Name: how bias changes metal-semiconductor current
Uploaded: 2024-07-08T13:20:09.000Z
Duration: 1 min 27 s
Channel: JoVE

Смещение металлических и полупроводниковых переходов n-типа включает в себя подачу напряжения на металл во время заземления полупроводника. Результирующий ток является положительным, когда он течет от металла к полупроводнику.
Для переходов Шоттки подача положительного напряжения снижает уровень Ферми в металле, уменьшая барьер для электронов в полупроводнике и обеспечивая чистый поток электронов от полупроводника к металлу. Это приводит к быстрому увеличению прямого тока смещения.
И наоборот, отрицательное напряжение повышает уровень Ферми в металлах, блокируя поток электронов от полупроводника к металлу. Однако некоторые электроны преодолевают барьер перехода, что приводит к небольшому обратному току смещения.
Для омических переходов даже небольшое положительное напряжение вызывает большой ток прямого смещения из-за отсутствия какого-либо барьера. При обратном смещении существует небольшой барьер для потока электронов от металла к полупроводнику, который исчезает, если обратное смещение превышает несколько десятых вольта.
Для контактов, образованных металлом и полупроводниками p-типа, поведение обратное.
Смещение переходов металл-полупроводник позволяет контролировать протекание тока, что важно в таких устройствах, как диоды, транзисторы и фотоэлектрические элементы.

Смещение переходов металл-полупроводник

Смещение переходов металл-полупроводник предполагает приложение напряжения к переходу. В частности, металл подключается к источнику напряжения, а полупроводник заземляется. Этот метод необходим для управления направлением и величиной тока в электронных устройствах, включая диоды, транзисторы и фотоэлектрические элементы.
В переходах Шоттки, где полупроводник n-типа, приложение положительного напряжения к металлу относительно полупроводника снижает его уровень Ферми. Это снижает энергетический барьер, который необходимо преодолеть электронам в полупроводнике, чтобы проникнуть в металл. Это обеспечивает значительный поток электронов из полупроводника в металл, что приводит к быстрому увеличению тока, когда переход смещен в прямом направлении. При подаче отрицательного напряжения ситуация обратная. Уровень Ферми металла повышается, увеличивая барьер для потока электронов из полупроводника в металл. Несмотря на это, несколько электронов могут преодолеть барьер, генерируя небольшой ток обратного смещения.
Омические переходы ведут себя иначе. Из-за отсутствия значительного барьера даже небольшое положительное напряжение может индуцировать большой ток прямого смещения, обеспечивая незатрудненный поток электронов из полупроводника в металл. При обратном смещении существует минимальный барьер для потока электронов из металла в полупроводник, но этот барьер эффективно исчезает, если напряжение обратного смещения превышает несколько десятых доли вольта.
Динамика взаимодействия меняется с полупроводниками p-типа. Поведение, описанное для полупроводников n-типа как в переходах Шоттки, так и в омических переходах, обратное. Эта способность управлять потоком тока посредством смещения необходима для работы многих электронных компонентов, где она обеспечивает основу для функциональности широкого спектра устройств.

Смещение металлических и полупроводниковых переходов n-типа включает в себя подачу напряжения на металл во время заземления полупроводника. Результирующий ток положительный...

Education

JoVE Core

Electrical Engineering

Электротехника

Unit 1

Раздел 1

Basics of Semiconductors

Основы полупроводников

KEY TERMS AND CONCEPTS

ОСНОВНЫЕ ТЕРМИНЫ И ПОНЯТИЯ

Biasing of Metal-Semiconductor Junctions

how bias changes metal-semiconductor current

Biasing metal-semiconductor junctions means applying a voltage across the junction. The metal connects to the voltage source, and the semiconductor is grounded. This setup helps control the direction and size of current in devices such as diodes, transistors, and photovoltaic cells.

In a Schottky junction with an n-type semiconductor, a positive voltage on the metal lowers its Fermi level. A Fermi level is the energy level that helps describe how electrons are distributed. Lowering this level reduces the barrier electrons in the semiconductor must cross to move into the metal. As a result, many electrons flow from the semiconductor to the metal, and the current rises quickly in forward bias.

A negative voltage reverses this effect. The metal Fermi level rises, which increases the barrier for electrons moving from the semiconductor to the metal. A small reverse current can still appear because a few electrons are able to cross the barrier.

Ohmic junctions behave differently because they do not have a large barrier. Even a small positive voltage can produce a large forward current, so electrons move easily from the semiconductor to the metal. In reverse bias, there is only a small barrier for electrons moving from the metal to the semiconductor, and that barrier can disappear if the reverse voltage goes beyond a few tenths of a volt.

The behavior changes again with p-type semiconductors. In both Schottky and Ohmic junctions, the n-type behavior is reversed. This control over current flow is important for many electronic components and supports the function of a wide range of devices.

