Hochtemperatur-Supraleitung in Cuprate und Eisen basierten Supraleitern ist eine faszinierende Quantum Angelegenheit1,2. Eine große Herausforderung bei der Supraleitung Verständnis wird lokal verflochten unter verschiedenen gebrochenen Symmetrie Staaten, wie z. B. elektronische nematische und Smectic Phasen (die rotatorische und translatorische Symmetrien der elektronischen Staaten brechen), mit Supraleitung3,4,5,6,7. Manipulation und bewusste tuning dieser gebrochenen Symmetrie-Staaten ist ein wichtiges Ziel in Richtung verstehen und Steuern Supraleitung.

Kontrollierte Belastung, einachsige und zweiachsige, ist eine gut etablierte Technik Tune die kollektive elektronische Staaten in kondensierter Materie Systeme8,9,10,11,12, 13,14,15,16,17,18,19,20,21, 22. Diese saubere Stimmung, ohne die Einführung einer Störung durch chemische doping, häufig in verschiedenen Arten von Experimenten dient zur Masse elektronischen Eigenschaften23,24,25,26 Stimmen . Zum Beispiel hat einaxialer Druck erwies sich eine immense Wirkung auf Supraleitung in Sr2RuO413 und Cuprate27 und auf der strukturellen, magnetisch, und nematische Phasenübergänge von Eisen basierten Supraleitern 10 , 14 , 28 , 29 und wurde vor kurzem in den topologischen Staaten von SMB-624tuning demonstriert. Die Verwendung von Dehnung in Oberfläche-Sensitive Techniken wie STM und Winkel gelöst Fotoemission Spektroskopie (ARPES), wurde jedoch beschränkt auf in Situ-grown Dünnschichten auf nicht übereinstimmende Substrate26,30. Die größte Herausforderung mit Einkristallen in Oberfläche-Sensitive Experimente Stamm zuweisen ist die Notwendigkeit, die belasteten Proben im Ultrahochvakuum (UHV) Spalten. In den letzten Jahren wurde eine alternative Richtung Epoxid-eine dünne Probe auf Piezo Stapel9,10,18,31 oder Platten mit unterschiedlichen Koeffizienten der thermischen Ausdehnung19 ,32. In beiden Fällen ist das Ausmaß der angewandte Belastung noch ziemlich begrenzt.

Hier zeigen wir die Verwendung eines neuartigen mechanischen einachsiger Beanspruchung-Geräts, das erlaubt es den Forschern belasten eine Probe (Druckspannung) ohne Zwänge und gleichzeitig visualisieren die Oberflächenstruktur mit STM (siehe Abbildung 1). Als Beispiel verwenden wir Einkristalle von Fe1 +yTe, wo y = 0,10, die Ausgangsverbindung der Eisen-Chalkogenid-Supraleiter (y ist die überschüssiges Eisen-Konzentration). Unter TN = ~ 60 K, Fe1 +yTe Übergänge von einer Hochtemperatur-paramagnetischen Zustand in einen Niedertemperatur-antiferromagnetischen Zustand mit einem Bicollinear Streifen magnetische Ordnung26,33 ,34 (siehe Abb. 3A, B). Der magnetische Übergang ist weiter eine strukturelle Umstellung von vierkantig monoklinen26,35einher. Die in der Ebene AFM Bestellformulare detwinned Domänen mit den Hinweis auf die lange b-Leitung der orthorhombic Struktur34Spinstruktur. Durch die Visualisierung der AFM-Bestellung mit Spin-polarisierten STM, wir untersuchen die bidirektionale Domänenstruktur in ungezwungenen Fe1 +yTe Proben und beobachten ihren Übergang in einer einzigen großen Domäne angewandte belastet (siehe Schaltplan im Abbildung 3 C-E). Diese Experimente zeigen die erfolgreiche Oberfläche Abstimmung der einzelnen Kristalle mit dem einachsiger Belastung Gerät das hier vorgestellte, die Spaltung der Probe und die gleichzeitige Darstellung der die Oberflächenstruktur mit dem Rastertunnelmikroskop. Abbildung 1 zeigt die schematische Zeichnungen und Bilder von der mechanischen Belastung Gerät.

Dieses Protokoll ist wichtig, weil es eine Visualisierung der Integration des uniaxial-dehnungsgeräts mit der Scantunnelmikroskopie ist. Es geht sowohl um die Anwendung von Dehnung als auch um die Visualisierung der Manipulation von Strukturdomänen in SDM. Der Hauptvorteil dieser Technik ist, dass sie erhöhte Dehnungsmengen ermöglicht, da es sich um ein mechanisches Gerät handelt.

Seine Oberflächeneffekte können mit Hilfe der Rastertunnelmikroskopie visualisiert werden. Bei Hochtemperatur-Supraleitern durch bewusstes Tuning und Manipulieren gebrochener Symmetriezustände kann man supraleitende Zustände steuern und verstehen. Dieser Prozess kann auf jedes Material angewendet werden, sofern es sich um einen einzelnen Kristall handelt und SDM-kompatibel ist.

Es gibt viele Gerätetests, um die Reaktion des Setups auf unterschiedliche Bedingungen zu bestimmen, einschließlich der Menge, wie viel Belastung erreicht werden kann. Es ist ein sehr anspruchsvolles Experiment, bei dem Geduld und absolutes Verständnis dessen, was sie tun, entscheidend sind. Die visuelle Demonstration dieses Prozesses ist von entscheidender Bedeutung, da er einen Einblick in die Herstellung und Verwendung des beschri