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Chemistry

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Atomar definierte Vorlagen Epitaxieausrüstung komplexer Oxide Thin Films
Improved In-gel Reductive β-Elimination for Comprehensive O-linked and Sulfo-glycomics by Mass Spectrometry
Journal (Chemistry)
Improved In-gel Reductive β-Elimination for Comprehensive O-linked and Sulfo-glycomics by Mass Spectrometry
Seeded Synthesis of CdSe/CdS Rod and Tetrapod Nanocrystals
Journal (Chemistry)
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Atomar definierte Vorlagen Epitaxieausrüstung komplexer Oxide Thin Films

Article DOI: 10.3791/52209-v • 08:49 min • December 4th, 2014
December 4th, 2014 •
1, 1, 1, 1, 1, 1
1MESA+ Institute for Nanotechnology, University of Twente

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Verschiedene Verfahren werden beschrieben, um atomar definierten Vorlagen Epitaxieausrüstung komplexer Oxiddünnschichten vorzubereiten. Chemische Behandlungen von einkristallinen SrTiO 3 (001) und DyScO 3 (110) Substrate wurden durchgeführt, um atomar glatte, Einzelterminierten Oberflächen zu erhalten. Ca 2 Nb 3 O 10 - Nanoschichten wurden verwendet, um atomar definierten Vorlagen auf beliebigen Substraten zu schaffen.

Tags

Chemie Substrate Oxide Perowskite Epitaxie dünne Filme Einzelabschluss Oberflächenbehandlung Nanoschichten Langmuir-Blodgett
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