Summary
Vi presenterar en detaljerad metod för att fabricera Ultra-tunn färg filmar med förbättrade egenskaper för optiska beläggningar. Sned vinkel nedfall tekniken använder electron beam förångare tillåter förbättrad färg tunability och renhet. Fabricerade filmar av Ge och Au på Si substrat analyserades av reflektans mätningar och information färgkonvertering.
Abstract
Ultra-tunn filmar strukturerar har studerats ingående för användning som optiska beläggningar, men prestanda och fabrication utmaningar kvarstår. Vi presenterar en avancerad metod för fabricera Ultra-tunn färg filmar med förbättrade egenskaper. Den föreslagna processen tar flera fabrication frågor, inklusive bearbetning, stort område. Specifikt, beskriver protokollet en process för att fabricera Ultra-tunn färg filmer med electron beam förångare för sned vinkel nedfall av germanium (Ge) och guld (Au) på kisel (Si) substrat. Film porositet produceras av sned vinkel nedfall inducerar färgändringar i Ultra-tunn film. Graden av färgförändring beror på faktorer såsom nedfall vinkel och film tjocklek. Fabricerade prover av ultra-tunn färg filmerna visade förbättrad färg tunability och färgen renhet. Dessutom var uppmätta reflektansen av påhittade proverna omvandlas till kromatiska värden och analyseras i termer av färg. Vår ultratunna film fabricera metod förväntas användas för olika program, Ultra-tunn film som flexibel färg elektroder, tunnfilmssolceller och optiska filter. Den process som utvecklats här för att analysera färgen på de fabricerade proverna är också allmänt användbar för att studera olika färg strukturer.
Introduction
Utförandet av tunnfilms-optiska beläggningar är i allmänhet baserad på typ av optiska störningar som de producerar, till exempel hög reflektion eller överföring. I dielektriska tunn-filmer, kan optiska störningar erhållas genom att helt enkelt tillfredsställande förhållanden såsom kvartalet våg tjocklek (λ/4n). Störningar principer har länge använts i olika optiska applikationer såsom Fabry-Perot interferometrar och distribuerade Bragg reflektorer1,2. Under de senaste åren studerat tunn film strukturer med högabsorberande material som metaller och halvledare har varit allmänt3,4,5,6. Stark optiska störningar kan erhållas av tunnfilms-beläggning en absorberande halvledarmaterial på en metall film, som producerar icke-triviala fas förändringar i reflekterade vågor. Denna typ av struktur tillåter ultratunn beläggning som är betydligt tunnare än dielektriska tunnfilms-beläggningar.
Nyligen har vi studerat olika sätt att förbättra den färg tunability och färgen renhet av högabsorberande thin-film använder porositet7. Genom att kontrollera porositeten av deponerade filmen, kan effektivt brytningsindex av tunnfilms-mediet vara ändrade8. Denna förändring i effektiv brytningsindex tillåter de optiska egenskaperna förbättras. Baserat på denna effekt, utformat vi Ultra-tunn färg filmer med olika tjocklekar och porositeter av beräkningar med hjälp av rigorösa kopplat wave analys (RCWA)9. Vår design presenterar färger med olika film tjocklekar på varje porositet7.
Vi anställt en enkel metod, sned vinkel nedfall, att styra porositeten av högabsorberande tunnfilms-beläggningar. Sned vinkel nedfall tekniken kombinerar i princip ett typisk nedfall system, såsom en electron beam förångare eller termisk förångaren, med en lutande substrat10. Sned vinkel infallande flux skapar Atom skuggning, som producerar områden att ånga flux inte kan nå direkt11. Sned vinkel nedfall tekniken har använts i olika tunnfilms-beläggning program12,13,14.
I detta arbete detalj vi processerna för att tillverka Ultra-tunn färg filmer av sneda nedfall använda electron beam förångare. Ytterligare metoder för stora ytor bearbetning presenteras dessutom separat. Förutom processteg beskrivs några anteckningar som bör beaktas under tillverkningsprocessen i detalj.
Vi granskar även processer för mätning av reflektansen fabricerade prover och omvandla dem till färginformation för analys, så att de kan uttryckas i CIE-koordinater för färg och RGB-värden15. Dessutom diskuteras vissa frågor att överväga i tillverkningsprocessen av ultra-tunn färg filmer.
