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Engineering

블루 위험이없는 촛불의 OLED

Published: March 19, 2017 doi: 10.3791/54644

Summary

우리는 눈 보호 멜라토닌 분비 청색 위험없이 촛불 유기 발광 다이오드 (OLED)의 제작을위한 프로토콜을 제시한다.

Introduction

요즘, LED 및 CFL 같은 광원이 풍부 부분적으로 에너지 절약 이유로, 실내 및 실외 조명에 사용됩니다. 그러나 이러한 빛은 푸른 위험을 야기 할 수있는 높은 경향을 보여, 파란색 발광이 풍부하다. LED 및 CFL 망막 세포를 1, 2, 3, 4에 돌이킬 수없는 손상을 초래 청색광이 풍부한 스펙트럼을 방출한다. 푸른 빛 또는 높은 CCT와 강렬한 백색광은 활동 일주기 5, 6, 수면 행동 7, 8을 방해 할 수 멜라토닌의 분비, oncostatic 호르몬을 억제한다. 멜라토닌의 일주기 리듬에 필수적인 호르몬은 뇌의 송과선 (9)에서 합성된다. 멜라토닌의 높은 수준은 24 시간 명암의 C 동안 어두운 기간 동안 관찰ycle 10. 그러나 밤에 집중적 인 빛의 합성을 억제하고 활동 일주기 (11)을 방해. 밤에 밝은 빛에 노출 과다로 인한 멜라토닌 억제 여성 12, 13, 14 유방암 위험 요인이 될 수있다. 이러한 위험 외에도, 푸른 빛은 야간 양서류의 활동을 중단하고 생태 보호를 위협 할 수 있습니다. 또한 박물관에서 LED 조명은 반 고흐와 세잔 (15), (16)에 의해 그려진 유화의 실제 색상을 변색되는 것을보고되었다.

따라서, 청색 발광 무료 및 낮은 CCT 촛불 같은 유기 LED (OLED)는 LED 및 CFL를위한 좋은 대용품이 될 수 있습니다. 양초 (1914 K) 조명뿐만 아니라, 고화질 (높은 연색성 지수 CRI) 발광 스펙트럼 청색 위험없이 낮은 CCT를 방출한다. 호Wever에게는 전기 구동 식 조명 장치의 대부분은 비교적 높은 CCT 강렬한 청색 광을 방출한다. 그것은 3000 또는 따뜻하거나 차가운 흰색 형광등 및 LED 조명에 대한 5000 K 예를 들어, 가장 낮은 CCT는 약 2300 K 백열 전구입니다. 지금까지, 청색 발광의 거의 무료 낮은 CCT의 OLED는 인간 친화적 인 조명을 위해 제작되었습니다. 2012 년 JOU의 그룹은 1773 K의 CCT 17 W 11.9 작품의 전력 효율 /과 생리 학적으로 친절, 건조 처리, 단일 방출 층의 OLED를보고했다. 전력 효율이보기의 에너지 절감 관점에서 허용되지 동안 장치는 백열 전구 (2300 K)에 비하여 훨씬 낮은 CCT을 나타냈다. 그들은 캐리어 변조 층 (18)과 함께 더블 방출 층을 사용하여 OLED 다른 건조 처리 된 촛불 스타일을보고했다. 그것은 1970 K의 낮은 CCT 24 LM / W의 전력 효율을 나타내었다. 나중에, 건조 처리 OLED는 O를로 구성캐리어 변조 층과 함께 세 f를 방출 층 (19)이보고되었다. 전력 효율은 21에서 2014 년 1,900 K.에 2,500 K에서 원거리 CCT, 후 등으로 W하고 다양한 3 작품 /이었다. 54.6 LM / W와 1910 K (20)의 낮은 CCT의 높은 전력 효율을 보여 주었다 층간에 의해 분리 된 이중 방출 층과 건조 처리 된 하이브리드 OLED를보고했다. 최근 JOU의 그룹은 이중 방출 층 (21)을 이용하여 고효율 촛불 스타일의 OLED를 제작했다. 그것은 85.4 필름의 높은 전력 효율을 나타내 / 지금까지 모든 노력이 건조 공정 및 복잡한 장치 구조 (17), (18)을 이용하여 고효율, 낮은 CCT 촛불 스타일 OLED 장치를 개발하기위한 노력이 이루어지고있다 2279 K.의 CCT와 W, 19, 20, 2122. 동시에 낮은 CCT 높은 전력 효율 및 높은 광 품질을 갖는 반면, 습식 공정과 타당성 촛불 OLED를 고안하는 것이 과제이다. 어떤 연구는 블루 광에 대해 소정의 광원의 발광 스펙트럼 감도를 설명하기 위해 개발되지 않았다. 야간 조명 품질은 멜라토닌 분비 억제를 최소화 / 개선 결정할 수있다.

억제의 양을 계산 일부보고 모델이 있습니다. 우선, Brainard 외. 23 Thapan 등의 알. 24 단색광을 사용하여 분광 감도를보고 하였다. 나중에, 멜라토닌 억제에 색광의 효과 (26) (25)에 설명되었다. 시판되는 조명기구 또는 새로운 광원의 대부분은 다색 및 스팬 때문에 후자는,이 연구에서 채택된다전체 가시 범위 (즉, 진한 빨간색에서 보라색까지).

