Waiting
Login processing...

Trial ends in Request Full Access Tell Your Colleague About Jove
Journal / Engineering / Синтез и характеристика высокого C-оси ZnO тонкой …
JoVE Journal
Engineering

A subscription to JoVE is required to view this content.

JoVE Journal Engineering
Синтез и характеристика высокого C-оси ZnO тонкой пленки по плазмостимулированного химического осаждения системы и ее УФ фотодетектор приложение
Label-Free Imaging of Single Proteins Secreted from Living Cells via iSCAT Microscopy
Journal (Engineering)
Label-Free Imaging of Single Proteins Secreted from Living Cells via iSCAT Microscopy
Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding
Journal (Engineering)
Fabrication of Uniform Nanoscale Cavities via Silicon Direct Wafer Bonding
 
Click here for the English version

Синтез и характеристика высокого C-оси ZnO тонкой пленки по плазмостимулированного химического осаждения системы и ее УФ фотодетектор приложение

Article DOI: 10.3791/53097-v • 08:18 min • October 3rd, 2015
October 3rd, 2015 •
1, 1
1Institute of Manufacturing Technology and Department of Mechanical Engineering, National Taipei University of Technology (TAIPEI TECH)

Chapters

Tags

Инженерная выпуск 104 ZnO тонкую пленку, плазма химического осаждения из паровой фазы диэтилцинк (DEZn) датчик Pt-гребенчатой ​​электродом Токопроводящее УФ фотодетектор
Read Article

Get cutting-edge science videos from JoVE sent straight to your inbox every month.

Waiting X
Simple Hit Counter