Subscription Required. Please recommend JoVE to your librarian.
Protocol
Försiktighet: vissa kemikalier (dvs, buffrat oxid etsmedlet, isopropylalkohol, etc.) som används i detta protokoll kan vara farliga för hälsa. Kontakta alla relevanta säkerhetsdatablad innan någon provberedning äger rum. Använd lämplig personlig skyddsutrustning (t.ex., lab rockar, skyddsglasögon, handskar o.s.v.) och tekniska kontroller (t.ex., våta station, fume huva, etc.) vid hantering av etsmedel och lösningsmedel.
1. beredning av Si substratet
- med en diamant cutter, en 4 tums kisel (Si) wafer, skuren i 2 x 2 cm stora rutor. För att göra färgade prover, underlaget är vanligtvis skär 2 cm x 2 cm, men kan vara större, beroende på storleken på provhållaren används för sned vinkel nedfall.
- Ta bort infödda oxid med polytetrafluoreten (PTFE) strömstare, doppa de klyvs Si substratesna i buffrad oxid etsmedlet (BOE) för 3 s. försiktighet: Vänligen bära lämpligt skydd för säkerhet.
- Rengör de klyvs Si substratesna sekventiellt i aceton, isopropylalkohol (IPA) och avjoniserat vatten (DI) vatten för 3 s varje.
- Med PTFE rengöring jigg, Sonikera de klyvs Si substratesna med aceton i ett ultraljudsbad för 3 min vid en frekvens på 35 kHz.
- Ta bort aceton, skölj de klyvs Si-substratesna med IPA.
- Som det sista steget av rengöring, skölj de klyvs Si substratesna med avjoniseratvatten.
- För att ta bort fukt, torka rent substratet med en kväve blow pistol medan du håller den med tång.
2. Nedfall av Au reflektorn
- med pincett och kol tejp, fixa de rengjorda Si substratesna på en platt provhållare och placera hållaren i kammaren av electron beam förångaren med Ti och Au källor.
- Evakuera kammaren för 1 h att nå högt vakuum. Bastrycket vakuum avdelning bör vara 4 x 10 -6 Torr.
- Insättning i Ti lager som ett vidhäftning lager till en tjocklek av 10 nm med 5-7% av electron beam power kontrolleras i manuellt läge på en DC-spänning av 7,5 kV, vilket ger en beläggningshastighet 1 Å / sec.
Obs: Ett Cr lager av samma tjocklek, i stället för ett Ti lager, kan deponeras som vidhäftning lager. - Insättning i Au lager som ett reflexionslagrar till en tjocklek av 100 nm med 13-15% av electron beam power kontrolleras i manuellt läge på en DC-spänning av 7,5 kV, vilket ger en beläggningshastighet 2 Å / sec.
Obs: Tjocklek av lagrets Au speglar kan vara större än 100 nm. En tjocklek av 100 nm sätts här för att göra reflexionslagrar så tunn som möjligt samtidigt som de optiska egenskaperna au. - Efter the Au lager nedfall, ventilera kammaren och ta ut proverna. De kommer att behöva laddas med lutande provhållaren för sned vinkel nedfall.
3. Beredning av provhållaren benägen för sned vinkel nedfall
Obs: det finns flera metoder som kan användas för sneda nedfall, såsom den z-axel roterande chuck 16, men detta kräver utrustning modifiering och filmer kan endast deponeras i en vinkel på en gång. För att effektivt övervaka förändringar i färg som produceras av olika nedfall vinklar, använde vi prov innehavare som lutande proverna i olika vinklar. För precision, kan lutande provhållaren göras med hjälp av metall bearbetning utrustning. Dock i detta papper, vi presentera en enkel metod som enkelt kan följas.
- Förbereda en metallplatta som av ett enkelt böjbar metall såsom aluminium.
- Skär metallplattan i tre 2 x 5 cm bitar.
- Fixa metallstycket på golvet tillsammans med en gradskiva, håll kortsidan och böja metall till önskad nedfall vinkel (dvs, 30 °, 45 ° och 70 °).
