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단 하나의 GaN 나노 와이어 장치에 대한 문의 인터페이스의 분석
Rendering SiO2/Si Surfaces Omniphobic by Carving Gas-Entrapping Microtextures Comprising Reentrant and Doubly Reentrant Cavities or Pillars
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Rendering SiO2/Si Surfaces Omniphobic by Carving Gas-Entrapping Microtextures Comprising Reentrant and Doubly Reentrant Cavities or Pillars
Creating Topographical and NanoIR Images of the Multipolymer Sample (Video) | JoVE
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단 하나의 GaN 나노 와이어 장치에 대한 문의 인터페이스의 분석

Article DOI: 10.3791/50738-v • 11:13 min • November 15th, 2013
November 15th, 2013 •
1, 1, 1
1Quantum Electronics and Photonics Division, National Institute of Standards and Technology

Chapters

Summary
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기술은 접촉 / 기판과 하나의 GaN 나노 와이어 장치의 접촉 / NW 인터페이스의 시험 및 특성화를 허용하기 위해, 기판에서의 Ni / AU 접촉 금속 필름을 제거하는 개발되었다.

Tags

물리 제 81 나노 소자 (전자) 반도체 재료 반도체 소자 질화 갈륨 나노 와이어 연락처 형태학
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