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게이트 정의 갈륨 비소 / AlGaAs 측면 양자점 나노
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게이트 정의 갈륨 비소 / AlGaAs 측면 양자점 나노

Article DOI: 10.3791/50581
November 1st, 2013


Summary November 1st, 2013

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본 논문에서는 갈륨 비소 헤테로 구조에서 게이트 정의 반도체 측면 양자 도트에 대한 자세한 제조 프로토콜을 제공합니다. 이러한 나노 장치는 양자 정보 처리 또는 일관된 전도도 측정과 같은 다른 중시 실험을위한 양자 비트로 사용하기 위해 몇 가지 전자를 포획하는 데 사용됩니다.

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