Summary
Bu yöntem genel amacı, sinkrotron radyasyon ile açı-ayrıştırıcı fotoemisyon spektroskopisi kullanılarak ultra-düşük sıcaklıklarda katı olan düşük enerjili elektronik yapı belirlemektir.
Abstract
Bir malzemenin fiziksel özellikleri kendi elektronik yapı ile tanımlanır. Katılarda Elektronlar enerji (ω) ve momentum (k) ve verilen ω ve k belirli bir devlet onları bulmak için olasılık ile karakterizedir spektral fonksiyonu tarafından açıklanan A (k, ω). Bu işlev, doğrudan Albert Einstein 1921 yılında tekrar Nobel ödülünü aldı hangi açıklaması için, tanınmış fotoelektrik etkisi üzerine bir deney olarak ölçülebilir. Fotoelektrik etki ise hafif bir yüzey üzerinde parlıyordu malzemedeki elektronlar çıkarır. Einstein göre, enerjinin korunumu, bir numune içinde bir elektronun enerji tespit edilmesini sağlayan ışık foton ve kinetik giden fotoelektron enerji bilinen enerji sağlanır. Momentum korunumu momen için ilgili k tahmin etmek de mümkün kılarfotoelektron yüzeyde kalan açıyı ölçerek fotoelektron ve tum. Bu tekniğin modern versiyonu Açı Çözülmüş Photoemission Spektroskopisi (ARPES) denilen ve elektronik yapısını belirlemek amacıyla hem korunum kanunları yararlanan, yani enerji ve katı içindeki elektronların ivme. Yoğun madde fiziği topikal sorunları anlamak için çok önemlidir ayrıntıları çözmek için, üç miktarları minimize edilmesi gerekir: foton enerjisi belirsizlik *, fotoelektronların ve numunenin sıcaklık kinetik enerji belirsizlik.
Bizim yaklaşım biz sinkrotron ışınımı, yüzey bilimi ve soğubilim alanında üç yeni başarılar birleştirir. Biz ayarlanabilir foton enerjisi 1 MeV, 1 MeV sırasını bir hassasiyetle kinetik enerjileri algılar bir elektron enerji analizörü ve O 3 kriyostat wh düzenin bir belirsizlik katkı ile sinkrotron radyasyon kullanmakich Bizi Biz Sr 2 RUO 4 ve diğer bazı malzemelerin tek kristaller elde örnek sonuçlarını tartışmak 1 K. Aşağıdaki örnek sıcaklığı tutmak için izin verir. Bu malzemenin elektronik yapı görülmemiş bir açıklık ile tespit edilebilir.
Introduction
Günümüzde yaygın olarak ARPES katıların elektronik yapısını belirlemek için kullanılır. Genellikle, bu yöntemin çeşitli varyasyonları, elektronların uyarmak için gerekli olan radyasyon kaynağı ile tanımlanır. Biz geniş bir enerji aralığında kutuplaşma ve uyarılma foton enerjisi ayarlamak için eşsiz bir fırsat sunuyor ve yüksek yoğunluklu, düşük bant genişliği (enerji hn belirsizlik) ile karakterize olduğundan sinkrotron radyasyon kullanmak ve bunu toplamak için dar bir ışın odaklı olabilir mikron birkaç on bir nokta fotoelektronların. Sinkrotron ışınımı 2 GeV düzenin bir enerji ile ringde dolaşan elektronların güçlü mıknatıslar (undulators) periyodik düzenlemeler geçmesine ** zorlayarak elektron depolama halkaları oluşturulur. Manyetik alan elektronların saptırır ve böyle hızlı elektronlar yönünü değiştirmek zaman radyasyon yayarlar. Tam olarak bu radyasyon daha sonra daha ileri bir monochromatized adlandırılan beamline içine yönlendirilirbir kırınım ağı ile ve çeşitli ayna tarafından numune yüzey üzerinde duruldu. Dünya çapında birçok tür tesisler vardır. Bizim uç istasyon Helmholtz-Zentrum Berlin ait BESSY depolama halka beamlines birinde yer alır.