- Bifoga de böjda metall bitarna till 4 tum provhållaren med kol tejp.
4. Sned vinkel nedfall av Ge lager
Observera: I detta avsnitt avser de Schematiskt diagram i figur 1 i de prover som deponeras på lutande prov innehavare och porösa Ge filmer, efter sned Vinkla nedfall.
- Fixa fyra Au deponeras proverna med carbon band till en lutande provhållaren i vinkel av 0°, 30°, 45° och 70°, respektive.
- Ladda Au-deponeras proverna på lutande provhållaren i electron beam förångaren med en Ge källa för sned vinkel nedfall.
- Evakuera kammaren för 1 h att nå högt vakuum. Bastrycket vakuum avdelning bör vara 4 x 10 -6 Torr.
- Insättning Ge lagret som en färg skiktet med 6-8% av electron beam power kontrolleras i manuellt läge på en DC-spänning av 7,5 kV, vilket ger en beläggningshastighet 1 Å per sekund. De nedfall tjocklekar av Ge skikt på de fyra undersökta provstyckena är 10 nm, 15 nm, 20 nm och 25 nm, respektive.
Obs: Nedfall tjockleken av 10 nm, 15 nm, 20 nm och 25 nm valdes för att underlätta jämförelse av färgen ändras för varje nedfall vinkel. En annan vinkel och tjocklek (5-60 nm) kan väljas för att uppnå en viss färg. - Efter the Ge lager nedfall, ventilera kammaren och ta ut proverna.
5. Sned vinkel nedfall processen för stora områden
Obs: om storleken på det prov som används för sned vinkel nedfall är liten, det kan vara påhittade av den process som beskrivs i steg 4. Om storleken på provet vara fabricerade är stor, blir det dock svårt att upprätthålla film enhetlighet på grund av variationen i den avdunstning fluxen längs z-axeln 16. Därför en separat ytterligare process, steg 5, krävs att tillverka större prover och uppnå en enhetlig färg.
- För en 2 tums wafer, efter insättning Au lagret på stora prov i steg 2, fixa Au-deponeras stora provet till 45° lutande provhållaren.
Obs: Eftersom vår lutande provhållaren är utformad för att passa små prover, laddar stora prover på alla vinklarna (dvs, 0 °, 30 °, 45 ° och 70 °) kommer att skapa störningar mellan prover. Därför, för att snett deponera stora prover i olika vinklar i en enda process, är det nödvändigt att ha en lutande provhållaren som är lämplig för stora prover. - Ladda Au-deponeras stora provet på lutande provhållaren i electron beam förångaren med en Ge källa för sned vinkel nedfall.
Observera: När du laddar provet, skall det andra nedfall lagret deponeras i samma riktning som första nedfall, så notera riktningen av inlästa provet. För bekvämlighet, det rekommenderas att provhållaren är laddad inför framsidan av kammaren. - Evakuera kammaren för 1 h till nå högt vakuum. Bastrycket vakuum avdelning bör vara 4 x 10 -6 Torr.
- Insättning Ge lagret som en färg lager till en nedfall tjocklek av 10 nm, vilket är hälften av målet tjockleken på 20 nm, med 6-8% av electron beam power kontrolleras i manuellt läge på en DC-spänning av 7,5 kV, vilket ger en beläggningshastighet 1 Å / sec.
- Efter nedfallet av det första Ge lagret är färdig, ventilera kammaren och ta ut provet, eftersom provet måste flyttas och reloaded.
- Fixa provet till lutande provhållaren i en ställning som är upp och ner med avseende på positionen för det första nedfallet.
- Ladda provet på lutande provhållaren med Ge källan så att innehavaren ansikten i samma riktning som första nedfall.
- Evakuera kammaren för 1 h att nå högt vakuum. Bastrycket vakuum avdelning bör vara 4 x 10 -6 Torr.
- Insättning Ge lagret som en färg lager till en nedfall tjocklek av 10 nm, vilket är hälften av målet tjockleken på 20 nm, med 6-8% av electron beam power kontrolleras i manuellt läge på en DC-spänning av 7,5 kV, vilket ger en beläggningshastighet 1 Å / sec.