How Bias Changes Metal-Semiconductor Current

how-bias-changes-metal-semiconductor-current

energy bands in solids

Valence and Conduction Bands in Silicon

Valence and conduction bands explain how electrons behave in solids. In isolated atoms, electrons occupy discrete energy levels that the Bohr model describes well. The hydrogen atom, for example, has specific electron energies labeled by the quantum number n, and higher n values give levels that are less negative and closer together. When atoms move close together in a solid, those discrete levels start to split. This happens because electron orbitals from neighboring atoms overlap. The Pauli...

semiconductors

Energy Bands in Metals and Insulators

Materials conduct electricity in different ways because their energy bands are arranged differently. Metals, semiconductors, and insulators can be compared with energy band diagrams. These diagrams show how easily electrons can move when an electric field is applied. Metals such as copper, zinc, and lead have low resistivity. Their conduction band is not fully occupied, or it overlaps with the valence band, so a band gap is essentially absent. Electrons in the highest valence energy levels can...

types of semiconductors

Intrinsic and Doped Semiconductors

Intrinsic semiconductors are very pure materials with no impurities. At absolute zero, they act as perfect insulators because the valence electrons are bound and the conduction band is empty. That means electrical conduction cannot occur under those conditions. The Fermi level helps describe the chance that an energy level is occupied by an electron at thermal equilibrium. In an intrinsic semiconductor, the Fermi level sits near the middle of the band gap at absolute zero. As temperature...

carrier generation and recombination

Semiconductor Charge Carriers: Creation and Loss

Carrier generation and recombination control how free charge carriers change inside a semiconductor. Carrier generation creates electron-hole pairs, or EHPs, when electrons move from the valence band into the conduction band and leave holes behind. Carrier recombination does the opposite and lowers the number of free carriers. In direct-bandgap semiconductors such as gallium arsenide, generation happens efficiently because energy absorption can move a valence electron straight to the...

carrier transport

Drift and Diffusion in Semiconductors

Drift and diffusion are the two main ways electric current forms in semiconductors. These charge-carrier motions help determine how semiconductor devices work and how well they perform. The carriers involved are electrons and holes. Drift current begins when an external electric field acts on charge carriers. Electrons and holes move between collisions with lattice atoms, and this motion creates drift velocity. For electrons, drift velocity depends on electron mobility and the electric field...

p-n junction

P-N Junction Depletion Region

A p-n junction forms when p-type and n-type semiconductor materials are joined together. At the boundary, holes from the p-side and electrons from the n-side diffuse into the opposite side because of the concentration gradient. This movement leaves a region with no free charge carriers near the junction, called the depletion region. The charge density in the depletion region can be described on the n-side and p-side using the donor and acceptor doping concentrations, ND and NA. The fixed...

biasing of p-n junction

P-N Junction Diode Under Bias

P-N junction diodes change behavior under equilibrium, forward bias, and reverse bias. In equilibrium, no external voltage is applied across the junction. Carriers diffuse at the boundary and leave behind charged dopants. Acceptors remain on the p-side, and donors remain on the n-side. These fixed charges form a depletion region and an electric field that blocks further diffusion. The band diagram at equilibrium shows the Fermi levels on both sides aligned. That alignment means the junction is...

metal-semiconductor junctions

Schottky and Ohmic Metal Contacts

Metal contacts with semiconductors can form either Schottky or Ohmic junctions. The result depends on the work function of the metal, the work function of the semiconductor, and how electrons move when the two materials touch. At equilibrium, the Fermi levels align, so charge shifts until both sides match in energy. Schottky barriers form when a metal with work function Φm contacts a semiconductor with a different work function Φs. If Φm is greater than Φs, the semiconductor Fermi level starts...

biasing of metal-semiconductor junctions

Biasing metal-semiconductor junctions means applying a voltage across the junction. The metal connects to the voltage source, and the semiconductor is grounded. This setup helps control the direction and size of current in devices such as diodes, transistors, and photovoltaic cells. In a Schottky junction with an n-type semiconductor, a positive voltage on the metal lowers its Fermi level. A Fermi level is the energy level that helps describe how electrons are distributed. Lowering this level...

fermi level

Fermi Level in Semiconductors

The Fermi level is a key energy level in semiconductors. It sits between the lower-energy valence band and the higher-energy conduction band. The Fermi-Dirac function, which follows an S-shaped curve, shows the chance that an energy state is filled by an electron at a given temperature. At absolute zero, electrons occupy every energy state up to the Fermi level. States above it stay empty. As temperature rises, electrons gain energy and can move into vacant states above the Fermi level. In an...

fermi level dynamics

Vacuum Level and Schottky Barriers

Vacuum level and Schottky barriers help explain how electrons move between materials. The vacuum level is the energy needed for an electron to escape a material surface. In a semiconductor, it usually sits above the conduction band and serves as a reference for comparing electron energy. Electron affinity is the energy gap between the conduction band minimum and the vacuum level. It shows how easily a semiconductor can accept extra electrons. The work function is the least energy needed to...

key terms and concepts

Learn how biasing changes current in Schottky and Ohmic metal-semiconductor junctions, including n-type and p-type behavior in electronics.

How Bias Changes Metal-Semiconductor Current | JoVE K12

JoVE Core Electrical Engineering offers easy-to-understand animated videos that cover fundamental concepts of electric circuits along with circuit analysis techniques. It incorporates first-order and second-order circuits using operational amplifiers and circuit transformation concepts. The inclusion of practical design examples and real-world applications through scientist-in-action videos adds significant educational value, making complex concepts accessible.

electrical engineering

How Bias Changes Metal-Semiconductor Current

Description

Transcript

Tags