يتطلب اشتراك JoVE لعرض هذا المحتوى. تسجيل الدخول أو ابدأ نسخة تجريبية مجانية

مقالة منهجية

توليف وتوصيف عالية ج المحور أكسيد الزنك رقيقة بواسطة البلازما المحسن الأبخرة الكيميائية نظام ترسب و photodetector تطبيق الأشعة فوق البنفسجية لها

14.9K مشاهدة

⸱

DOI:

10.3791/53097

⸱

أكتوبر 3, 2015

 , 
1Institute of Manufacturing Technology and Department of Mechanical Engineering, National Taipei University of Technology (TAIPEI TECH)

في هذه المقالة

ملخص

قدمنا طريقة لتصنيع الأغشية الرقيقة ZnO ذات المحور C العالي (0002) مباشرة عن طريق ترسيب البخار الكيميائي المعزز بالبلازما. تم استخدام الطبقة الرقيقة من ZnO المركبة جنبا إلى جنب مع القطب الكهربائي المتداخل Pt كطبقة استشعار للكاشف الضوئي بالأشعة فوق البنفسجية ، مما يدل على أداء عال من خلال مزيج من مسؤوليته الجيدة وموثوقيته.

الملخص

في هذه الدراسة، تم بنجاح وفعالية توليفها أكسيد الزنك (أكسيد الزنك) الأغشية الرقيقة مع ارتفاع ج -axis (0002) التوجه تفضيلية على السيليكون (سي) ركائز عبر درجات الحرارة تصنيعه المختلفة باستخدام البلازما تعزيز ترسيب الأبخرة الكيميائية (PECVD) النظام. وقد تم التحقيق في الآثار من مختلف درجات الحرارة توليفها على التركيب البلوري، الأشكال التضاريسية سطح والخصائص البصرية. حيود الأشعة السينية وأشارت (XRD) أنماط أن كثافة (0002) حيود ذروة أصبحت أقوى مع زيادة درجة الحرارة توليفها حتى 400 درجة مئوية. كثافة حيود (0002) ذروة أصبح تدريجيا المرافق أضعف مع ظهور (10-10) حيود الذروة حيث إن درجة حرارة توليفها حتى تتجاوز 400 درجة مئوية. وRT معان ضوئي (PL) أطياف عرضت على شبه الفرقة حافة قوية (البنك الأهلي) لوحظ انبعاث حوالي 375 نانومتر، ويذكر على مستوى عميق (DL) الانبعاثات يقع في حوالي 575 نانومتر اوندإيه عالية ج -axis أكسيد الزنك الأغشية الرقيقة. كشفت مجال المجهر انبعاث الإلكترون (FE-SEM) صور سطح متجانس ومع توزيع صغير الحجم الحبوب. كما تم توليفها الأفلام أكسيد الزنك رقيقة على ركائز الزجاج تحت نفس المعلمات لقياس النفاذية.

لغرض تطبيق الأشعة فوق البنفسجية (UV) photodetector، والبلاتين interdigitated (حزب العمال) رقيقة (سمك ~ 100 نانومتر) ملفقة عبر التقليدية عملية الطباعة الحجرية الضوئية وتردد الراديو (RF) المغنطرون الاخرق. من أجل الوصول إلى الاتصال أومية، وصلب الجهاز في الظروف الأرجون في 450 درجة مئوية قبل الصلب الحرارية (RTA) نظام السريع لمدة 10 دقيقة. بعد قياسات منتظمة، والجهد الحالي (I - V) منحنى من الصور والنتائج الحالية والتي تعتمد على الوقت المظلمة استجابة photocurrent عرضت على responsivity جيدة والموثوقية، مشيرا إلى أن ارتفاع ج -axis أكسيد الزنك طبقة رقيقة هي طبقة الاستشعار مناسبةللأشعة فوق البنفسجية تطبيق photodetector.

