Waiting
Login processing...

Trial ends in Request Full Access Tell Your Colleague About Jove
JoVE Journal
Engineering

A subscription to JoVE is required to view this content.

Нанофабрикации Gate определенные GaAs / AlGaAs квантовых точек Боковые
 
Click here for the English version

Нанофабрикации Gate определенные GaAs / AlGaAs квантовых точек Боковые

Article DOI: 10.3791/50581-v 15:47 min November 1st, 2013
November 1st, 2013

Chapters

Summary

Please note that all translations are automatically generated.

Click here for the English version.

Эта статья представляет собой подробный протокол для изготовления ворот определенных полупроводниковых квантовых точек боковой на арсенид галлия гетероструктур. Эти наноразмерных устройств используются для захвата нескольких электронов для использования в качестве квантовых битов в квантовой обработки информации или для других экспериментов мезоскопическим таких как когерентные измерения проводимости.

Tags

Физика выпуск 81 наноструктуры квантовые точки нанотехнологии электроника микроэлектроника физика твердого тела Nanofabrication наноэлектроника Спин кубит Боковые квантовой точки
Read Article

Get cutting-edge science videos from JoVE sent straight to your inbox every month.

Waiting X
Simple Hit Counter