- Efter the Ge lager nedfall, ventilera kammaren och ta ut provet.
Subscription Required. Please recommend JoVE to your librarian.
Representative Results
Figur 2a visar bilder av 2 x 2 cm fabricerade proverna. Proverna var fabricerade så att filmerna hade olika tjocklekar (dvs10 nm, 15 nm, 20 nm och 25 nm) och sattes in i olika vinklar (dvs, 0 °, 30 °, 45 ° och 70 °). Färgen på de deponerade filmer förändringarna beroende på kombinationen av båda tjockleken på proverna och nedfall vinkel. Förändringar i färgresultat från förändringar i porositeten av filmen. Beroende på nedfall vinkeln skapas lutande matriser av enskilda nano-kolumner på underlaget, som visas i de vänstra SEM-bilderna av figur 2. Från experimentella resultat, kan det ses att vid högre nedfall vinklar, färgen förändras för varje nedfall vinkel är mindre uttalad.
Figur 2b visar resultaten av reflektans mätningar av påhittade proverna. Färgen ändras genom en förskjutning i den minsta dopp av reflektans. Som framgår av färgen förändras i figur 2a, förskjutits speglar dip långsamt vid högre nedfall vinklar. Med varje Ge skiktets tjocklek förändringar speglar dip med nedfall vinkeln. Färgen ändras genom dessa förskjutningar i reflektion dip.
För att analysera de fabricerade proverna från en färg perspektiv, behöver de uppmätta reflectances konverteras till kromatiska värden. För konvertering till kromatiska värden, i våra beräkningar, funktionen CIE 1931 standard observatör, mest vanligen används färgmatchning funktion, var sysselsatta13. I beräkningen multipliceras uppmätta reflektansen den funktion som en spektral kraftdistribution för färgmatchning. Figur 3a visar spektrala med färg matchande funktion av uppmätta reflektansen av prover med olika nedfall vinklar (dvs, 0 °, 30 °, 45 ° och 70 °) och en Ge skiktets tjocklek 15 nm. Genom att integrera dessa spektrala svar, tristimulusvärdena x, Y och Z, som är de grundläggande parametrarna för att uttrycka färginformation, kan erhållas. I CIE färg koordinaterna, Kromaticiteten av en färg är anges med parametrarna två härledda x och y och normaliserade värdena för alla tre tristimulusvärdena med hjälp av följande ekvationer:
Baserat på dessa ekvationer, visar figur 3b Kromaticiteten av prover med olika nedfall vinklar i CIE koordinatsystemet.
Figur 4a visar kromatisk värden när de har konverterats från uppmätta reflektansen i figur 3a i CIE-färgsystemet koordinat. För jämförelse, beräknade resultaten var också ritas upp, vilket framgår av de streckade linjerna. I beräkningen, var Ge effektiv omsättningsindexen beräknas utifrån de porositeter som förväntat för varje nedfall vinkel7. Sedan, med hjälp av dessa effektiva index, reflektans värdena beräknades genom rigorösa kopplat wave analys (RCWA)9. Jämfört med CIE koordinatsystemet, var experimentella resultat väl matchade till beräknade resultaten.
Dessa prover med högt nedfall vinklar jämföra spänner av kromatisk värdena av proverna, och uppvisade ett bredare kromatisk utbud. Detta innebär att utbudet av färg uttryck var bred, med högre färg renhet. Högre färg renhet på högre nedfall vinklar tillskrivs minskningen ytreflektion som följd av den högsta porositeten på grund av nedfallet i högre vinkel.
Färginformation konverteras från reflektansen kan omvandlas till RGB-värden att representera färger15. Figur 4b visar färgrepresentation efter konvertera färginformationen från den uppmätta reflektansen av proverna till RGB-värden. Fotografierna kan inte korrekt representerar de sanna färgprover, på grund av skillnader i belysning eller andra villkor, men den övergripande tendensen i färgförändring från prov till prov kan ses.