이 작품에서 우리는 건식 및 습식 공정을 통해 블루 위험이없는 촛불 OLED의 제조를 위해 포괄적 인 프로토콜을 제시한다. 두 프로세스 모두에서, 상기 장치 구조는 캐리어 변조 층없이 단일 발광층을 사용함으로써 단순화된다. 제작 된 OLED의 발광 (EL) 스펙트럼은 망막 노출 한계과 멜라토닌 분비 억제의 수준에 대한 분석된다. 망막의 발광 최대 노출 한도는 International Electrotechnical Commission : 국제 전기 표준 회의 (IEC) 표준 62471 (27), (28)에 의해보고 된 이론적 인 형태를 사용하여 계산된다. 최대 노출 한도 "t"를 각각 가정 및 사무실 조명하기에 충분한 100, 500 룩스의 밝기를, 각 OLED의 발광 스펙트럼을 사용하여 산출된다. 관련된 모든 계산 인트추신 순차적 프로토콜 섹션에서 제공됩니다. 또한, 멜라토닌 억제 민감도 조명의 효과는 멜라토닌 억제 (29)의 작용 스펙트럼의 방정식에 따라 계산된다. 계산은 프로토콜 절에 나와있는 단계에 따라 수행된다. 최대 노출 한도 "t"와 CCT에 대한 멜라토닌 억제 민감도 (%)의 계산 된 값은 표 3에 나타내었다.

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Protocol

주 : 사용 된 모든 재료는, 비 발암 성 비 - 가연성, 비 - 독성이다.