Bu ARPES tesisin kalbi elektron enerji analizörü (Şekil 1). Biz elektronlar yüzeye bırakın hangi kinetik enerji ve açı hem de ilgilenen bu yana, tek bir ölçüm bunları algılamak için çok uygundur. Çok basit bir prensip bu yaklaşım bir gerçeklik ortaya koyuyor. Böylece mekansal Fourier dönüşümü, odak düzlemi bir noktaya belirli bir açıyla yüzeye bırakılan elektron optik lens projeleri elektronlar (gerçekleştirirken arka odak düzlemi noktasını bir düzlem dalga odaklanan bir optik lens, temel bir deneyde olduğu gibi Şekil 1). Böyle bir şekilde biz karşılıklı, yani hız, uzay erişmek. Distanodak düzlemi içinde ileri bir yönden ce açı ile ve böylece fotoelektron momentumu karşılık gelir. Şimdi elektronların enerji açısından analiz edilmesi gerekir. Bu amaç için yarı küresel analizörü giriş açıklığının elektron optik merceğin odak düzlemi içinde tam olarak yerleştirilir. Iki yarısının üzerindeki voltajı belirli kinetik enerjisi (enerji geçmek) ile yalnız elektron iki yarısının ve iki boyutlu detektör merkez hattı üzerinde toprak ortasında tam olarak tayin edilecektir ki bu tür tercih edilir. Daha hızlı edilenler de daha yakın dış yarımküre için detektör vurur; yavaştır ki, bu iç yarımküre doğru saptırılır olacaktır. Böyle bir şekilde eş zamanlı açı ve kinetik enerjinin bir fonksiyonu olarak fotoemisyon yoğunluk dağılımını elde olabilir.
Mevcut yöntemler üzerinde bizim yaklaşımın ana avantajı O 3 cryomanipulator kullanılmasıdır. Ou taşımak için en az iki nedeni vardırt düşük sıcaklıklarda ölçümler. Malzemenin yüksek sıcaklık, enerji ve momentum olmak elektronik durumları dışarı daha lekeli. Genişletilmesi Bu sıcaklık kaçınılmalıdır yüksek hassasiyette elektronik yapısını belirlemek için. Ayrıca, bazı fiziksel özellikleri, düşük sıcaklıklar ve sistemin temel durum içinde elektronik yapı bilgi, yani T = 0, temel öneme sahiptir de yer alan bir sipariş olgular sıcaklığa bağlıdır. Bir Kelvin onda için numune aşağı soğutmak için en etkili yollarından biri, O, 3 gaz sıvılaştırmak etmektir. Alt Kelvin sıcaklıkları ulaşan birçok deney bir sorun değil de, termal radyasyon yana, ultra-düşük sıcaklıklar ana düşmanı, etkin korumalı olabilir. Ne yazık ki, bu fotoemisyon deneylerde böyle değildir. Biz gelen ışık ve giden elektronlar için ücretsiz erişim sağlamanız gerekir. Bu üç ra özel olarak tasarlanmış yarıklar tarafından gerçekleştirilmektedirdiation kalkanlar, sahip farklı sıcaklıklarda. Foton kiriş ve oda sıcaklığında radyasyonun neden olduğu ısı yükü dengelemek için, kriyostat bir soğutma gücü çok yüksek olmalıdır. Bu, böylece soğuk parmak ve numune, soğutma sıvısı O, 3, yukarıda buhar basıncını azaltmak iki pompaları çok geniş bir pompalama hızı elde edilir. Bizim O 3 sisteminin tasarım özellikleri bu en güçlü dünya çapında olun. Bu belki de bir "soğuk görünür", oda sıcaklığı pencereden bir 1 K soğuk yüzey görebilirsiniz gezegende tek yerdir.
