动能的差异表明，第一激发态仅比基态高 50 毫电子伏特，基态是自旋轨道相互作用强度的度量。每个跃迁的光电子角分布表明，电子分布垂直于辐射的电矢量极化。可以看出，当相对于它们各自的最大值进行缩放时，这些角度分布几乎相同。

最佳聚焦条件是排斥器和提取器之间的比率为 0.700。即使对这个比率的微小改变也会对速度分辨率产生不利影响。光电子成像技术为化学反应动力学、光电子能谱和电子散射领域的研究人员铺平了道路。

这使得研究人员能够从稳定离子和动态系统中探测电子波函数的性质，例如化学反应从反应物到产物的演变。此外，还可以检查电子和中性物质之间的相互作用，从简单的原子一直到更复杂的分子簇。请记住，在高压气体、高电压和 4 类激光辐射下工作是危险的，必须采取预防措施。

小心避免燃气管道泄漏，不要超过推荐的额定压力。更换电缆时关闭电压电源。此外，切勿直视激光束，并避免特殊反射。

这些可能会导致永久性视力丧失。需要适当的眼睛保护装置，但不能防止直视激光束。