블루 위험이없는 촛불의 OLED 1. 제작

  1. 건조 과정
    1. 기판이 125 nm의 산화 인듐 주석 (ITO) 애노드 층으로 코팅로서 유리 슬라이드를 타고. 비누 용액 200 ㎖ (액체 세제를 50 mL의 탈 이온수 150 ㎖)로 기판을 세척한다. 기판을 탈 이온수로 헹군다. 질소 제트 스프레이와 기판을 건조시킵니다.
    2. 유리 슬라이드 홀더에 기판을 넣어 비이커에 아세톤 용액 슬라이드 홀더를 담근다. 초음파 욕조에 비커를 넣습니다. 10 분 동안 50 ℃에서 초음파 처리 기판.
    3. 비이커 이소프로판올 용액에 기판과 슬라이드 홀더를 전송하고 다시 10 분 동안 60 ℃에서 초음파 처리.
    4. 비커에서 기판을 꺼내 건조 10 분 동안 UV / 오존 슬롯에 넣어. 완전히 표면을 청소합니다.
    5. vacuu 휴식높은 진공 밸브를 폐쇄하여 챔버에 질소 가스 밸브를 개방함으로써 상기 열 증발기 실 m.
    6. 회전 기판 홀더에 챔버의 세정 기판을로드합니다. 증착되는 각 층을, 부하 각각에 필요한 유기 물질 100 ㎎, 3의 리튬 플루오 라이드 (LiF)와 mg의 및 상기 챔버 내부의 도가니에 224 mg을 알루미늄 (Al) 잉곳.
    7. 챔버의 문을 닫고 5 × 10 -6 Torr의 고진공 기다립니다. 고진공 챔버 내부에 도달하면, ITO로 기판 상에 유기층의 성막을 시작한다.
      1. 0.8-1 Å / s의 증착 속도로 5 nm의 정공 주입 층을 증착.
      2. 1.5 Å / s의 증착 속도로 25 nm의 수송층을 증착.
      3. 1.5 Å / s의 증착 속도로 30 nm의 발광층 (8 중량. % 녹색 염료 및 특정 호스트의 20 mg의 도핑 0.85 중량. % 깊은 붉은 색소) 증착.
      4. 30 N을 증착1.5 Å / s의 증착 속도 m 전자 수송층.
      5. 1.5 Å / s의 증착 속도로, 전자 주입 재료와 전자 수송 공동 증발을 20 nm의 층을 증착.
      6. 0.3-0.4 Å / s의 증착 속도에서의 LiF를 1 nm의 전자 주입 층을 증착.
      7. 10-15 Å / s의 증착 속도로 Al을 100 nm의 음극 층을 증착.
    8. 현재 컨트롤러의 전원을 끄고 높은 진공 하에서 10 분을 기다립니다. 높은 진공을 깰 챔버에 질소 가스 밸브를 높은 진공 밸브를 닫고 엽니 다.
    9. 대기 챔버로부터 제조 된 OLED 장치를 이동 한 다음, 질소 분위기하에 밀봉 기계를 글로브 박스에 옮긴다.
    10. 접착제를 사용하여 유리로 이루어진 상부 커버와 함께 제조 된 OLED 장치를 캡슐화 한 다음 110 초 동안 UV 방사선 박스 장치를 바꾸어 접착제를 건조.
    11. 에서 캡슐화 된 OLED 장치를 꺼내기글러브 박스가 측정 암실로 전송하고.
  2. 습식
    1. 단계 1.1.4에 1.1.2에서 상기 청소 절차를 사용하여 ITO 코팅 된 기판을 청소합니다.
    2. 정공 주입 층을 증착하도록 PSS (4 ℃에서 보관) PEDOT 수용액 가라. 0.45 ㎛의 세공 크기를 갖는 나일론 직물로 이루어진 25 mm 직경의 필터를 사용하여 바이알에있는 용액을 필터.
    3. 1000 μL : 바이알에 3,6- 비스 (4- 비닐 페닐) -9- 에틸 카바 졸 (VPEC) 30 ㎎을 3의 비율로, 클로로 벤젠 용매에 용해의 정공 수송층 용액을 제조 하였다. 초음파 욕에서 30 분 동안 상기 용액을 초음파 처리하고, 0.45 ㎛의 공극 크기를 갖는 나일론 직물로 이루어진 15 mm 직경의 필터로 유리 병에 초음파 처리 된 용액을 필터.
    4. 발광층 용 용액을 제조 하였다.
      1. 지정된 호스트 물질의 5 밀리그램을 가지고 그것을 내가 용해1000 μL 10 밀리그램의 비율 N의 테트라 히드로 푸란 (THF). 30 분 동안 50 ° C에서 호스트 용액을 초음파 처리.
      2. 필요한 게스트 재료 각각 1 mg의 취하여 하나의 Mg 비율 THF 그들을 용해 : 1000 μL. 30 분 동안 50 ° C에서 게스트 용액을 초음파 처리.
      3. 0.45 ㎛의 세공 크기를 갖는 나일론 직물로 이루어진 직경 15mm의 필터 튜브 별도로 각 용액 필터.
      4. 발광층을위한 도핑 주어진 중량 % (황색 염료 3 중량. %, 오렌지 색소 6 중량. %, 및 녹색 염료의 12.5 중량. %)에있어서 호스트 용액에 게스트 용액을 혼합한다.
    5. 사전 세척 기판과 함께 PSS, VPEC 및 발광층 솔루션과 글러브 박스로 피펫 다음 PEDOT의 튜브를 전송합니다.
    6. 정공 주입 층, 정공 수송층 및 발광층 : 질소 분위기하에 다음 순서로 ITO 기판 상에 층을 도포 시작.
      1. 20 초 동안 PSS 분 (RPM) 4,000 rpm의 속도 : 스핀 코팅 PEDOT의 750 μL 용액에 의해 35 nm의 정공 주입 층을 증착.
      2. 40 분 잔류 용매를 제거하기 위해 120 ° C에서 PSS 층 다음 PEDOT을 건조.
      3. 스핀 코팅 20 초 동안 3000 rpm에서 VPEC의 400 μL 용액에 의해 10 nm의 정공 수송층을 증착.
      4. 120 ° C에서 레이어 구워 20 분 잔류 용매를 제거하기 위해.
      5. 발광층 (30)을 증착하기 전에 발생할 때까지 가교 반응을 40 분 동안 230 ° C의 층을 가열한다.
      6. 스핀 코팅을 20 분 동안 2,500 rpm에서 400 μL 용액에 의해 20 nm의 발광층을 증착.
    7. 대기 글러브 박스에서 스핀 - 코팅 된 기판을 꺼내고 층의 추가 증착, 열 증발 챔버로 옮긴다. 높은 진공 밸브를 폐쇄함으로써 상기 열 증발기 실의 진공을 중단하고 질소 밸브를 개방챔버에 가스.
    8. 회전 기판 홀더의 챔버에서 기판을로드합니다. TPBI의 45 ㎎, LiF를 3 ㎎, 및 입금됩니다 층의 챔버 내부의 도가니로 224 mg을 알 덩어리를 넣습니다. 다음 시퀀스의 발광층을 가진 기판 상에 층을 증착.
      1. 1.5 Å / s의 증착 속도로 TPBI 32 nm의 전자 수송층을 증착.
      2. 0.3-0.4 Å / s의 증착 속도는 LiF를 1 nm의 전자 주입 층을 증착.
      3. 10-15 Å / s의 증착 속도로 Al을 100 nm의 음극 층을 증착.
    9. 현재 컨트롤러의 전원을 끄고 고 진공 하에서 10 분을 기다립니다. 캡슐화 된 OLED 장치를 완료하는 단계 1.1.11에 1.1.8에서 상기 절차를 따르십시오.
  3. 망막-허용 노출 한계 "t"의 계산 :
    1. 또한 SP를 사용하여 조명 장치의 EL 스펙트럼을 측정ectroradiometer. 생성 된 EL 스펙트럼은도 1a에 도시된다.
    2. CCT의 EL 스펙트럼 데이터 (대 파장 세기)을 측정한다.
    3. 분광 복사 휘도 E의 λ (파장 대 정규화 된 강도)로 EL 스펙트럼 데이터를 변환합니다. 도 1b에 도시 된 형식으로 스펙트럼을 변경합니다.
    4. 광원으로부터 망막 유해성을 측정 청색광 가중 함수의 스펙트럼 데이터를 사용하여 (28) (즉, 파장에 대한 청색광 위험 함수 B (λ)을 그리는). 결과 플롯은 그림 1C에 표시됩니다.
    5. 각각의 파장에 대응하는 스펙트럼 래디언스 E를 λ 및 청색 위험 함수 B (λ)를 이용하여 소정의 광원의 발광 (E B)의 값을 계산한다.
    6. 다음 식에 언급 된 플롯에서 E λ와 B (λ)의 값을 입력 :
    7. W 분에 E B의 수치 값을 가져옵니다 -2.
    8. 최대 허용 노출 제한 망막 "t"화학식 E B의 값을 입력 :
      식 (2) ..... (2)
    9. 주어진 광원 CCT에 대하여 노광 한계 "t"를 획득.
  4. 멜라토닌 억제 감도 계산 :
    1. 분광을 이용하여 소정의 조명 장치의 EL 스펙트럼을 측정한다. 결과 스펙트럼은 그림 2a에 표시됩니다.
    2. 프로그램 데이터 (29)에서, 양자 당 멜라토닌 억제 전력, S PQ를 가져옵니다. 다음과 같이 주어진 단색광 λ 들어, S의 PQ 표현 :
      S PQ (λ) = 10 (λr-λ) / C ............. (삼)
      파장에 대한 PQ S (λ)의 값은 표 1에 제시하고, 각 그래프는도 2b에 도시된다.
    3. 그것을 실제적인 의미를 부여하기 위해, 럭스 당 멜라토닌 억제 전력, S LC (λ)로 S PQ (λ)를 변환하는 포토 픽 광도 함수 V (λ)를 사용합니다. 파장에 대해 V (λ)의 값은 표 2에 제시하고, 각 그래프는도 2c에 도시된다.
    4. 다색 빛의 상관 관계 멜라토닌 억제 전력을 표현, S의 LC (λ), 다음과 같이 : 29
      S의 LC (λ) = ∫λS PQ (λ) S I (λ) dλ / ∫ V (λ) S I (λ) dλ ............... .. (4)
    5. (A)의 EL 스펙트럼의 강도 I S (λ)의 값을 넣어상기 화학식에서 파장에 대한 PQ S (λ) 및 V (λ)의 값과 함께, 광원을 소정 다음과 같이 S의 LC (λ)를 계산한다 :
      S의 LC (λ) =
      식 (3)
    6. 룩스에서 S의 LC (λ)의 수치 -1 위의 계산에서 검색. 예를 들어, 1940 K의 CCT로 지정된 촛불 OLED의 EL 스펙트럼에서 I S (λ)을 바꾸어, 멜라토닌 억제 능력은 :
      S의 LC (λ)는 90 룩스 = -1
    7. 주어진 광원의 상대 멜라토닌 억제 민감도를 계산하는 참조광을 선택. 참조광 460 또는 480 nm의 파장 일 수있다. 여기, 우리는 참조 광으로 480 nm의 청색광을 선택합니다.
    8. 전술 한 수식을 이용하여, 기준 청색 광 (480 ㎚)에 대한 S의 LC (λ)를 계산한다.
      LC (480 나노 미터)는 3445 LX = -1
    9. S 개의 LC (480 나노 미터)에 의해 주어진 광원의 S LC (λ)를 분할하고 기준 푸른 빛에 주어진 빛 상대의 멜라토닌 억제 감도 비율 (%)을 얻기 위해 100 몫을 곱합니다.
      상대 멜라토닌 억제 민감도 = 식 (4) × 100 % ......... ... (5)
      참고 : 예를 들어, 상대 멜라토닌 억제 감도 = 식 (5) 100 % = 2.61 %를 ×. 따라서, 주어진 촛불 OLED는 480 나노 푸른 빛의에 대해 2.61 %의 멜라토닌 억제 감도를 보여줍니다.