Modern fotoemisyon deney çizimi Şekil 1 'de gösterilmiştir. Sinkrotron ışın (kesikli yeşil çizgi) örnek ve heyecanlandıran fotoelektronların 1 K soğuk yüzey yanar. Elektronlar sarı, eflatun ve camgöbeği izleri differe karşılık açısı bakımından (sıralanır hemisferik analizörü girişinde yarık, tahmin ediliyorsonra nt eğim açıları) ve kinetik enerji açısından analiz edilmiştir. Şekil 2 eğim açısı ve kinetik enerjinin bir fonksiyonu olarak tipik yoğunluk dağılımını göstermektedir. Bu malzemenin bant yapısı hesaplamaları ile karşılaştırılması (sağ panel) olarak gösterir Böyle bir yeğinlik dağılımı gerçekten bekleniyor. Bu karşılıklı uzaya bizim pencere olduğunu.
Objektif ve hemisferlerin üzerindeki voltajı tarama ve dikey eksen etrafında örnek döndürerek (polar açı) biz de görülmemiş detaylar karşılıklı alanı geniş bölgeleri olarak geniş bağlayıcı enerji aralığında keşfedebilirsiniz. Özellikle, eğim ve polar açılardan hesaplanan düzlem ivme, hem bileşenlerinin bir fonksiyonu olarak Fermi düzeyindeki yoğunluğu komplo, biz Fermi yüzeyi (FS) doğrudan erişim vardır.
Biz deneysel bir miktar "true olabilir ne kadar ileri deneycinin iyi tahmini anlıyorum" belirsizlik "altında *değer. "
8 kadar GeV - ** düşük enerji halkası ~ 0.8 GeV, yüksek enerjili biri bir enerji olabilir.
Subscription Required. Please recommend JoVE to your librarian.
Protocol
1. Örnek Montaj
- Bu deney Helmholtz-Zentrum Berlin BESSY depolama halka tarafından üretilen sinkrotron radyasyon kullanır. Fotonlar örnek monte edilmiş olan uç istasyona beamline seyahat.
- Burada araştırılması gereken malzemeden tek bir kristal, stronsiyum ruthenate ile başlar. Numune tutucu tutkal örnek gümüş bazlı epoksi kullanın. Gümüş tabanlı bir epoksi iyi termal ve elektriksel temas sağlar.
- Tutkal tek-kristal yüzeyine bir alüminyum üst-post. Üst-sonrası bir atomik temiz bir yüzey için ultra-yüksek vakum içinde yarılmak numune için kullanılır.
- Yük kilidi örnek tutucu monte edin.
2. Ultra-yüksek vakum ve ısı yalıtımı sağlanması
- Ultra-yüksek vakum odasının kontaminasyonu en aza indirmek için yük kilidi tahliye başlayın.
- Basıncı izler. -8 Yaklaşık 10 mbar bir basınç edildikten sonraelde, hazırlık odasına montaj aktarmak ve daha sonra ana chamber.The soğuk parmak ve numune tutucu için özel helyum pot ile mümkün olan en iyi termal temas sağlamak için dizayn edilmiştir.
- Bu gösterim sürümleri bu temas alanını artırmak için konik yüzeyleri kullanılarak nasıl elde edildiğini göstermektedir. Konik yüzeyleri birbirine bastırılır ve numune tutucu ve soğuk parmağını sıkıca titanyum somun ve cıvata kullanılarak yerinde sabitlenir.
3. Örnek konumlandırma ve Soğutma
- Bir sonraki aşama, aktarma kolunu kullanarak azimut boyunca soğuk parmak içinde yönlendirmek örnek etmektir. Odanın karşı tarafına bitişik destek kolu olan bir Destekleme uygularken somunu sıkıştırarak örneğin konumun belirlenmesi.
- Cleave manipülatör hareket ettirerek örnek üst-sonrası destek kolu ile etkileşim kaldırılır böylece yukarı.
- Işını deklanşör kapalıyken, manipülatör kullanarak beamline yerleştir örnek taşıyın. Örnek yerleştirildikten sonra, cryoshields düzgün kapatıldığından emin olun.
- 1-K kap üzerinde pompalama başlatın ve taban sıcaklığına kadar soğutmak için örnek olarak helyum-3 gaz dolaşır. Sıcaklığı numune yakın ölçülür ve deneme sırasında değişmez.
