Waiting
Login processing...

Trial ends in Request Full Access Tell Your Colleague About Jove
Journal / Engineering / Анализ контактных интерфейсов для одиноких GaN…
JoVE Journal
Engineering

A subscription to JoVE is required to view this content.

JoVE Journal Engineering
Анализ контактных интерфейсов для одиноких GaN нанопроволоки устройств
Simulation Analysis for Evaluating Temperature and Airflow Dynamics in Battery Packs (Video) | JoVE
Journal (Engineering)
Simulation Analysis for Evaluating Temperature and Airflow Dynamics in Battery Packs (Video) | JoVE
Selective Area Modification of Silicon Surface Wettability by Pulsed UV Laser Irradiation in Liquid Environment
Journal (Engineering)
Selective Area Modification of Silicon Surface Wettability by Pulsed UV Laser Irradiation in Liquid Environment
 
Click here for the English version

Анализ контактных интерфейсов для одиноких GaN нанопроволоки устройств

Article DOI: 10.3791/50738-v • 11:13 min • November 15th, 2013
November 15th, 2013 •
1, 1, 1
1Quantum Electronics and Photonics Division, National Institute of Standards and Technology

Chapters

Summary
Automatic Translation

Please note that all translations are automatically generated.

Click here for the English version.

Методика была разработана, который удаляет Ni / Au контакт металлических пленок от субстрата, чтобы для рассмотрения и определения характеристик контактной / подложки и контакт / NW интерфейсов отдельных устройств GaN нанопроволоки.

Tags

Физика выпуск 81 наноустройств (электронный) полупроводниковые материалы полупроводниковый прибор GaN нанопроволоки контакты морфология
Read Article

Get cutting-edge science videos from JoVE sent straight to your inbox every month.

Waiting X
Simple Hit Counter