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Representative Results

얻어진 촛불 OLED의 전류 - 전압 - 휘도 특성은 백 휘도 계와 함께 전위계를 사용하여 측정된다. 발광 영역은 결과 건조 처리 장치의 모든 9mm 2를하고 습식 처리 장치에 대해 25mm 2이다. 여기서는 양극으로서 15 Ω / 스퀘어의 시트 저항을 갖는 125 nm의 ITO 코팅 된 유리 기판을 사용했다. 그것은 투명성보다 84 % (표 4)이있다. AL의 캐소드로 이루어진 모든 OLED 소자는 순방향으로 휘도를 측정한다. 전계 발광 스펙트럼 및 국제위원회 드 난 Eclairge (CIE) 색 좌표는 분광 (31)를 사용하여 얻어진다. 생성 된 EL 스펙트럼은 망막 노출 한계 "t"및 멜라토닌 억제 전력을 계산하는데 사용된다. 모든 연산 단계가 순차적으로 프로토콜 절에 주어져있다.

ontent. "fo를하면 : 킵 together.within 페이지를 ="1 "> 허용 망막 노광이 인간의 눈에 관한 상기 소정의 광원의 발광으로부터 계산된다 청색광의 최대 노출 시간은 동일 할 수도 또는 100 미만의 인간의 눈은 방사선 E (B)의 광원에 관한 경우 = 1 WM -2. 광채가 1 WM -2 경우, 노광 한계 (100)의 27. 계산 된 최대 노출 한도를 초과 " t는 "네 위험 그룹 중 하나 (로 지정된 광원을 분류하는 데 사용할 수있는 즉, 위험 그룹 0 (RG0), 위험 그룹 1 (RG1), 위험 그룹 2 (RG2) 및 위험 그룹 3 (RG 3) "t"는 1 만 내지 100의 사이 이상 10,000 S, 100 내지 0.25 초 또는 0.25 미만들) 각각의 경우.도 3a 및도 3b는 망막 노광 100 LX 500 룩스에서 CCT의 효과를 나타낸다 건조하고 w를 통해 만든 블루 위험이없는 촛불의 OLED 제한등의 과정. 일반적으로 허용 노출 한계는 감소 CCT으로 증가 할 것입니다. 가장 중요한 것은,인가 된 조도는 망막 최대 허용 노출 한계에 매우 깊은 영향을 미친다. 100 LX 500에서인가 된 휘도를 감소시킴으로써 전체 노출 한도는 달리 RG1 존 내에 위치 될 대부분의 RG0 영역으로 이동한다. 도 3a에 도시 된 바와 같이, 1922 K 이하, 특히, RG0 그들의 노출 한계를 쉬프트 CCT을 나타내고 그 조명 장치. 예를 들어, 망막 1864 K (장치 2-I)에서 2100 K (디바이스 1-II), 및 6284 s로, 2700 K (디바이스 1-I)에서 1226들 1020 S 견딜 수 500 룩스에서 방사선 촬영 . 즉, 1864 K 빛은 각각 2100 K와 2700 K, 빛 5 6.2 배 안전합니다. 도 3b에 도시 된 바와 같이, 모든 연구 된 OLED 장치 (500)에서 LX 위험 그룹 RG1 노광 한계를 나타낸다. 100 룩스로 조명을 줄임으로써 노출 한도가 나는 것전체 CCT 이상 5 배 ncrease 연구. 즉, 500 LX 대신 100 룩스의 조도를 채택 5 배 더 안전 할 것이다. LX 100에서,도 3a에 도시 된 바와 같이, 장치 (2, 2, 3)는 RG0 분류와 노광 한계를 보여 1922 K로 1864 K에서 CCT로. 이 노출 시간은 10 S 초과로 RG0 분류 어떠한 장치 망막 여전히 유해하다는 것을 알아야한다. 그러므로, 저 CCT OLED 망막 손상이 발생할 수있는 이상으로 허용 노출 제한 시간을 나타낸다.

