Name: fermi level in semiconductors
Uploaded: 2024-07-08T13:20:09.000Z
Duration: 1 min 18 s
Channel: JoVE

Funkcja Fermiego-Diraca, reprezentowana przez krzywą sigmoidalną, wskazuje prawdopodobieństwo zajęcia stanu energetycznego przez elektron w danej temperaturze.
Poziom Fermiego reprezentuje stan energetyczny z 50-procentowym prawdopodobieństwem zajętości i leży pomiędzy pasmami walencyjnymi i przewodzenia.
Przy zerze bezwzględnym stany energetyczne do poziomu Fermiego są wypełnione, podczas gdy te powyżej są puste. W wyższych temperaturach stany powyżej poziomu Fermiego mogą zostać wypełnione.
W półprzewodnikach wewnętrznych równe stężenia i elektronów oznaczają, że poziom Fermiego leży pośrodku przerwy energetycznej.
W półprzewodnikach typu n wyższa koncentracja elektronów przesuwa poziom Fermiego w pobliże pasma przewodnictwa.
W półprzewodnikach typu p poziom Fermiego leży w pobliżu pasma walencyjnego, ze względu na większą koncentrację.
Wraz ze wzrostem temperatury więcej elektronów przechodzi z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa, przesuwając poziom Fermiego bliżej pasma przewodnictwa.
Kiedy materiały o różnych poziomach Fermiego łączą się, elektrony przepływają z wyższego poziomu Fermiego do niższego, aby wyrównać poziomy Fermiego na skrzyżowaniu w celu ustalenia równowagi.

poziom fermiego

Funkcję Fermiego-Diraca reprezentuje krzywa w kształcie litery S, wskazująca prawdopodobieństwo zajęcia stanu energetycznego przez elektron w danej temperaturze. Poziom Fermiego to poziom energii, na którym istnieje pięćdziesiąt procent szans na znalezienie elektronu i znajduje się pomiędzy pasmem walencyjnym o niższej energii a pasmem przewodnictwa o wyższej energii.


W temperaturze zera absolutnego elektrony wypełniają wszystkie stany energetyczne aż do poziomu Fermiego, pozostawiając stany górne puste. Wraz ze wzrostem temperatury wzrasta energia elektronów i stają się one zdolne do zajmowania wolnych stanów powyżej poziomu Fermiego.


W półprzewodnikach samoistnych, gdzie stężenie elektronów i dziur jest równe, poziom Fermiego znajduje się pośrodku pasma wzbronionego. Zmienia się to, gdy dodawane są zanieczyszczenia w celu utworzenia półprzewodników typu n lub p. W półprzewodnikach typu n, w których występuje nadmiar elektronów, poziom Fermiego przesuwa się bliżej pasma przewodnictwa. I odwrotnie, w półprzewodnikach typu p, gdzie występuje większa koncentracja dziur, poziom Fermiego przesuwa się bliżej pasma walencyjnego.


Wzrost temperatury powoduje, że większa liczba elektronów przeskakuje z pasma walencyjnego do pasma przewodnictwa, przesuwając tym samym poziom Fermiego w kierunku pasma przewodnictwa. To przesunięcie wpływa na przewodność półprzewodnika.


Kiedy stykają się materiały o różnych poziomach Fermiego, elektrony przepływają z obszaru o wyższych poziomach Fermiego do niższego. Ruch elektronów wyrównuje poziomy Fermiego na złączu, ustanawiając równowagę. Koncepcja ta odgrywa kluczową rolę w działaniu wielu elementów elektronicznych, umożliwiając regulację i regulację przewodności elektrycznej oraz wydajności urządzeń elektronicznych.

Poziom Fermiego

Funkcja Fermiego-Diraca, reprezentowana przez krzywą sigmoidalną, wskazuje prawdopodobieństwo zajęcia stanu energetycznego przez elektron w danym ...

Education

JoVE Core

Electrical Engineering

Elektrotechnika

Unit 1

Jednostka 1

Basics of Semiconductors

Podstawy półprzewodników

KEY TERMS AND CONCEPTS

KLUCZOWE TERMINY I POJĘCIA

Fermi Level

fermi level in semiconductors

The Fermi level is a key energy level in semiconductors. It sits between the lower-energy valence band and the higher-energy conduction band. The Fermi-Dirac function, which follows an S-shaped curve, shows the chance that an energy state is filled by an electron at a given temperature.

At absolute zero, electrons occupy every energy state up to the Fermi level. States above it stay empty. As temperature rises, electrons gain energy and can move into vacant states above the Fermi level.

In an intrinsic semiconductor, the number of electrons equals the number of holes. A hole is the missing electron state left in the valence band. In this case, the Fermi level lies near the middle of the band gap. Adding impurities changes this balance and creates n-type or p-type semiconductors.

In an n-type semiconductor, extra electrons shift the Fermi level closer to the conduction band. In a p-type semiconductor, a higher number of holes moves the Fermi level closer to the valence band. Higher temperature also lets more electrons jump from the valence band to the conduction band, which nudges the Fermi level toward the conduction band and changes conductivity.

When materials with different Fermi levels touch, electrons flow from the region with the higher Fermi level to the region with the lower one. This movement continues until the Fermi levels align at the junction. The resulting equilibrium is important for many electronic components because it helps control electrical conductivity and device performance.

