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Caractérisation complète des défauts étendus dans les matériaux semi-conducteurs par un microscope électronique à balayage
Calibration of Vector Network Analyzer for Measurements in Radio Frequency Propagation Channels
Journal (Engineering)
Calibration of Vector Network Analyzer for Measurements in Radio Frequency Propagation Channels
The Measurement of Unsteady Surface Pressure Using a Remote Microphone Probe
Journal (Engineering)
The Measurement of Unsteady Surface Pressure Using a Remote Microphone Probe
 
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Caractérisation complète des défauts étendus dans les matériaux semi-conducteurs par un microscope électronique à balayage

Article DOI: 10.3791/53872-v • 11:14 min • May 28th, 2016
May 28th, 2016 •
1, 1, 1, 1, 2, 2, 1
1Institute of Applied Physics, Semiconductor Physics, Technische Universität Dresden, 2Institut für Strukturphysik, Technische Universität Dresden

Chapters

Tags

Ingénierie numéro 111 microscope électronique à balayage (MEB) le silicium cathodoluminescence (CL) un faisceau d'électrons courant induit (FEMC) corrélation croisée diffraction d'électrons rétrodiffusés (ccEBSD) dislocations joints de grains D-line luminescence
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