Figur 5 visar bilder av de prover som fabricerade på en 2 tums wafer, med stort område process. När fabricera ett stort prov, deponerade tjockleken skiljer sig beroende på ytan position. En lösning på detta problem är att utföra nedfall i två steg, som beskrivs i steg 5 i protokollet. Det första lagret, med hälften av önskad tjocklek, deponeras i en positiv nedfall vinkel, och andra halvan deponeras vid en negativ nedfall vinkel. På detta sätt, genom att deponera på positiva och negativa vinklar, skillnaderna i tjocklek kommer kompensera varandra, och en enhetlig tjocklek kan erhållas.
Våra mål var 20 nm och 40 nm tjocklek i ett nedfall vinkel på 45°, dock resultaten visade tjockare insättningar. Detta beror på att den kompenserade genomsnittliga tjockleken bildades i vertikal riktning vid en position närmare källan än prov hållare16. Således, när fabricera i stor skala med denna metod, bör det förväntas att deponerade filmen kommer att vara tjockare än mål tjocklek.
Figur 6 visar bilder av de fabricerade proverna på olika visningsvinklar och uppmätta reflektansen vid olika tillbud vinklar. Som visas i bilderna, är det lite förändring i färg baserat på betraktningsvinklar. Minsta dips uppmätta reflektansen värden i olika vinklar skiftades också knappt av de infallande vinklarna. I grund och botten, som dessa beläggningar är mycket tunnare än våglängderna i det infallande ljuset, finns det liten fas skillnad följd ökade infallsvinkel jämfört med fallet med normal förekomst.
Figur 1 : Schematiskt diagram över (en) de prover som deponeras på lutande prov innehavare och (b) porösa Ge filmer skapade av sned vinkel nedfall. Klicka här för att se en större version av denna siffra.
Class = ”xfig” > figur 2: (en) bilder av de prover som tillverkas i olika nedfall vinklar (dvs, 0 °, 30 °, 45 ° och 70 °) med olika Ge tjocklek (dvs10 nm, 15 nm, 20 nm, 25 nm, och 100 nm). Vänster, gråskala diagram visar skannar mikroskopi bilder motsvarar proverna med Ge tjocklek på 200 nm för bättre visar morfologi. Skalstapeln = 100 nm. (b) mätt reflektans spectra för varje Ge tjocklek (dvs10 nm, 15 nm, 20 nm och 25 nm) med olika nedfall vinklar (dvs, 0 °, 30 °, 45 ° och 70 °). Klicka här för att se en större version av denna siffra.
Figur 3 : (en) kromatisk svar tristimulusvärdena och (b), CIE tomten med olika nedfall vinklar (dvs, 0 °, 30 °, 45 ° och 70 °) med en Ge tjocklek på 20 nm. Klicka här för att se en större version av denna siffra.
Figur 4 : (en) kromatisk värden i de CIE-koordinater från uppmätta reflektansen värdena av de fabricerade proverna, visar beräknade resultaten. (b) färgrepresentation utifrån de uppmätta reflectances fabricerade prover. Vänster, gråskala diagram visar skannar mikroskopi bilder motsvarar proverna med Ge tjocklek på 200 nm för bättre visar morfologi. Skalstapeln = 100 nm. Denna siffra har återgivits från 7 med tillstånd från den Royal Society of Chemistry. Klicka här för att se en större version av denna siffra.
Figur 5 : Bilder av påhittade prover på 2-tums Wafer med olika Ge tjocklekar av (en) 20 nm, och (b) 40 nm i nedfall vinkel av 45 °.
Figur 6 : Bilder med olika vinklar av utsikten från 5° till 60° och uppmätta reflektansen spektra vid sneda vinklar från 20° till 60° av fabricerade prover med (en) en Ge tjocklek av en 15 nm i nedfall vinkel av 0 °, (b) en Ge tjocklek av en 25 nm vid en nedfall en gle på 70°. Denna siffra har återgivits från Y. J. Yoo et al. 7, med tillstånd från den Royal Society of Chemistry.
Subscription Required. Please recommend JoVE to your librarian.