المقدمة

أكسيد الزنك هو واسعة النطاق فجوة المواد أشباه الموصلات وظيفية واعدة نظرا لخصائصه الفريدة مثل ارتفاع الاستقرار الكيميائي، منخفضة التكلفة، وغير سمية، وانخفاض عتبة السلطة لضخ البصرية، واسعة فجوة المباشرة (3.37 فولت) في RT والأكسيتون كبير الطاقة ~ 60 إلكترون فولت 02/01 ملزمة. في الآونة الأخيرة، وقد استخدمت أكسيد الزنك الأغشية الرقيقة في العديد من المجالات بما في ذلك تطبيق أكسيد موصل (TCO) أفلام شفافة، جهاز ينبعث منها الضوء الأزرق، والترانزستورات مجال التأثير، وأجهزة الاستشعار الغاز 3-6. من ناحية أخرى، أكسيد الزنك هو مادة مرشح لخلافة أكسيد القصدير الإنديوم (ITO) بسبب الإنديوم والقصدير يجري نادرة وباهظة الثمن. وعلاوة على ذلك، أكسيد الزنك تمتلك بصري النفاذية العالية في المنطقة الطول الموجي مرئية والمقاومة منخفضة مقارنة مع الأفلام ايتو 7-8. وبناء على ذلك، تم الإبلاغ على نطاق واسع تصنيع وتوصيف وتطبيق أكسيد الزنك. تركز هذه الدراسة على تجميع عالية ج -axis (0002) أكسيد الزنك الأغشية الرقيقة من قبل وبسيطد طريقة فعالة والتطبيق العملي لها نحو photodetector للأشعة فوق البنفسجية.

وتشير نتائج التقرير البحوث التي أجريت مؤخرا أن جودة عالية الزنك طبقة رقيقة يمكن تصنيعه من خلال تقنيات مختلفة مثل طريقة سول-جل، الترددات اللاسلكية المغنطرون الاخرق وترسب المعادن العضوية الأبخرة الكيميائية (MOCVD)، وهلم جرا 14/09. كل أسلوب مزاياه وعيوبه. على سبيل المثال، الميزة الرئيسية لترسب الاخرق هو أن المواد المستهدفة مع نقطة انصهار عالية جدا وباءت بالفشل جهد على الركيزة. في المقابل، فإن عملية الاخرق من الصعب الجمع بين مع انطلاقه لهيكلة الفيلم. في دراستنا، كان يعمل على نظام البلازما تعزيز ترسيب الأبخرة الكيميائية (PECVD) لتجميع جودة عالية ج -axis أكسيد الزنك الأغشية الرقيقة. قصف البلازما هي عامل رئيسي في عملية توليف التي يمكن أن تزيد من كثافة رقيقة وتعزيز التحلل الأيوني معدل التفاعل 15. فيبالإضافة إلى ذلك، فإن معدل نمو مرتفع وترسب موحدة مساحة واسعة من المزايا الأخرى المميزة لتقنية PECVD.

باستثناء تقنية التوليف، والتصاق جيد على الركيزة هو قضية ويرى آخر. في العديد من الدراسات، وقد الياقوت ج -plane تستخدم على نطاق واسع والركيزة لتجميع عالية ج -axis أكسيد الزنك الأغشية الرقيقة لأن أكسيد الزنك والياقوت لديهم نفس بنية شعرية سداسية. ومع ذلك، تم تصنيعه من أكسيد الزنك على الياقوت واظهار مورفولوجيا سطح خشن والمتبقية تركيزات الناقل (ذات الصلة عيب) عالية بسبب الأسوياء شعرية كبيرة بين أكسيد الزنك والياقوت ج -plane (18٪) موجهة في الاتجاه في الطائرة 16. مقارنة مع الياقوت، وسي ويفر هو الركيزة استخداما آخر لتركيب أكسيد الزنك. تم الرقائق المستخدمة على نطاق واسع سي في صناعة أشباه الموصلات. وبالتالي، نمو عالية الجودة أكسيد الزنك الأغشية الرقيقة على ركائز سي مهم جدا وnecesلزم. وللأسف، فإن التركيب البلوري ومعامل التمدد الحراري بين أكسيد الزنك وسي تختلف بشكل واضح مما أدى إلى تدهور جودة وضوح الشمس. على مدى العقد الماضي، بذلت جهودا كبيرة لتحسين نوعية أكسيد الزنك الأغشية الرقيقة على ركائز سي باستخدام أساليب مختلفة بما في ذلك أكسيد الزنك طبقات عازلة 17، الصلب في مختلف جو الغاز 18، وتخميد الركيزة سطح سي 19. تقدم هذه الدراسة بنجاح طريقة بسيطة وفعالة لتجميع عالية ج -axis أكسيد الزنك طبقة رقيقة على ركائز سي دون أي طبقة عازلة أو ما قبل المعالجة. وأشارت نتائج التجربة أن الأغشية الرقيقة أكسيد الزنك تصنيعه تحت درجة حرارة النمو الأمثل أظهرت كريستال جيد والصفات البصرية. وقد تم التحقيق البنية البلورية، RF تكوين البلازما، مورفولوجيا السطح، والخصائص البصرية من أكسيد الزنك الأغشية الرقيقة التي كتبها حيود الأشعة السينية (XRD)، مطيافية الانبعاث الضوئي (OES)، حقل الشوري الانبعاثاتاننينغ المجهر الإلكتروني (FE-SEM)، وRT معان ضوئي (PL) الأطياف، على التوالي. وعلاوة على ذلك، تم تأكيد أيضا على نفاذية الأغشية الرقيقة من أكسيد الزنك والإبلاغ عنها.

