epitassia a fascio molecolare viene utilizzato per far crescere i transistor InAlN barriere ad alta elettrone-mobilità N-polari (HEMT). Controllo della preparazione di wafer, condizioni di crescita di livello e di struttura epitassiale risultati in lisce, strati InAlN compositivo omogenei e HEMT con mobilità più in alto 1.750 centimetri 2 / V ∙ sec.