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Engineering

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Rendern von SiO2/Si Oberflächen Omniphobic durch Schnitzen von Gas-Entrapping Mikrotexturen bestehend reentrant und doppelt reentrant Hohlräume oder Säulen
 
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Rendern von SiO2/Si Oberflächen Omniphobic durch Schnitzen von Gas-Entrapping Mikrotexturen bestehend reentrant und doppelt reentrant Hohlräume oder Säulen

Article DOI: 10.3791/60403-v 08:02 min February 11th, 2020
February 11th, 2020

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Diese Arbeit präsentiert Mikrofabrikationsprotokolle zur Erzielung von Hohlräumen und Säulen mit reentranten und doppelt reentranten Profilen auf SiO2/Si-Wafern mittels Photolithographie und Trockenätzung. Die resultierenden mikrotexturierten Oberflächen zeigen eine bemerkenswerte Flüssigkeitsabstoßung, die sich trotz der intrinsischen Benetzbarkeit von Kieselsäure durch eine robuste Langzeiteinschlussvon Luft unter Benetzungsflüssigkeiten auszeichnet.

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Engineering Ausgabe 156 Benetzung Omniphobizität wiedereintretende Hohlräume/Säulen gaseinschlüssede Mikrotexturen (GEMs) Photolithographie isotrope Ätzung anisotrope Ätzung thermisches Oxidwachstum reaktive-Ionen-Ätzung Kontaktwinkel Eintauchen konfokale Mikroskopie
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