خدم أكسيد الزنك طبقة رقيقة كما توليفها، كما تم التحقيق طبقة الاستشعار عن تطبيق photodetector الأشعة فوق البنفسجية أيضا في هذه الدراسة. وphotodetector للأشعة فوق البنفسجية له تطبيقات كبيرة محتملة في رصد الأشعة فوق البنفسجية، والتبديل البصرية، والتنبيه لهب، وصواريخ نظام الاحتباس 20-21. وهناك أنواع عديدة من أجهزة الاستشعار البصرية التي نفذت مثل سلبية جوهرية إيجابية (دبوس) وضع والمعادن أشباه الموصلات المعدنية (MSM) الهياكل بما في ذلك الاتصال أومية وشوتكي للإتصال به. لكل نوع مزاياه وعيوبه. حاليا، وقد اجتذبت الهياكل photodetector MSM الفائدة المركزة بسبب أدائهم المتميز في responsivity والموثوقية والاستجابة والتعافي الوقت 22-24. وقد أظهرت النتائج المعروضة هنا أن وضع الاتصال MSM أومية كان يعمللافتعال أكسيد الزنك طبقة رقيقة على أساس photodetector للأشعة فوق البنفسجية. مثل هذا النوع من photodetector يكشف عادة responsivity جيدة والموثوقية، مشيرا إلى أن ارتفاع ج -axis أكسيد الزنك طبقة رقيقة هي طبقة الاستشعار مناسبة لphotodetector للأشعة فوق البنفسجية.

الوصول مقيد. يرجى تسجيل الدخول أو بدء فترة تجريبية لعرض هذا المحتوى.

البروتوكول

1. إعداد الركيزة والتنظيف

  1. قطع 10 مم × 10 مم ركائز السيليكون من سي (100) رقاقة.
  2. قطع 10 مم × 10 مم ركائز الزجاج.
  3. استخدام نظافة بالموجات فوق الصوتية لتنظيف السيليكون والزجاج ركائز مع الأسيتون لمدة 10 دقيقة، والكحول لمدة 10 دقيقة، ثم الأيزوبروبانول لمدة 15 دقيقة.
  4. شطف ركائز مع منزوع الأيونات (DI) الماء ثلاث مرات.
  5. مجففا ركائز بمسدس النيتروجين.

2. إعداد DEZn والمحافظة

ملاحظة: Diethylzinc (C 2 H 5) 2 الزنك، وتسمى أيضا DEZn، هو مركب organozinc إشتعال عالية وتتألف من مركز الزنك بد أن مجموعتين الإيثيل. لا تعمل وحدها عند استخدام DEZn. DEZn هي سامة جدا وحساسة لالأكسجين والماء، وتأكد من عدم وضع DEZn بالقرب من المياه. دائما ارتداء الأقنعة الواقية وحماية العين؛ يجب أن يتم تنفيذ كافة الإجراءات في غطاء محرك السيارة. الأهم من ذلك، يجب أن DEZn غير المستخدمة بالبريد تخزينها في بيئة C 5 س.

ملاحظة: للحصول على أول استخدام للDEZn، اتبع الخطوة 2. إذا لم يكن كذلك، تبدأ التجربة من الخطوة 3.

  1. استخدام حقنة لاستخلاص 30 مل DEZn من الزجاجة ثم يحقن في كوب توضع في اسطوانة الصلب.
  2. استخدام أنابيب الحديد المجلفن لتوصيل اسطوانة الصلب مع دائرة رد الفعل.
  3. استخدام مضخة ميكانيكية وصمام الكرة إلى ضخ أسفل الاسطوانة الصلب في بيئة الفراغ (6 عربة).
    ملاحظة: سوف DEZn تتفاعل بشدة مع الأكسجين، وأنه يجب الحفاظ على البيئة في فراغ.
  4. تخزين DEZn غير المستخدمة في بيئة C 5 س.