멜라토닌 억제 민감도 촛불 OLED 럭스 당 멜라토닌 억제 능력 및 광도 함수의 EL 스펙트럼을 사용하여 산출된다. 다양한 파장에서 양자 당 멜라토닌 억제 전력 S PQ는 표 1에 주어진다. 광자 당 억제 전력은 그 광도 능을 사용하여 당 룩스로 변환되고n 개의 V (λ). 상이한 파장의 빛의 평균 강도는 표 2에 나타내었다. 480 nm 인 기준 청색광 촛불 OLED의 상대 멜라토닌 억제 민감도를 계산하는데 사용된다. 프로토콜을 사용하여 수행되는 전체 계산 1.4.9 1.4.1 단계.

도 4에 도시 된 바와 같이, 모든 제조 블루 위험없이 촛불 OLED 장치는 4 % 이하의 멜라토닌 억제의 민감도를 나타낸다. 장치 (1) - 내가 2700 K의 CCT와는 3.19 %로 멜라토닌의 분비를 억제, 2,100 K의 CCT와 장치 (1)-II는 2.74 %로 억제 및 장치 1-III 1940 K의 CCT와 2.61로 억제 %. 즉, 장치 (1) III-1-I 및 II-1은 각각 디바이스에 비해 18 %와 14 % 이하 멜라토닌 분비를 억제한다. 또한, 1922 K의 CCT과 디바이스 2의 Ⅲ는 모든보고 된 OLED 장치간에 최소 멜라토닌 억제 민감도, 1.05 %를 나타낸다. 따라서,장치 2-III는 장치보다 67 % 더 1-I (2700 K). 또한, 따뜻한 백색 LED (CCT : 2632 K, 멜라토닌 억제 감도 : 8 %) 차가운 흰색 CFL (CCT : 5921 K, 멜라토닌 억제 감도 : 29 %) 6백62퍼센트과 멜라토닌의 분비보다 더 위험 2천6백62퍼센트 있습니다 유기 발광 소자 (2)의 Ⅲ 상대. 그러므로, 멜라토닌 분비에 매우 낮은 억제 효과를 나타낼 크게 멜라토닌 분비를 방해하지 않고 밤에 사용할 수있는 청색 위험없이 촛불의 OLED.

또한, 광 품질은 조명 원의 한 중요한 파라미터이다. 색 렌더링 지수 (CRI)가 한번 소정의 광원의 광 품질을 정량화하기 가장 신뢰성 메트릭으로 간주 하였다. 그러나 일부 단점은 CRI 값에서 발견된다. 그것을 바탕으로 개선하기 위해 새로운 빛 품질 지수는, 스펙트럼 유사성 지수 (SRI)가,보고됩니다. 그것은 주어진 빛의 사이의 비율 유사성으로 정의된다ource 동일한 CCT (32, 33)에 기초하여 대응하는 흑체 방사. 양질의 광을 생성하기 위하여 높은 SRI와 낮은 CCT 청색 발광이없는 조명 장치가 필요하다. 그럼에도 불구하고, 사용 가능한 조명 장치는 이러한 자질을 입증하지 않습니다. 여기에, 1922 K와 1940 K의 CCT 값으로 예를 들어 2700 K.에 1864 K에서 낮은 CCT 75에서 84까지보고 된 블루 위험이없는 촛불 OLED 장치 전시 SRI, 유기 발광 다이오드 (OLED) 장치는 SRI 값을 표시 76, 81은 각각 (표 3)의. 촛불과 파란색 위험이없는 촛불 OLED의 방출 된 빛은 그림 5에 표시됩니다.

에너지 절약의 관점에서, 촛불 에너지 낭비 (0.1 ~ 0.3의 LM /의 W)로 간주됩니다. 보고 된 블루 위험이없는 촛불 OLED를 두 번 백열 전구 3의를 30 LM / W의 전력 효율을 나타낸다 00 시간 촛불의. 각 단말기의 성능은 표 3에 주어져있다. 또한,이 촛불 OLED는 물리적으로 멋진하지만 감각으로 따뜻한 빛을 제공합니다. 이는 에너지 절약, 비 돌출 한 플리커 눈부심 및 UV 방사선으로부터 자유 롭다. 블루 - 위험이없는 촛불 OLED 대신 촛불이나 다른 현재 흰색 조명의 사용이 안전합니다.

