Waiting
Login processing...

Trial ends in Request Full Access Tell Your Colleague About Jove
Journal / Engineering / Измерения жизни несущей в полупроводниках методом …
JoVE Journal
Engineering

This content is Open Access.

JoVE Journal Engineering
Измерения жизни несущей в полупроводниках методом микроволновой фотопроводимости распада
Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics
Journal (Engineering)
Probing C84-embedded Si Substrate Using Scanning Probe Microscopy and Molecular Dynamics
Characterization of Ultra-fine Grained and Nanocrystalline Materials Using Transmission Kikuchi Diffraction
Journal (Engineering)
Characterization of Ultra-fine Grained and Nanocrystalline Materials Using Transmission Kikuchi Diffraction
 
Click here for the English version

Измерения жизни несущей в полупроводниках методом микроволновой фотопроводимости распада

Article DOI: 10.3791/59007-v • 07:38 min • April 18th, 2019
April 18th, 2019 •
1, 1, 1,2
1Department of Electrical & Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, 2Frontier Research Institute for Material Science, Nagoya Institute of Technology

Chapters

Summary
Automatic Translation

Please note that all translations are automatically generated.

Click here for the English version.

Как один из важных физических параметров в полупроводниках перевозчик жизни измеряется здесь через протокол, используя метод распада фотопроводимости Микроволновая печь.

Tags

Инжиниринг выпуск 146 Микроволновая фотопроводимости распада метод карьера жизни полупроводниковых материалов время решена измерения характеристика дефекта поверхностной рекомбинации
Read Article

Get cutting-edge science videos from JoVE sent straight to your inbox every month.

Waiting X
Simple Hit Counter