3. إعداد PECVD غرفة وتوليف أكسيد الزنك رقيقة أفلام

ملاحظة: ويظهر الرسم التخطيطي البلازما تعزيز ترسيب الأبخرة الكيميائية في الشكل 1.

  1. تعيين المسافة العمل بين القطب دش ومرحلة العينة في 30 مم.
    2. <لى> ضع ركائز على المسرح عينة من دائرة رد الفعل في المكان الصحيح حيث هناك مسافة 3 سم من مدخل DEZn.
  2. فتح المضخة الدوارة وفتح تدريجيا بوابة الصمامات وصمام فراشة.
  3. الانتظار حتى الضغط الخلفية من غرفة المفاعل هو أقل من 30 mTorr.
  4. إغلاق صمامات البوابة وصمام فراشة، الذي يربط المضخة الدوارة.
  5. ثم فتح المضخة التوربينية والصمامات بوابة النسبية للوصول إلى الفراغ عال من 3 × 10 -6 عربة.
  6. بعد الوصول إلى حالة فراغ اللازمة، فتح وحدة تحكم للحرارة والحرارة المرحلة العينة إلى درجة حرارة التوليف (200، 300، 400، 500، و 600 درجة مئوية لمدة المعلمات تجربة مختلفة).
  7. عندما تكون درجة الحرارة والضغط تصل إلى الشرط الضروري، وإغلاق المضخة التوربينية ثم قم بفتح صمامات البوابة وفراشة صمام الذي يربط المضخة الدوارة في وقت واحد.
  8. بعد ذلك، فتح الصمامات مدخل الغاز وبدوره على الأرجون زكما تحكم تدفق في وقت واحد.
  9. تدفق غاز الأرجون (0.167 مل / ثانية) في الغرفة.
  10. ضبط ضغط الغرفة إلى 500 mTorr.
  11. بدوره على شبكة RF (13.56 ميغاهيرتز) مولد والمطابقة، ثم تعيين سلطة RF في 100 W لتطهير العينات السطحية لمدة 15 دقيقة.
  12. بعد الانتهاء من تطهير العينات، وتحويل الطاقة RF صولا الى 70 W.
  13. المقبل، بدوره على صمام تحكم الغاز ثاني أكسيد الكربون ومدخل الغاز.
  14. تدفق ثاني أكسيد الكربون (0.5 مل / ثانية) في الغرفة.
  15. ضبط ضغط العمل في 6 عربة.
  16. بعد أن يصل ضغط الغرفة 6 عربة، وتدفق الأرجون عالية نقية كما الناقل للغاز (0.167 مل / ثانية) لتنفيذ diethylzinc (DEZn) في غرفة وصمام الكرة مفتوحة متصلة DEZn في وقت واحد. في نفس الوقت، بدء تركيب الأفلام أكسيد الزنك.
  17. مواصلة تجميع البلازما من الأفلام أكسيد الزنك لمدة 5 دقائق.
  18. بعد أن تم توليفها الأفلام أكسيد الزنك، seriatim إيقاف المولد RF، صمام الكرة، يخدع الحرارةترولر وجميع وحدات تحكم تدفق الغاز جنبا إلى جنب مع صمامات مدخل الغاز.
  19. إخراج عينة عندما يبرد درجة حرارة المرحلة العينة وصولا الى RT. ملاحظة: معدل التبريد حوالي 1.8 درجة مئوية / دقيقة.

4. إعداد خطة Interdigitated الشبيهة على وتوليفها، أكسيد الزنك رقيقة

ملاحظة: وصفت والتخطيطي لعملية الطباعة الحجرية في الشكل (3).

