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게이트 정의 갈륨 비소 / AlGaAs 측면 양자점 나노
In Depth Analyses of LEDs by a Combination of X-ray Computed Tomography (CT) and Light Microscopy (LM) Correlated with Scanning Electron Microscopy (SEM)
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게이트 정의 갈륨 비소 / AlGaAs 측면 양자점 나노

Article DOI: 10.3791/50581-v • 15:47 min • November 1st, 2013
November 1st, 2013 •
1, 1, 1
1Département de Physique, Faculté des Sciences, Université de Sherbrooke

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본 논문에서는 갈륨 비소 헤테로 구조에서 게이트 정의 반도체 측면 양자 도트에 대한 자세한 제조 프로토콜을 제공합니다. 이러한 나노 장치는 양자 정보 처리 또는 일관된 전도도 측정과 같은 다른 중시 실험을위한 양자 비트로 사용하기 위해 몇 가지 전자를 포획하는 데 사용됩니다.

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물리 제 81 나노 구조 양자점 나노 기술 전자 마이크로 전자 공학 고체 물리학 Nanofabrication이 나노 전자 스핀 큐 비트 측면 양자점
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