- Beamline ışınının deklanşör açın. Bu analizör merceğin odak noktasına gelecek şekilde örnek konumunu ayarlamak için cihaz üzerinde mikrometre vida kullanın. Bu ayar çok önemlidir.
4. Veri Toplama
- Kurulum hazır olduğunda, analizörü açı çözülmüş moduna geçmek ve süpürüldü modda spektrum kaydedin. Bu iki boyutlu enerji açı araziler için veri üretecektir.
- Verileri kullanarak bir Fermi yüzeyinin haritasını oluşturun. Supe çalışma için Fermi seviyesi geçişleri karşılık polar açı seçinstronsiyum ruthenate arasında boşluk rconducting.
- Stronsiyum süperiletken geçiş sıcaklığının altında ve üstünde seçilen kutupsal açı Rekor yüksek çözünürlüklü spektrumları süperiletken boşluğu davranışını araştırmak için ruthenate.
Subscription Required. Please recommend JoVE to your librarian.
Representative Results
Beamline ve analizörü yüksek çözünürlüklü ile birlikte bizim kurulum ultra-düşük sıcaklıklarda bize çok yüksek bir genel çözünürlükte spektrumları kaydetmek için izin verir. Bu durum Şekil 3'te gösterilmiştir. Enerji çözünürlük testi olağan bir metal Fermi kenarın genişliğini ölçmek için. Bu durumda, bir taze buharlaştırıldı indiyum film. Tam kenarında açıklar adım fonksiyonu ile kıvrık olduğunda Gauss yarısı maksimum tam genişlik (FWHM), 2 MeV mertebesindedir. Katıların düşük enerjili elektronik yapısının ayrıntılı çalışmalar için daha önemli olan dispersiyon özelliği açı-çözüldü spektrumudur. Böyle bir örnek Şekil 3 orta panel gösterilmiştir. Çok keskin bir süperiletken peak şimdiye ARPES tarafından tespit keskin özelliklerinden birini temsil demir bazlı süperiletken LiFeAs 1'de görülmektedir. Aynı ivme çözünürlük için de geçerlidir. 0.23 ° 'lik FWHM relektron enerji analizörleri geniş açılı modu için ecord değer. Sistem üç başarıları, beamline 1 MeV bant genişliği, analizörü 1 MeV çözünürlük ve numunenin 1 K sıcaklık birleştirmek için tasarlanmıştır. Bu amacımız sistemi "1-cubed ARPES" için ismini verdi. Her üç bileşen minimize edildi ise, bir FWHM ~ 1.4 MeV beklenebilir. Bizim akım ölçümleri 2 MeV sipariş toplam çözünürlük elde edilebilir olduğunu göstermektedir.
Başka bir temsilcisi sonucudur Bu malzeme ilginç fiziksel özellikleri geniş bir yelpazede sahip tanınmış bir oksittir kritik sıcaklık 1.35 K. ile süperiletken Sr 2 RUO 4 elektronik yapısının bizim soruşturmamız. Bu cuprates 2 sonra ilk bulunan süper iletken oksittir. Onun süperiletken devlet sıradışı: çiftli birleştiğinde elektronlar aynı yönde kendi spin var. Bu sözde triplet süperiletkenlik olup. Bu still iyi anlaşılır ve ana sorun süperiletken düzen parametresi simetri tanımlamak değildir kalır. ARPES için tam olarak görev - Bunu yapmak için, süper iletken enerji boşluğu ivme bir fonksiyonu olarak tespit edilmelidir. Süperiletkenlik için gerekli böyle düşük sıcaklıklara önce fotoemisyon deneylerinde erişilebilir değildi Çünkü, bu sorunu çözmek mümkün değildi. İşte biz bunu yapmak için bir girişimde bulunuruz. Her şeyden önce, bir Fermi yüzeyi belirlemek gerekmektedir. Bu amaçla farklı kutup açılarda birçok kesim kaydettik. Bunlardan bazıları Şekil 4'te örnek için gösterilmiştir. Bu Fermi seviyesi çevresinde tek yoğunluk göz önünde, hem de kavrayan açıların bir fonksiyonu olarak çizmek Şimdi, eğer, bu Fermi momenta, yani Fermi yüzeyi harita odağının elde edecektir. Bu tür bir yüzey Fermi harita hesaplanan Fermi yüzeyi 3 ile birlikte Şekil 5 'de gösterilmiştir. Anlaşma çok iyi, ama deneyselverilerin çok daha fazla özellik göstermektedir. Bazıları beklenmedik ve 4 sıradışı. Şimdi süperiletken boşluğu ölçmek için deneyebilirsiniz. Bunun için kritik sıcaklık üzerinde ve altında spektrumları kaydetmek zorunda, Şekil 6'da yani 1.35 K. biz spektrumları böyle çiftleri gösterir. Biz gerçekten enerji aralığının açılması ile uyumlu bazı değişiklikler, gözlemlemek, ancak bu bile mevcut enerji çözünürlüğü (ya da belki de numune yüzeyinde daha doğru olabilir sıcaklık) olarak bize kesin bir sonuç çıkarmak için izin vermiyor Sr 2 RUO 4 enerji açığı için.