  1. استخدام لوحة الساخنة لخبز العينة أكسيد الزنك كما توليفها، في 150 درجة مئوية لمدة 10 دقيقة.
  2. ضع العينة على المغطي تدور، ومن ثم الاستغناء عن حل السائل من مقاومة للضوء (S1813) مع 100 ميكرولتر على عينة أكسيد الزنك.
  3. تشغيل المغطي تدور في 800 دورة في الدقيقة لمدة 10 ثانية ثم الإسراع إلى 3000 دورة في الدقيقة لمدة 30 ثانية لإنتاج طبقة رقيقة بشكل موحد.
  4. خبز لينة العينة أكسيد الزنك المغلفة مقاومة للضوء عند 105 درجة مئوية لمدة 90 ثانية.
  5. بعد الخبز لينة، واستخدام الأشعة فوق البنفسجية للكشف عن عينة ترو المغلفة مقاومة للضوء GH الضوئية الرئيسية التي قناع اليجنر. الساعة التعرض 2 ثانية وقوة 400 W.
    ملاحظة: تم تصميم نمط الضوئية الرئيسية كما interdigitated مثل، الذي هو 0.03 ملم واسعة و4 مم طويلة (14 أزواج) ويحتوي على التباعد بين القطب من 0.15 ملم كما هو مبين في الشكل 2 ومن الجدير بالذكر أن حساسية والكلية المنطقة 84.32 مم 2 للكشف.
  6. بعد العملية التعرض، واستخدام الملقط لمقطع العينة، ومن ثم تزج في مطور المخفف (مزيج 50 مل من المطور و 150 مل من الماء منزوع الأيونات) من خلال تصرفات يتأرجح من جانب إلى آخر لمدة 35 ق للحصول على عينة المتقدمة.
  7. شطف العينة وضعها مع الماء DI والجافة مع غاز النيتروجين.
  8. استخدام المجهر الضوئي للتحقق من نمط سليمة. إذا لم يكن كذلك، استخدام الأسيتون لإزالة مقاومة للضوء وكرر الخطوات من 4،2-4،7 حتى يتم الحصول على نمط مثالي.
  9. خبز الصعب العينة على 120 درجة مئوية لمدة 20 دقيقة.

الحمار = "jove_title"> 5. ترسب حزب العمال الأعلى الكهربائي والكيميائية انطلاقه

  1. استخدام RF نظام المغنطرون الاخرق لإيداع طبقة رقيقة موصلة حزب العمال (100 نانومتر) في الجزء العلوي من العينة وضعت قبل الشروع في إجراءات رفع قبالة الكيميائية.
  2. تعيين المسافة بين الهدف والركيزة في 13 ملم.
  3. استخدام مضخة ميكانيكية للوصول إلى الفراغ الخام من 5 mTorr.
  4. ثم، استخدم المضخة التوربينية للحصول على فراغ عالية من 7 × 10 -7 عربة.
  5. انتظر حتى تصل إلى غرفة فراغ عالية، إغلاق المضخة التوربينية وفتح مضخة ميكانيكية في وقت لاحق.
  6. تدفق غاز الأرجون عند 0.3 مل / ثانية في غرفة قبل وحدة تحكم تدفق ماس حتى ضغط الغرفة وصول إلى ضغط العمل من 100 mTorr.
  7. بدوره على التيار المباشر (DC) تفريغ إمدادات الطاقة وتعيين قوة DC 15 W عن طريق الرش على حزب العمال رقيقة الكهربائي على العينة لمدة 25 دقيقة.
  8. بعد أن تم إيداع طبقة القطب حزب العمال التي كتبها المغناطيسية sputtتعافي طريقة، واخراج عينة من الغرفة.
  9. تزج العينة في السائل الأسيتون لعملية رفع قبالة الكيميائية نظافة بالموجات فوق الصوتية لإزالة مقاومة للضوء.
  10. ضبط الوقت التنظيف في 1 دقيقة لإزالة بدقة مقاومة للضوء، ومن ثم الحصول على مثل interdigitated-حزب العمال الكهربائي على الفيلم أكسيد الزنك رقيقة.

6. RTA عملية

  1. ضع كما التجهيز عينة حزب العمال / أكسيد الزنك في النظام RTA.
  2. استخدام مضخة ميكانيكية وصمام بوابة لضخ أسفل ضغط الغرفة RTA إلى 20 mTorr.
  3. الانتظار حتى يصل الضغط غرفة 20 mTorr، وتدفق غاز الأرجون عند 0.3 مل / ثانية في غرفة وضبط ضغط العمل من 5 عربة.
  4. بعد ذلك، تعيين معدل التسخين إلى 100 ​​درجة مئوية / دقيقة.
  5. ثم، يصلب العينة على 450 درجة مئوية لمدة 10 دقيقة.
  6. مرة واحدة صلب، والانتظار حتى يبرد العينة إلى RT، ثم تأخذ من العينة.

الوصول مقيد. يرجى تسجيل الدخول أو بدء فترة تجريبية لعرض هذا المحتوى.

