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Herstellung von Schottky-Dioden auf Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostruktur gewachsen durch Plasmaunterstützte Molekularstrahl-Epitaxie
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Dynamic Pore-scale Reservoir-condition Imaging of Reaction in Carbonates Using Synchrotron Fast Tomography
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Herstellung von Schottky-Dioden auf Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostruktur gewachsen durch Plasmaunterstützte Molekularstrahl-Epitaxie

Article DOI: 10.3791/58113-v • 14:16 min • October 23rd, 2018
October 23rd, 2018 •
1, 1, 1, 1, 1, 1
1Department of Electrical and Computer Engineering, Virginia Commonwealth University

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Erreichung des qualitativ hochwertigen Schottky Kontakte ist zwingende Voraussetzung für effiziente Tor Modulation in Heterostruktur Feldeffekttransistoren (HFETs) zu erreichen. Wir präsentieren die Herstellung Methodik und Merkmale der Schottky-Dioden auf Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostrukturen mit High-Density-zwei dimensional Electron Gas (2DEG), gewachsen durch Plasmaunterstützte Molekularstrahl-Epitaxie auf GaN Vorlagen.

Tags

Technik Ausgabe 140 Molekularstrahl-Epitaxie (MBE) ZnO BeMgZnO zweidimensionale Elektron Gas (2DEG) Heterostruktur Feld bewirken Transistoren (HFETs) Ag Schottky-Dioden
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