Waiting
Login processing...

Trial ends in Request Full Access Tell Your Colleague About Jove
JoVE Journal
Engineering

A subscription to JoVE is required to view this content.

Nanofabrikasjon av Gate-definerte GaAs / AlGaAs Lateral Quantum Dots
 
Click here for the English version

Nanofabrikasjon av Gate-definerte GaAs / AlGaAs Lateral Quantum Dots

Article DOI: 10.3791/50581-v 15:47 min November 1st, 2013
November 1st, 2013

Chapters

Summary

Please note that all translations are automatically generated.

Click here for the English version.

Dette notatet presenterer en detaljert fabrikasjon protokoll for gate-definerte halvleder lateral quantum prikker på galliumarsenid heterostruktur. Disse nanoskala enheter brukes til å felle noen elektroner til bruk som quantum bits i quantum informasjonsbehandling eller for andre mesoskopisk eksperimenter som sammenhengende ledningsevne målinger.

Tags

Fysikk nanostrukturer Quantum Dots nanoteknologi elektronikk mikroelektronikk faste stoffers fysikk nanofabrikasjon nanoelektronikk Spin qubit Lateral quantum dot
Read Article

Get cutting-edge science videos from JoVE sent straight to your inbox every month.

Waiting X
Simple Hit Counter