Şekil 1. Deney düzeneğinin.
Şekil 2. Sol paneli. Sınavıkinetik enerjisi ve açısı bir fonksiyonu olarak fotoemisyon yoğunluk dağılımını koordinatlariniz. Katı bant yapısı doğrudan görülmektedir. Sağ panel. Aynı malzeme için band yapı hesaplamalarının sonuçları. Teorik veri 5 'den alınmıştır.
Şekil 3. Taze buharlaşıp indiyum filmi. Orta panelinin deneysel sonu istasyonu. Sol panel. Fermi kenar Performans. LiFeAs bir süperiletken örnek Enerji dağılım eğrisi (EDC). Veri 1 'den alınmıştır. Sağ panel. ZrTe 3 Fermi seviyesinde Momentum dağılım eğrisi (MDC). Sistemin uygulanması planlanan toplam enerji çözünürlüğü formül (1K = 0,0862 MeV) ile ifade edilir. Gerçek perfoSistemin rmance biz başlangıçta için amaçlayan bir çok yakındır. büyük bir rakam görmek için buraya tıklayın .
Sr 2 RUO 4 farklı kutup açıları (adım 10) kaydedildi Şekil 4. Enerji-momentum keser. büyük bir rakam görmek için buraya tıklayın .
Şekil 5. Sr 2 RUO 4 Fermi yüzeyinin haritasını doğrusal polarize 80 eV kullanılarak çekilen~ 1K ışık. büyük bir rakam görmek için buraya tıklayın .
Şekil 6. Sr 2 RUO 4 süperiletken boşluğu çalışmaya alınan a, b Tipik spektrumları. Kırmızı ok tek bir enerji dağılımı eğrisi (EDC) ve karşılık gelen bir ivme gösterir. T = 970 mK. C entegre EDC öncü d Shift. Momentum pencere kırmızı ok genişlik ile temsil edilir. Boşluk FS başka bir nokta, sıcaklığın bir fonksiyonu olarak kF EDC BZ çapraz e. Shift yakın bant üzerinde bir FS noktasına karşılık gelmektedir. Çevresinde ileri ucun bağlanma enerjisi f tipik sıcaklık davranış İki BS'ler geçişi.
Subscription Required. Please recommend JoVE to your librarian.