그림 1
도 1 (a) 주어진 촛불 OLED 샘플 EL 스펙트럼을, (b)는 청색 광의 위험의 파장 및 동작 주파수에 대하여 제작 촛불 소스의 EL 스펙트럼, 및 (c) 청색광 위험 함수를 규격화 눈 (28)에서 결정 렌즈 (ICNIRP 2013로부터 재생)."빈>이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭하십시오.

그림 2
도 2 (a) 제조 된 촛불 OLED 샘플 EL 스펙트럼, (b) 멜라토닌 억제 양자 당 전력 S PQ, 대 파장 (29),(c) 휘도 함수 V (λ) (파장 대 상이한 조명 정규화 강도 ). 이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭하십시오.

그림 3
그림 3 :의 망막 최대 허용 노출 한계에 블루 위험이없는 촛불 OLED의 CCT의 효과 (A (b) 500 LX. 높은 밝기, 심지어 낮은 CCT의 OLED는 망막에 위협을 초래할 수 있습니다. 이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭하십시오.

그림 4
그림 4 : 블루 위험이없는 촛불 OLED의 멜라토닌 억제 감도 (%)에 CCT의 효과, 건식 및 습식 공정하고 따뜻한 백색 LED를 통해했다. 블루 - 위험이없는 촛불 OLED는 멜라토닌의 분비에 매우 낮은 억제 효과를 나타낸다. 이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭하십시오.

그림 5
Figur전자 5 : 무지개와 촛불 (왼쪽)에 의해 조명 흰색 색상 10 룩스 (34)에 블루 위험이없는 촛불 OLED (오른쪽)와 클라우드 논문의 사진. 이 그림의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭하십시오.

<TD> 3.02E-04
파장 (㎚) S PQ 파장 (㎚) S PQ 파장 (㎚) S PQ 파장 (㎚) S PQ
(380) 21.54435 484 0.88444 588 0.03631 692 0.00149
384 19.05461 4(88) 0.78223 592 0.03211 696 0.00132
388 16.85259 (492) 0.69183 596 0.0284 (700) 0.00117
392 14.90505 496 0.61188 (600) 0.02512 (704) 0.00103
396 13.18257 (500) 0.54117 (604) 0.02222 (708) 9.12E-04
(400) 11.65914 (504) 0.47863 (608) 0.01965 (712) 8.07E-04
(404) 10.31177 (508) 0.42332 (612) 0.01738 (716) 7.13E-04
(408) 9.12011 512 0.3744 (616) 0.01537 (720) 6.31E-04
(412) 8.06616 (516) 0.33113 (620) 0.01359 (724) 5.58E-04
(416) 7.134 (520) 0.29286 (624) 0.01202 (728) 4.94E-04
(420) 6.30957 (524) 0.25902 (628) 0.01063 (732) 4.37E-04
(424) 5.58042 (528) 0.22909 (632) 0.0094 (736) 3.86E-04
(428) 4.93552 (532) 0.20261 636 0.00832 (740) 3.41E-04
(432) 4.36516 (536) 0.1792 (640) 0.00736 744
(436) 3.86071 (540) 0.15849 644 0.00651 748 2.67E-04
(440) 3.41455 (544) 0.14017 648 0.00575 (752) 2.36E-04
(444) 3.01995 548 0.12397 (652) 0.00509 756 2.09E-04
(448) 2.67096 (552) 0.10965 (656) 0.0045 (760) 1.85E-04
(452) 2.36229 556 0.09698 (660) 0.00398 (764) 1.63E-04
(456) 2.0893 (560) 0.08577 664 0.00352 768 1.45E-04
(460) 1.84785 (564) 0.07586 668 0.00311 772 1.28E-04
(464) 1.63431 568 0.06709 672 0.00275 776 1.13E-04
468 1.44544 (572) 0.05934 676 0.00244 780 1.00E-04
472 1.2784 576 0.05248 680 0.00215
476 1.13066 (580) 0.04642 684 0.00191
480 1 584 0.04105 688 0.00169

1 번 테이블: (29) 당 억제 전력 대 강도, S PQ.

<TD> 0.70784
파장 (㎚) 강렬 파장 (㎚) 강렬 파장 (㎚) 강렬 파장 (㎚) 강렬
(380) 4.00E-05 484 0.16366 588 0.78061 692 0.00714
384 5.83E-05 488 0.19197 592 0.73206 696 0.00544
388 9.15E-05 (492) 0.22777 596 0.68174 (700) 0.00414
392 1.58E-04 496 0.27123 (600) 0.63095 (704) 0.00315
396 2.51E-04 (500) 0.32467 (604) 0.57982 (708) 0.00242
(400) 4.03E-04 (504) 0.39087 (608) 0.52858 (712) 0.00184
(404) 6.33E-04 (508) 0.46488 (612) 0.47824 (716) 0.0014
(408) 9.45E-04 512 0.54392 (616) 0.4292 (720) 0.00106
(412) 0.00159 (516) 0.6281 (620) 0.38107 (724) 7.97E-04
(416) 0.00253 (520) (624) 0.33365 (728) 6.05E-04
(420) 0.00405 (524) 0.77659 (628) 0.28762 (732) 4.50E-04
(424) 0.00656 (528) 0.83515 (632) 0.24551 (736) 3.38E-04
(428) 0.00979 (532) 0.88379 636 0.2086 (740) 2.51E-04
(432) 0.01361 (536) 0.92268 (640) 0.17539 744 1.87E-04
(436) 0.01803 (540) 0.95299 644 0.14556 748 1.40E-04
(440) 0.02303 (544) 0.97501 648 0.11924 (752) 1.04E-04
(444) 0.0285 548 0.98946 (652) 0.09655 756 7.94E-05
(448) 0.03461 (552) 0.99751 (656) 0.07745 (760) 6.02E-05
(452) 0.0419 556 0.99921 (660) 0.0613 (764) 4.55E-05
(456) 0.05033 (560) 0.99408 664 0.04778 768 3.47E-05
(460) 0.06012 (564) 0.9819 668 0.03686 772 2.59E-05
(464) 0.07118 568 0.96302 672 0.02833 776 1.96E-05
468 0.08388 (572) 0.9377 676 0.02212 780 1.50E-05
472 0.09942 576 0.9062 680 0.0171
476 0.11778 (580) 0.86915 684 0.0129
480 0.13932 584 0.82678 688 0.00963

표 2 : 가시 범위에서 다른 빛의 강도.

