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गेट से परिभाषित GaAs / AlGaAs पार्श्व क्वांटम डॉट्स की nanofabrication
 
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गेट से परिभाषित GaAs / AlGaAs पार्श्व क्वांटम डॉट्स की nanofabrication

Article DOI: 10.3791/50581-v 15:47 min November 1st, 2013
November 1st, 2013

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इस पत्र गैलियम आर्सेनाइड heterostructures पर गेट से परिभाषित अर्धचालक पार्श्व क्वांटम डॉट्स के लिए एक विस्तृत निर्माण प्रोटोकॉल प्रस्तुत करता है. इन उपकरणों nanoscale क्वांटम सूचना संसाधन में या ऐसी सुसंगत चालकता माप के रूप में अन्य mesoscopic प्रयोगों के लिए क्वांटम बिट के रूप में इस्तेमाल के लिए कुछ इलेक्ट्रॉनों फंसाने के लिए उपयोग किया जाता है.

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