Diode Reverse Current and Breakdown

A diode in reverse bias blocks current flow and widens its depletion region. In this setup, the positive terminal of the power source connects to the n-type material, and the negative terminal connects to the p-type material. The reverse connection also raises the barrier potential, so current stays very small.

当二极管的 n 型区域连接到电源电压的正端，并且其 p 型区域连接到负端时，二极管会发生反向偏置。

在较低的反向偏置电压下，通过二极管的小漏电流主要是由于少数载流子，并且该区域的 IV 曲线几乎是平坦的。

当反向偏置电压增加超过阈值电压（称为击穿电压或拐点电压）时，当电压的微小变化时，会观察到电流急剧上升。

在高反向电压下的重掺杂二极管中，耗尽区的电场足够强，足以使价电子脱离它们的键。这会产生电子-空穴对，导致电流显着增加。

在轻掺杂二极管中，高反向电压会加速少数载流子穿过耗尽区。它们与原子碰撞，产生额外的电子-空穴对。这个过程级联，导致电流迅速增加。

与重掺杂二极管相比，轻掺杂二极管的电流逐渐增加。