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Fabbricazione di cavità uniformi su nanoscala tramite silicon direct wafer bonding
 
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Fabbricazione di cavità uniformi su nanoscala tramite silicon direct wafer bonding

Article DOI: 10.3791/51179-v 10:32 min January 9th, 2014
January 9th, 2014

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Viene descritto un metodo per legare permanentemente due wafer di silicio in modo da realizzare un involucro uniforme. Ciò include i processi di preparazione, pulizia, incollaggio RT e ricottura del wafer. I wafer legati risultanti (cellule) hanno uniformità di involucro ~1%1,2. La geometria risultante consente di misurazioni di liquidi e gas confinati.

Tags

Fisica Numero 83 legame diretto del wafer di silicio nanoscala wafer legati wafer di silicio liquidi confinati tecniche litografiche
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