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heterostructure क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर (HFETs) में कुशल गेट मॉडुलन प्राप्त करने के लिए उच्च गुणवत्ता वाले Schottky संपर्कों की प्राप्ति आवश्यक है. हम निर्माण पद्धति और Zn-ध्रुवीय BeMgZnO पर Schottky डायोड के लक्षण वर्तमान के साथ उच्च घनत्व दो आयामी इलेक्ट्रॉन गैस (2DEG), प्लाज्मा द्वारा उगाई-आणविक बीम epitaxy पर सहायता प्रदान टेंपलेट्स ।