Fermi Level in Semiconductors

energy bands in solids

Valence and Conduction Bands in Silicon

Valence and conduction bands explain how electrons behave in solids. In isolated atoms, electrons occupy discrete energy levels that the Bohr model describes well. The hydrogen atom, for example, has specific electron energies labeled by the quantum number n, and higher n values give levels that are less negative and closer together. When atoms move close together in a solid, those discrete levels start to split. This happens because electron orbitals from neighboring atoms overlap. The Pauli...

semiconductors

Energy Bands in Metals and Insulators

Materials conduct electricity in different ways because their energy bands are arranged differently. Metals, semiconductors, and insulators can be compared with energy band diagrams. These diagrams show how easily electrons can move when an electric field is applied. Metals such as copper, zinc, and lead have low resistivity. Their conduction band is not fully occupied, or it overlaps with the valence band, so a band gap is essentially absent. Electrons in the highest valence energy levels can...

types of semiconductors

Intrinsic and Doped Semiconductors

Intrinsic semiconductors are very pure materials with no impurities. At absolute zero, they act as perfect insulators because the valence electrons are bound and the conduction band is empty. That means electrical conduction cannot occur under those conditions. The Fermi level helps describe the chance that an energy level is occupied by an electron at thermal equilibrium. In an intrinsic semiconductor, the Fermi level sits near the middle of the band gap at absolute zero. As temperature...

carrier generation and recombination

Semiconductor Charge Carriers: Creation and Loss

Carrier generation and recombination control how free charge carriers change inside a semiconductor. Carrier generation creates electron-hole pairs, or EHPs, when electrons move from the valence band into the conduction band and leave holes behind. Carrier recombination does the opposite and lowers the number of free carriers. In direct-bandgap semiconductors such as gallium arsenide, generation happens efficiently because energy absorption can move a valence electron straight to the...

carrier transport

Drift and Diffusion in Semiconductors

Drift and diffusion are the two main ways electric current forms in semiconductors. These charge-carrier motions help determine how semiconductor devices work and how well they perform. The carriers involved are electrons and holes. Drift current begins when an external electric field acts on charge carriers. Electrons and holes move between collisions with lattice atoms, and this motion creates drift velocity. For electrons, drift velocity depends on electron mobility and the electric field...

p-n junction

P-N Junction Depletion Region

A p-n junction forms when p-type and n-type semiconductor materials are joined together. At the boundary, holes from the p-side and electrons from the n-side diffuse into the opposite side because of the concentration gradient. This movement leaves a region with no free charge carriers near the junction, called the depletion region. The charge density in the depletion region can be described on the n-side and p-side using the donor and acceptor doping concentrations, ND and NA. The fixed...

biasing of p-n junction

P-N Junction Diode Under Bias

P-N junction diodes change behavior under equilibrium, forward bias, and reverse bias. In equilibrium, no external voltage is applied across the junction. Carriers diffuse at the boundary and leave behind charged dopants. Acceptors remain on the p-side, and donors remain on the n-side. These fixed charges form a depletion region and an electric field that blocks further diffusion. The band diagram at equilibrium shows the Fermi levels on both sides aligned. That alignment means the junction is...

metal-semiconductor junctions

Schottky and Ohmic Metal Contacts

Metal contacts with semiconductors can form either Schottky or Ohmic junctions. The result depends on the work function of the metal, the work function of the semiconductor, and how electrons move when the two materials touch. At equilibrium, the Fermi levels align, so charge shifts until both sides match in energy. Schottky barriers form when a metal with work function Φm contacts a semiconductor with a different work function Φs. If Φm is greater than Φs, the semiconductor Fermi level starts...

biasing of metal-semiconductor junctions

How Bias Changes Metal-Semiconductor Current

Biasing metal-semiconductor junctions means applying a voltage across the junction. The metal connects to the voltage source, and the semiconductor is grounded. This setup helps control the direction and size of current in devices such as diodes, transistors, and photovoltaic cells. In a Schottky junction with an n-type semiconductor, a positive voltage on the metal lowers its Fermi level. A Fermi level is the energy level that helps describe how electrons are distributed. Lowering this level...

fermi level

The Fermi level is a key energy level in semiconductors. It sits between the lower-energy valence band and the higher-energy conduction band. The Fermi-Dirac function, which follows an S-shaped curve, shows the chance that an energy state is filled by an electron at a given temperature. At absolute zero, electrons occupy every energy state up to the Fermi level. States above it stay empty. As temperature rises, electrons gain energy and can move into vacant states above the Fermi level. In an...

fermi level dynamics

Vacuum Level and Schottky Barriers

Vacuum level and Schottky barriers help explain how electrons move between materials. The vacuum level is the energy needed for an electron to escape a material surface. In a semiconductor, it usually sits above the conduction band and serves as a reference for comparing electron energy. Electron affinity is the energy gap between the conduction band minimum and the vacuum level. It shows how easily a semiconductor can accept extra electrons. The work function is the least energy needed to...

key terms and concepts

Learn how the Fermi level changes with temperature, doping, and semiconductor type, and how it affects electron flow, equilibrium, and conductivity.

Fermi Level in Semiconductors | JoVE K12

JoVE Core Electrical Engineering offers easy-to-understand animated videos that cover fundamental concepts of electric circuits along with circuit analysis techniques. It incorporates first-order and second-order circuits using operational amplifiers and circuit transformation concepts. The inclusion of practical design examples and real-world applications through scientist-in-action videos adds significant educational value, making complex concepts accessible.

electrical engineering

Fermi Level in Semiconductors

Description

Transcript

Tags