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Contrôle de champ électrique des États électroniques dans WS2 nanodispositifs par électrolyte Gate
Measurement of Coherence Decay in GaMnAs Using Femtosecond Four-wave Mixing
Journal (Engineering)
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Analyzing Multifactorial RNA-Seq Experiments with DiCoExpress
Journal (Engineering)
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Contrôle de champ électrique des États électroniques dans WS2 nanodispositifs par électrolyte Gate

Article DOI: 10.3791/56862-v • 10:36 min • April 12th, 2018
April 12th, 2018 •
1, 1, 2, 3,4, 1, 5, 1, 1,5
1Quantum-Phase Electronics Center (QPEC) and Department of Applied Physics, The University of Tokyo, 2Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, 3Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, 4Max Planck Institute for Solid State Research, 5RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS)

Chapters

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Nous présentons ici un protocole pour contrôler le nombre de transporteurs dans les solides à l’aide de l’électrolyte.

Tags

Ingénierie numéro 134 transistor à électrolyte gating électrique double couche intercalation supraconductivité transition métal multiples TMDs disulfure de tungstène WS2 nanotubes
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