표 3
표 3 :. 동작 전압 (OV), 전력 효율 (PE), CCT, 빛 품질의pectrum 유사 지수 (SRI), 노출 한도 "t", 멜라토닌 억제 감도 (%)과 건식 및 습식 공정을 통해 만든 공부 블루 위험이없는 촛불 OLED 소자의 최대 휘도. 이 테이블의 더 큰 버전을 보려면 여기를 클릭하십시오.

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Discussion

OLED 소자의 제조에있어서 가장 중요한 단계는 1) 유리 기판을 세정, 2) 적당한 용매를 선택, 3) 용해 유기 재료, 4)에 균일하게 습윤 과정에서 스핀 코팅을 통해 필름 5를 형성 ) 열 증착시 증착 속도 유기층의 두께를 제어한다. 우선, ITO 애노드 코팅 된 기판을 세정하는 높은 효율을 달성하기위한 중요한 공정이다. 유리 기판은 기름기 반점 또는 층을 제거하기 위해 비누 용액으로 세정한다. 그리고, 양극 층의 먼지 입자 박멸 울트라 초음파 이소프로판올,이어서 아세톤이다. UV / 오존 처리는 ITO상의 층을 증착하기 전에 기판에 주어진다. UV / 오존 처리 기판을 건조 할뿐만 아니라 표면의 산소를 증가시키고, 따라서, ITO (35)의 일 함수를 향상시킨다. 그것은 더 정공 수송을 용이하게하기 위해, 정공 주입 장벽을 감소시킬 수있다.

jove_content ">이어서, 유기 층을 별도의 두 가지 방법, 즉, 건식 처리 및 습식 처리에 의해 ITO 애노드에 증착된다. 건식법으로 제조 촛불 OLED의 경우, 모든 유기 분자가 고 진공 하에서 증발하고 순차 퇴적 ITO 층.이 과정에서, 온도를 단계적으로 서서히 증가하고, 유기 물질은 소정 온도에서 증착된다.이 박막의 불균일을 방지하고 정확한 층 두께를 허용한다. 건조 처리 촛불 OLED 디바이스는 초이다 -clean 및 비방 출성 스폿 무료. 그럼에도 불구하고, 이러한 과정으로 인해 유기 재료의 큰 소비 대 면적 박막의 제조로 제한하고 비용 효과적이다. 한편, 습식 공정은 스핀 코팅을 포함 OLED 소자 (36)의 작성을위한 잉크젯 프린팅, 고분자 유기 재료, 경제적, 대화면의 스크린 인쇄 및 대량 생산 과정 - 38.

습식 처리 촛불 OLED의 정공 주입, 정공 수송 및 발광 층 들어 스핀 코팅 지정된 RPM 및 기간에있다. 또한 연속 생산을 허용하는 빠른 증착 기술이다. 웨트 프로세스의 주요 과제는 용매의 선택 및 후속 코팅 유기층 원하지 않는 혼합을 방지한다. 일부 유기 물질은 (는) 극성 불일치로 제대로 유기 용매에 용해되지 않습니다. 유기 용제는 40, 형태 및 조성 결함 (39)의 결과로, 프리 캐스트 유기 층을 용해. 정공 수송층을 도포하기 전에 더욱 친수성 표면을 만들기 위해 PSS : 이러한 문제를 방지하기 위해 전도성 고분자 PEDOT의 정공 주입 층을 소성. 그 후, VPEC의 정공 수송층의 스핀 - 코팅하고, 다시 20 분 동안 120 ℃에서 소성이 열을 만드는 것이다테이블 및 잔류 용매의 존재를 피하기 위해. 또한, VPEC 층 (30), 정공 수송층 가교 230 ° C로 가열된다. 따라서, 상기 발광층은 형태 적 결함을 회피하기 위해, 정공 수송층 상에 스핀 코팅된다. 전자 수송층 및 음극 층은 고진공하에 열 증착을 통해 증착된다.

이전보고 촛불 스타일의 OLED 장치는 건조 공정 (18), (21)에 의해 제작되었다. 이러한 장치는 이중 방출 층과 같은 복잡한 구조 및 추가적인 캐리어 변조 층 (18), (21, 22)로 구성되었다. 본 연구에서 우리는 OLED 장치의 구조를 수정 한 단일 발광층을 사용함으로써 복잡함을 회피. 보고 된 블루 위험이없는 촛불의 OLED도없이 제작된다어떤 청색 또는 하늘색 이미 터를 사용하여. OLED 소자의 EL 스펙트럼은 임의로 형성 될 수있다. 건식 및 습식 처리 OLED 장치 CCT 낮은 값으로 다른 형상의 발광 스펙트럼을 나타내었다. 이러한 스펙트럼은 최대 노출 한도 멜라토닌 억제 민감도 (표 3)의 관점에서 서로 다른 효과를 보여 주었다.

