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O efeito dos parâmetros de anodização na camada dielétrica do óxido de alumínio dos transistores de filme fino
 
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O efeito dos parâmetros de anodização na camada dielétrica do óxido de alumínio dos transistores de filme fino

Article DOI: 10.3791/60798-v 12:32 min May 24th, 2020
May 24th, 2020

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Os parâmetros de anodização para o crescimento da camada dielétrica de óxido de alumínio de transistores de filme fino de óxido de zinco (TFTs) são variados para determinar os efeitos nas respostas dos parâmetros elétricos. A análise da variância (ANOVA) é aplicada a um projeto Plackett-Burman de experimentos (DOE) para determinar as condições de fabricação que resultam em desempenho otimizado do dispositivo.

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Química Edição 159 Anodização óxido de alumínio camada dielétrica transistor de filme fino óxido de zinco ANOVA
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