Discussion
Yukarıda gösterildiği gibi, uygulanan yöntemin tek kristallerin düşük enerjili elektronik yapısının incelenmesinde çok etkindir. Son enstrümantal iyileştirmeler sofistike bir çok-cisim spektroskopisi içine sadece karakterizasyonu ve bant-haritalama aracı ARPES döndü. Modern bir deney hassas yeni bir düzeyine sahip bir katı veya bir nano-nesne elektronik yapısı hakkında bilgi sunar. Bir metal kasa içinde Fermi yüzeyi erişim, yarı iletken ve yalıtım malzemeleri, bunların yüzey durumları, bant yapıları ve momentum bağımlı Fermi hızlarının enerji boşlukları genel bir seviye üzerinde elektronik yapı tanımlamak için izin verir. Böylece ab initio hesaplamalar-verimleri bant genişliği ve Fermi hız renormalizations ve Karşılaştırma bağıntıların mukavemet açısından malzemenin karmaşıklığı belirler. Fermi seviyesine yakın Güzel yapılar genellikle elektro arasındaki etkileşimin parmak izi tespit imkanı sağlayacakns ve Fononlar, plazmon gibi diğer serbestlik derecesi, spin-dalgalanmaları vb sistematik bir ivme bağımlı çalışmalar süperiletkenlerde ya da yoğunluk dalga sistemlerinde bir eşleştirme aracı, örneğin, tek bir dominant ile etkileşimi dışında tespit edebilir. Daha kapsamlı araştırmalar dolayısıyla mevcut teoriler veya temel düzeyde uyarıcı yeni yaklaşımlar için kritik testler sağlayarak, düzen parametresi simetri belirlenmesi içerir.
Her deneysel yöntem olduğu gibi, bazı sakıncaları vardır. Bu nedenle nispeten kısa bir elastik olmayan sahip olan ortalama serbest yolu, fotoelektronların kuvvetle kristal içinde dağılmış olduğu bilinmektedir. Sonuç olarak, çıkış derinliği, çeşitli örgü sabitleri aşağı doğru çok küçük olabilir. Bu, yüzey yöntemin duyarlılığı tanımlar ve bazı durumlarda yüzey elektronik yapı yığın 6 gerçekten farklıdır. Ancak, ARPES bu durumu izlemek için birçok araç sunmaktadır. Inci biriOnları çeşitli uyarma foton enerjileri kullanılmasıdır. Daha önce belirtildiği gibi, verilen bir foton enerjisi için de yüzeyine dik olan hız bileşeni tahmin etmek mümkündür. Tek mutlak k z ve ilgili ivme çözünürlük bu miktar belirsizlik verir belirlemek için izin ARPES spektrumu periyodik yapılar Gözlem. Böyle bir şekilde kaçış derinliği deneysel değer belirsizlik ilkesi δ k z * δ z ~ 1 tahmin edilebilir. Yöntemin yüzey hassasiyeti kontrol etmek için bir sonraki alet ışığın polarizasyon değişken olduğunu. Bu dairesel polarize ışık kullanarak yüzey ve fotoemisyon sinyal 7 toplu katılım ayırt etmenin mümkün olduğunu daha önce gösterilmiştir. Sinkrotron ışık kaynağı tarafından teslim çeşitli kutuplaşmalar ve foton enerjileri kullanmanın bir diğer avantajı için olasılıkspektral fonksiyon orijinal özelliklerinden matris elemanı etkilerden kurtulmayı. Matris elemanı momentum uzay ve ARPES spektrumları 8-10 yorumlanmasına neden belirli bölgelerinde fotoemisyon sinyalini bastırır bir geçiş olasılığıdır.
Açıktır ki, yöntem in situ olarak bölmek için zor olan ve atomik temiz ve düz yüzeyler elde kuvvetle 3 boyutlu malzemeler için çok uygun değildir. Giden elektronların akısı numune tutucu 11 ile elektriksel temas telafi edilemez çünkü oluşan şarj telafi etmek için gereklidir çünkü Sonunda, izolatörler üzerine ARPES çok daha karmaşıktır.
Subscription Required. Please recommend JoVE to your librarian.
Disclosures
Çıkar çatışması ilan etti.
Acknowledgments
Biz minnetle Rolf Follath, Roland Hubel, K. Mohler, Dmytro Inosov, Jörg Fink, Andreas Koitzsch, Bernd Büchner, Andrei Varykhalov, Emile Rienks, Oliver Rader, Setti Thirupathaiah, Denis Vyalikh, Sergey Molodtsov, Clemens Laubschat, Ramona yardımı kabul Weber, "1-kuşbaşı" projesi tasavvur Hermann Dürr, Wolfgang Eberhardt, Christian Jung, Thomas Blume, Gerd Reichardt, David Batchelor, Kai Godehusen, Martin Knupfer, Stefan Leßny, Dirk Lindackers, Stefan Leger, Ralf Voigtländer, Ronny Schönfelder, , dizayn, inşa ve beamline ve son istasyonu yanı sıra sağlanan organizasyon ve kullanıcı desteği görevlendirdi.
