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Einstelligen Nanometer Elektronenstrahl Lithographie mit einem Aberration korrigiert Scan Transmissions-Elektronenmikroskop
Adsorption Device Based on a Langatate Crystal Microbalance for High Temperature High Pressure Gas Adsorption in Zeolite H-ZSM-5
Journal (Engineering)
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Modeling and Experimental Analysis of the Single-Shaft Coaxial Motor-Pump Assembly in Electrohydrostatic Actuators
Journal (Engineering)
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Einstelligen Nanometer Elektronenstrahl Lithographie mit einem Aberration korrigiert Scan Transmissions-Elektronenmikroskop

Article DOI: 10.3791/58272-v • 10:25 min • September 14th, 2018
September 14th, 2018 •
1, 1, 1, 1, 1, 1, 1
1Center for Functional Nanomaterials, Brookhaven National Laboratory

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Wir verwenden eine Aberration korrigiert Scan Transmissions-Elektronenmikroskop zu einstelligen Nanometer Muster in zwei weit verbreitete Elektronenstrahl widersteht definieren: Poly (methylmethacrylat) und Wasserstoff-Silsesquioxane. Widerstehen, Muster können in Targetmaterialien Wahl mit einstelligen Nanometer Treue mit abheben, Plasma Ätzen, repliziert werden und Infiltration von Organometallics zu widerstehen.

Tags

Engineering Ausgabe 139 Nanofabrikation Elektronenstrahl Lithographie Korrektur der Aberration Elektronenmikroskopie Nanomaterialien Muster-Transfer e-Beam Resist Poly (methylmethacrylat) Wasserstoff-Silsesquioxane
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