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핵 반응 분석과 깊이 프로파일 링을 통해 표면 및 인터페이스 레이어 및 대량 재료의 수소 농도의 정량화
Electrochemical Etching and Characterization of Sharp Field Emission Points for Electron Impact Ionization
Journal (Engineering)
Electrochemical Etching and Characterization of Sharp Field Emission Points for Electron Impact Ionization
Building an Enhanced Flight Mill for the Study of Tethered Insect Flight
Journal (Engineering)
Building an Enhanced Flight Mill for the Study of Tethered Insect Flight
 
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핵 반응 분석과 깊이 프로파일 링을 통해 표면 및 인터페이스 레이어 및 대량 재료의 수소 농도의 정량화

Article DOI: 10.3791/53452-v • 14:11 min • March 29th, 2016
March 29th, 2016 •
1, 1, 1, 1, 2
1Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 2Micro Analysis Laboratory, Tandem accelerator, The University Museum, The University of Tokyo

Chapters

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우리는 1 H의 적용을 도시한다 (15 N을 αγ) 정량적 부피, 표면에 수소 원자의 농도를 평가하고, 고체 물질의 계면 층에 12 개의 C 공진 핵반응 분석 (NRA). 2 /시 (100) 스택 PD (110) 단결정 및 그런가의 표면 근처의 수소 깊이 프로파일 설명한다.

Tags

공학 판 (109) 수소 정량 깊이 프로파일 표면 수소를 대량으로 수소 인터페이스 수소 핵반응 분석 이온빔 분석
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