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Fabricação de cavidades de nanoescala uniformes via Silicon Direct Wafer Bonding
 
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Fabricação de cavidades de nanoescala uniformes via Silicon Direct Wafer Bonding

Article DOI: 10.3791/51179-v 10:32 min January 9th, 2014
January 9th, 2014

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Um método para unir permanentemente dois wafers de silício para perceber que um gabinete uniforme é descrito. Isso inclui a preparação de wafer, limpeza, ligação RT e processos de ressarcimento. Os wafers ligados resultantes (células) têm uniformidade de gabinete ~1%1,2. A geometria resultante permite medições de líquidos confinados e gases.

Tags

Física Edição 83 ligação direta de wafer de silício nanoescala wafers ligados wafer de silício líquidos confinados técnicas litográficas
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