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Fabricação de imagem flexível Sensor baseado no NIPIN Lateral Phototransistors
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Fabricação de imagem flexível Sensor baseado no NIPIN Lateral Phototransistors

Article DOI: 10.3791/57502-v • 09:59 min • June 23rd, 2018
June 23rd, 2018 •
*1, *1, 1, 1
1School of Electrical Engineering and Computer Science, Gwangju Institute of Science and Technology
* These authors contributed equally

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Apresentamos um método detalhado para fabricar uma matriz de fototransistor NIPIN lateral deformável para sensores de imagem curvos. A matriz de fototransistor com uma forma de malha aberta, que é composta de ilhas de silicone fina e elásticos metais interligações, proporciona flexibilidade e elasticidade. O analisador do parâmetro caracteriza a propriedade elétrica do fototransistor fabricado.

Tags

Engenharia edição 136 phototransistors laterais eletrônica flexível stretchable dispositivos dispositivos wearable curvado de sensores de imagem
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