Projesi "1-cubed ARPES" BESSYII ve IFW-Dresden sıra direkt olarak BMBF hibe "Yüksek Çözünürlük ARPES" tarafından finanse edilmiştir. Bu özel çalışma DFG öncelikli program SPP1458 tarafından desteklenen, ZA 654/1-1, BO1912/3-1 ve BO1912/2-2 verir. EC ve BPD inciseyahat finansman Johannesburg Üniversitesi Fen Fakültesi ank. MAMA - AV, RF ve MC hibe anlaşması N. 264.098 kapsamında AB -FP7/2007-2013 gelen destek için minnettarım.
Materials
| Name | Company | Catalog Number | Comments |
| Single crystals of ZrTe3 and TiSe2 | grown by Dr Helmut Berger, EPFL, Lausanne | ||
| Single crystals of Sr2RuO4 | grown by the group of Dr Antonio Vecchione | ||
| SAMPLES ZrTe3, TiSe2, Sr2RuO4 |
|||
References
- Borisenko, S. V. One-Sign Order Parameter in Iron Based Superconductor. Symmetry. 4, 251-264 (2012).
- Maeno, Y., Hashimoto, H., Yoshida, K., Nishizaki, S., Fujita, T., Bednorz, J. G., Lichtenberg, F. Superconductivity in a layered perovskite without copper. Nature (London). 372, 532 (1994).
- Singh, D. J. Relationship of Sr2RuO4 to the superconducting layered cuprates. Phys. Rev. B. 52, 1358 (1995).
- Zabolotnyy, V. B. Surface and bulk electronic structure of the unconventional superconductor Sr2RuO4: unusual splitting of the β band. New Journal of Physics. 14, 63039 (2012).
- Stöwe, K., Wagner, F. Crystal Structure and Calculated Electronic Band Structure of ZrTe3. Journal of Solid State Chemistry. 138, 160-168 (1998).
- Zabolotnyy, V. B. Momentum and temperature dependence of renormalization effects in the high-temperature superconductor YBa2Cu3O7-δ. Phys. Rev. B. 76, 064519 (2007).
- Zabolotnyy, V. B. Disentangling surface and bulk photoemission using circularly polarized light. Phys. Rev. B. 76, 024502 (2007).
- Kordyuk, A. A., Borisenko, S. V., Kim, T. K., Nenkov, K. A., Knupfer, M., Fink, J., Golden, M. S., Berger, H., Follath, R. Origin of the Peak-Dip-Hump Line Shape in the Superconducting-State (π,0) Photoemission Spectra of Bi2Sr2CaCu2O8. Phys. Rev. Lett. 89, 077003 (2002).
- Inosov, D. S., Fink, J., Kordyuk, A. A., Borisenko, S. V., Zabolotnyy, V. B., Schuster, R., Knupfer, M., B?chner, B., Follath, R., D?rr, H. A., Eberhardt, W., Hinkov, V., Keimer, B., Berger, H. Momentum and Energy Dependence of the Anomalous High-Energy Dispersion in the Electronic Structure of High Temperature Superconductors. Phys. Rev. Lett. 99, 237002 (2007).
- Inosov, D. S., Schuster, R., Kordyuk, A. A., Fink, J., Borisenko, S. V., Zabolotnyy, V. B., Evtushinsky, D. V., Knupfer, M., B?chner, B., Follath, R., Berger, H. Excitation energy map of high-energy dispersion anomalies in cuprates. Phys. Rev. B. 77, 212504 (2008).
- Hüfner, S. Photoelectron Spectroscopy, Principles and Applications. , 2nd Edition, Springer Verlag. Heidelberg. (1996).