Discussion
I konventionella tunn filmbeläggningar för färgning3,4,5,6, kan färgen styras genom att ändra olika material och justera tjockleken. Valet av material med olika refractive index är begränsad för finjustering av olika färger. För att koppla av denna begränsning, utnyttjat vi sned vinkel nedfall att tunnfilms-färg beläggning. Beroende på nedfall vinkeln skuggning porositeten av den Ge lagret ändras av Atom11, som visas i figur 1b. Porositeten tillämpas på den Ge tunnfilms-orsakar en ändring i indexet effektivt Ge layer7. Fas ändringen av förökningsmaterial ljuset Ge medium varierar med ändringen av effektiva indexet av sned vinkel nedfall. Som ett resultat, ändras färgen med olika störningar villkor i det synliga våglängdsområdet. Särskilt i våra ultratunn färg filmer förbättrad det låga effektiva indexet mycket sneda nedfall vinkel färg renhet med lägre ytreflektion och tunability med en mindre fasförändring.
I våra protokoll är steg 4 den mest kritiska processen för färgning. För att framgångsrikt utföra steg 4, anse att filmen kvaliteten är en kritisk faktor i tunn film optisk beläggning färgning. Filmkvalitet kan ändra brytningsindex och påverkar subtilt färgning. Filmkvalitet är beroende av naturen och villkoren av nedfall utrustningen. I vårt fall electron beam förångare användes som nedfall utrustning, och konstant tryck och nedfall kvarstod för att säkerställa film stabilitet. Dessutom vi mäts de optiska konstanterna av tunna filmerna deponeras under dessa konstanta förhållanden, och med hjälp av de uppmätta optiska konstanterna, färgen på tunna filmen kunde förutspått och analyseras. För att uppnå en exakt önskad färg och finjustera färgen med skikttjocklek, säkerställa stabiliteten av villkor, såsom andelen trycket och nedfall av nedfall utrustningen. Speciellt, när det gäller olika utrustning måste de olika förhållandena av utrustningen vara optimerad för tuning Ultra-tunn färg filmer.
I stort område sned vinkel nedfall processen, filmen nedfall är ojämn på grund av vertikal skillnaden mellan källan och substrat. I processen electron beam avdunstning varierar den vapor flödestäthet i vertikal riktning från källan. Vid hög sneda vinklar finns det en vertikal skillnad beroende på underlaget, som orsakar flödestäthet deponeras på olika sätt beroende på vilken surface position position.
Den process som beskrivs i steg 5 i protokollet har utvecklats för att kompensera för detta. Denna metod är enkel och lätt kan följas utan att ändra utrustningen. Men, som nämnts i resultatavsnittet, processen tenderar att resultera i större filmtjocklek än mål tjocklek. En annan stor-området processmetod som kan lösa problemet tjocklek är att ändra chucken i kammaren där provet lastas så att den roterar i z-axeln. När provet läses i mitten av z-rotation i mitten av provet kommer alltid att förbli ett konstant avstånd från källan. Därför, även med nedfall i positiva och negativa vinklar, enhetlig tjocklek kan uppnås. Det bör dessutom noteras att den sneda vinkeln av provet kan ändras samtidigt behålla vakuum eftersom chucken är vridbar i z-axeln inne i kammaren.
Sammanfattningsvis har vi presenterat en process för att fabricera Ultra-tunn färg filmer med sned vinkel nedfall med electron beam förångare. Dessutom vi detaljerade en metod för att omvandla uppmätta optiska egenskaperna för de påhittade proverna till färginformation och analyseras i termer av färg dem med deras CIE-koordinater. Denna process används för att mäta och analysera färgerna på de fabricerade proverna kan också vara användbart för analys av olika andra strukturer som färg. I denna studie observerades förändringar i färg beroende på tjockleken på den ultra-tunn filmen och nedfall vinkeln. Vår ultratunna färg strukturer kan ofta används för olika tunnfilms-applikationer såsom flexibel färg elektroder, tunnfilmssolceller och optiska filter.
Subscription Required. Please recommend JoVE to your librarian.
Disclosures
Författarna har något att avslöja.
