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Nanofabbricazione di Porta definiti-GaAs / AlGaAs laterali Quantum Dots
 
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Nanofabbricazione di Porta definiti-GaAs / AlGaAs laterali Quantum Dots

Article DOI: 10.3791/50581
November 1st, 2013

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Summary November 1st, 2013

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Questo articolo presenta un protocollo di fabbricazione dettagliato per cancelli definiti punti quantici di semiconduttori laterali su eterostrutture di arseniuro di gallio. Questi dispositivi in ​​nanoscala sono utilizzati per intrappolare alcuni elettroni per l'uso come bit quantici in elaborazione quantistica o per altri esperimenti mesoscopiche quali misure di conduttanza coerenti.

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