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Chemistry

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स्वरित्र बैंड गैप Pinhole-फ्री Methylammonium लीड Halide Perovskite फिल्मों के लिए कम दबाव वाष्प-सहायता समाधान प्रक्रिया
 

स्वरित्र बैंड गैप Pinhole-फ्री Methylammonium लीड Halide Perovskite फिल्मों के लिए कम दबाव वाष्प-सहायता समाधान प्रक्रिया

Article doi: 10.3791/55404
September 8th, 2017

Summary September 8th, 2017

Please note that all translations are automatically generated.

Click here for the English version.

यहां, हम ch3nh3मैं और ch3एनएच3बीआर पुरोगामी और pinhole के बाद के गठन के संश्लेषण के लिए एक प्रोटोकॉल मौजूद-free, निरंतर CH3NH3PbI3-xBrx पतली फिल्मों के लिए उच्च दक्षता सौर कोशिकाओं और अन्य optoelectronic उपकरणों में आवेदन ।

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