Acknowledgments
Denna forskning stöddes av obemannade fordon avancerade Core Technology Research och utveckling av programmet genom den obemannade fordon avancerad forskning Center (UVARC) finansieras av ministeriet för vetenskap, IKT och framtida planering, den Republiken Korea ( 2016M1B3A1A01937575)
Materials
| Name | Company | Catalog Number | Comments |
| KVE-2004L | Korea Vacuum Tech. Ltd. | E-beam evaporator system | |
| Cary 500 | Varian, USA | UV-Vis-NIR spectrophotometer | |
| T1-H-10 | Elma | Ultrasonic bath | |
| HSD150-03P | Misung Scientific Co., Ltd | Hot plate | |
| Isopropyl Alcohol (IPA) | OCI Company Ltd. | Isopropyl Alcohol (IPA) | |
| Buffered Oxide Etch 6:1 | Avantor | Buffered Oxide Etch 6:1 | |
| Acetone | OCI Company Ltd. | Acetone | |
| 4 inch Silicon Wafer | Hi-Solar Co., Ltd. | 4 inch Silicon Wafer (P-100, 1 - 20 ohm.cm, Single side polished, Thickness: 440 ± 20 μm) | |
| 2 inch Silicon Wafer | Hi-Solar Co., Ltd. | 2 inch Silicon Wafer (P-100, 1 - 20 ohm.cm, Single side polished, Thickness: 440 ± 20 μm) |
References
- Macleod, H. A. Thin-film optical filters. Institute of Physics Publishing. 3, 3rd, (2001).
- Baumeister, P. W. Optical Coating Technology. , SPIE Press. Bellingham, Washington. (2004).
- Kats, M. A., Blanchard, R., Genevet, P., Capasso, F. Nanometre optical coatings based on strong interference effects in highly absorbing media. Nat. Mater. 12, 20-24 (2013).
- Kats, M. A., et al. Ultra-thin perfect absorber employing a tunable phase change material. Appl. Phys. Lett. 101 (22), 221101 (2012).
- Lee, K. T., Seo, S., Lee, J. Y., Guo, L. J. Strong resonance effect in a lossy medium-based Optical Cavity for angle robust spectrum filters. Adv. Mater. 26 (36), 6324-6328 (2014).
- Song, H., et al. Nanocavity enhancement for ultra-thin film optical absorber. Adv. Mater. 26 (17), 2737-2743 (2014).
- Yoo, Y. J., Lim, J. H., Lee, G. J., Jang, K. I., Song, Y. M. Ultra-thin films with highly absorbent porous media fine-tunable for coloration and enhanced color purity. Nanoscale. 9 (9), 2986-2991 (2017).
- Garahan, A., Pilon, L., Yin, J., Saxena, I. Effective optical properties of absorbing nanoporous and nanocomposite thin films. J. Appl. Phys. 101 (1), 014320 (2007).
- Moharam, M. G. Coupled-wave analysis of two-dimensional dielectric gratings. Proc. SPIE. 883, 8-11 (1988).
- Robbie, K., Sit, J. C., Brett, M. J. Advanced techniques for glancing angle deposition. J. Vac. Sci. Technol. B. 16 (3), 1115-1122 (1998).
- Hawkeye, M. M., Brett, M. J. Glancing angle deposition: Fabrication, properties, and applications of micro- and nanostructured thin films. J. Vac. Sci. Technol. A. 25 (5), 1317-1335 (2007).
- Jang, S. J., Song, Y. M., Yu, J. S., Yeo, C. I., Lee, Y. T. Antireflective properties of porous Si nanocolumnar structures with graded refractive index layers. Opt. Lett. 36 (2), 253-255 (2011).
- Jang, S. J., Song, Y. M., Yeo, C. I., Park, C. Y., Lee, Y. T. Highly tolerant a-Si distributed Bragg reflector fabricated by oblique angle deposition. Opt. Mater. Exp. 1 (3), 451-457 (2011).
- Harris, K. D., Popta, A. C. V., Sit, J. C., Broer, D. J., Brett, M. J. A Birefringent and Transparent Electrical Conductor. Adv. Funct. Mater. 18 (15), 2147-2153 (2008).
- Fairman, H. S., Brill, M. H., Hemmendinger, H. How the CIE 1931 color-matching functions were derived from Wright-Guild data. Color Research & Application. 22 (1), 11-23 (1997).
- Oliver, J. B., et al. Electron-beam–deposited distributed polarization rotator for high-power laser applications. Opt. Exp. 22 (20), 23883-23896 (2014).
