JoVE Journal
Engineering
Engineering
A subscription to JoVE is required to view this content.
Chapters
Summary
Please note that all translations are automatically generated.
Molekylær bjelke epitaxy brukes til å dyrke N-polare InAlN-barriere høy elektron-mobilitet transistorer (HEMTs). Kontroll av wafer forberedelse, lag vekstvilkår og epitaxial struktur fører til glatte, sammensetnings homogene InAlN lag og HEMTs med mobilitet så høyt som 1750 cm 2 / V ∙ sek.