JoVE Journal
Engineering
Engineering
A subscription to JoVE is required to view this content.
Chapters
Summary
Please note that all translations are automatically generated.
En RT væskeoverfladen passivering teknik til at undersøge rekombinationsaktivitet af bulk silicium defekter er beskrevet. For teknikken at være en succes, er tre kritiske trin kræves: (i) kemisk rensning og ætsning af silicium, (ii) neddypning af silicium i 15% flussyre og (iii) belysning til 1 min.