건조 공정은 다층 구조의 소분자 및 올리고머의 증착을 허용한다. 또한, 건조 공정은 높은 효율을 달성하기 위해 다양한 방법을 개발하고있다. 또한, 상기 다수의 적층 구조 (40)를 재결합 이상의 캐리어를 용이하게 발광층, 효과적인 재결합 존 하부 캐리어 주입 장벽 평형 캐리어 주입을 가능하게한다. 그러나, 건조 공정은 유기 분자의 제한된 열적 안정성, 높은 진공 제작 조건을 필요로 인한 낮은 처리량과 본초 같은 몇 가지 문제점을 가지고 증착의 낮은 재료의 가동률로 인해 리터 낭비.

대조적으로, 습식 공정은 생산 비용을 줄이기 위해 높은 효율을 달성하는 것이 더 바람직하다. 저가 고분자 재료는 여러 계층, 습식 처리의 OLED에 대한 약속한다. 효율성은 진공 증착, 저분자 유기 재료에 비해 상대적으로 낮다. 습식 공정에서, 효율은 연속적인 폴리머 소분자 층의 조합을 이용함으로써 개선 될 수있다. 일반적으로, 높은 3 중항 에너지와 고분자 정공 수송층의 고용은 발광층에서 생성 된 여기자를 한정하는 것도 종래 스핀 코팅 정공 주입 필름을 안정화 할 수이고. 높은 유리 전이 온도와 저분자 유기 재료는 스핀 코팅 동안 정핵 막 완전성을 유지하지 않는다. 또한, 높은 3 중항 에너지의 작은 분자는 호스트 - GUE을 용이하게하기 위해 효과적인 호스트 재료로서 사용될 수있다세인트 에너지 전달기구. 유기 발광 다이오드의 습식 공정 제조는 또한 그 물질의 용해도 문제로 몇 가지 제한이 있습니다. 요즘, 습식 공정에서 다층 구조를 안정화시키기 위해, 여러 접근 방식은 비 - 극성 용매, 42, 43, 44의 극성 용해도를 유지하는 것이 개발되었다. 습식 공정은 장치가 큰 지역에 제작 및 롤 - 투 - 롤 높은 처리량 할 수 있습니다. 습식법은 유연성, 투명성, 매우 얇은 두께 등의 파괴 특성에 대한 더 많은 설계 자유도를 제공한다. 습식 공정은 OLED 조명을위한 유망한 기술이 될 수 있습니다.

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Materials

Name Company Catalog Number Comments
ITO glass Lumtech 84% transparency
poly(3,4-ethylenedioxythiophene) - poly(styrenesulfonate) (PEDOT/PSS) UniRegion Bio-Tech Stored at 4 °C, HOMO (eV) = -4.9, LUMO (eV) = -3.3
4,4,4-tris(N-carbazolyl)triphenylamine (TCTA) E-Ray Optoelectronics Technology co., Ltd Non-toxic, HOMO (eV) = -5.7, LUMO (eV) = -2.3
tris(2-phenyl-pyridine) (Ir(ppy)3) E-Ray Optoelectronics Technology co., Ltd Non-toxic, HOMO (eV) = -5.6, LUMO (eV) = -3.9
1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene (TPBi) Luminescence Technology corp. Non-toxic, HOMO (eV) = -6.2, LUMO (eV) = -2.7
iridium(III) bis(4-phenylthieno[3,2-c]pyridinato-N,C 2’)acetylacetonate (PO-01) Luminescence Technology corp. Non-toxic, HOMO (eV) = -5.1, LUMO (eV) = -2.7
tris(2-phenylquinoline)iridium(III) (Ir(2-phq)3) E-Ray Optoelectronics Non-toxic, HOMO (eV) = -5.1, LUMO (eV) = -2.8
LiF Echo chemicals 99.98%
Aluminium ingot (Al) Guv team International pvt. ltd 100.00%
Acetone Echo chemicals 99.90%
2-Propanol Echo chemicals 99.90%
Hole-injection material, WHI-001 WAN HSIANG precision machinery co., Ltd non-toxic, HOMO (eV) = -9.8, LUMO (eV) = -5.6
Hole-transport material, WHI-215 WAN HSIANG precision machinery co., Ltd non-toxic, HOMO (eV) = -5.4, LUMO (eV) = -2.5
host material, WPH-401 WAN HSIANG precision machinery co., Ltd non-toxic, HOMO (eV) = -5.8, LUMO (eV) = -2.7
Electron-injection material, WIT-651 WAN HSIANG precision machinery co., Ltd non-toxic, HOMO (eV) = -5.8, LUMO (eV) = -3.1
Electron-transpot material, WET-603 WAN HSIANG precision machinery co., Ltd non-toxic, HOMO (eV) = -5.9, LUMO (eV) = -2.6
Green dye, WPGD-832 WAN HSIANG precision machinery co., Ltd non-toxic, HOMO (eV) = -5.8, LUMO (eV) = -3.1
Deep-red dye, PER 53 E-Ray Optoelectronics Technology co., Ltd non toxic, HOMO (eV) = -5.1, LUMO (eV) = -2.4

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References

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블루 위험이없는 촛불의 OLED
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Jou, J. H., Singh, M., Su, Y. T.,More

Jou, J. H., Singh, M., Su, Y. T., Liu, S. H., He, Z. K. Blue-hazard-free Candlelight OLED. J. Vis. Exp. (121), e54644, doi:10.3791/54644 (2017).

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