النتائج

وأكسيد الزنك (0002) أفلام رقيقة مع ارتفاع ج -axis التوجه يفضل تم توليفها بنجاح على ركائز سي باستخدام نظام PECVD. استخدمت غاز ثاني أكسيد الكربون (CO 2) وdiethylzinc (DEZn) كما الأكسجين والزنك السلائف، على التوالي. وقد تميزت هيكل الكريستال أكسيد الزنك الأغشية الرقيقة التي كتبها حيود الأشعة السينية (الشكل 4)، مشيرا إلى أن الفيلم أكسيد الزنك رقيقة توليفها في 400 درجة مئوية مع أقوى (0002) حيود الذروة. عندما ارتفعت درجة الحرارة توليفها تصل...

الوصول مقيد. يرجى تسجيل الدخول أو بدء فترة تجريبية لعرض هذا المحتوى.

المناقشة

خطوات حاسمة والتعديلات

في الخطوة 1، وركائز يجب تنظيفها والخطوات 1،3-1،5 اتباعها للتأكد من عدم وجود الشحوم أو التلوث العضوية وغير العضوية على ركائز. فإن أي الشحوم أو التلوث العضوية وغير العضوية على سطح الركيزة الحد بشكل كبير من التصاق الفيلم.

الخطوة 2 هو الإجراء الأكثر أهمية قبل عملية إعداد فيلم أكسيد الزنك. DEZn هي سامة جدا ويتفاعل بعنف مع الماء...

الوصول مقيد. يرجى تسجيل الدخول أو بدء فترة تجريبية لعرض هذا المحتوى.

الإفصاحات

يعلن المؤلفون أنه ليس لديهم مصالح مالية متنافسة.

شكر وتقدير

وأيد هذا العمل ماليا من قبل وزارة العلوم والتكنولوجيا والمجلس الوطني للعلوم في جمهورية الصين (غ العقد. NSC 101-2221-E-027-042 وNSC 101-2622-E-027-003-CC2). DH وي بفضل الجامعة الوطنية تايبيه للتكنولوجيا (تايبه TECH) لجائزة الدكتور شيختمان جائزة.

الوصول مقيد. يرجى تسجيل الدخول أو بدء فترة تجريبية لعرض هذا المحتوى.

المواد

قائمة المواد المستخدمة في هذه المقالة
الاسمالشركةرقم فهرسيالتعليقات
مزود طاقة الترددات اللاسلكيةADVANCED ENERGYRFX-600
صمام الفراشةMKS253B-1-40-1
وحدة تحكم التدفق الشاملPROTEC INSTRUMENTSPC-540
وحدة التحكم في الضغطMKS600 series   ؛
شركة سخانترقية الصكUI-TC 3001
Sputter gunAJA INTERNATIONALA320-HA
DEZn 1.5MACROS ORGANIC USA ، نيو جيرسيوتسمى أيضا Diethylzinc (C2H5) 2Zn
Spin coater   ؛SWIENCOPW - 490
IV قياسKeithleyالموديل: 2400
قياس ضوئي  محلي الصنع
للأشعة فوق البنفسجية مصدرباناسونيكANUJ 6160
قناع التقويمKarl SussMJB4
PhotoresistShipley a Rohm & شركة هاسS1813
المطورشيبلي أ روم & شركة HaasMF319
رقاقة السيليكونE-Light Technology Inc12/0801
الركيزة الزجاجيةCORNING1737P-type / البورون

المراجع

  1. Choppali, U., Kougianos, E., Mohanty, S. P., Gorman, B. P. Influence of annealing on polymeric derived ZnO thin films on sapphire. Thin Solid Films. 545, 466-470 (2013).
  2. Bedia, F. Z., et al. Effect of tin doping on optical properties of nanostructured ZnO thin films grown by spray pyrolysis technique. J. Alloy. Compd. 616, 312-318 (2014).
  3. Liu, W. S., Wu, S. Y., Hung, C. Y., Tseng, C. H., Chang, Y. L. Improving the optoelectronic properties of gallium ZnO transparent conductive thin films through titanium doping. J. Alloy. Compd. 616, 268-274 (2014).
  4. Baik, K. H., Kim, H., Kim, J., Jung, S., Jang, S. Nonpolar light emitting diode with sharp near-ultraviolet emissions using hydrothermally grown ZnO on p-GaN. Appl. Phys. Lett. 103, 091107(2013).
  5. Han, S. J., Huang, W., Shi, W., Yu, J. S. Performance improvement of organic field-effect transistor ammonia gas sensor using ZnO/PMMA hybrid as dielectric layer. Sens Actuator B-Chem. 203, 9-16 (2014).
  6. Chizhov, A. S., et al. Visible light activated room temperature gas sensors based on nanocrystalline ZnO sensitized with CdSe quantum dots. Sens Actuator B-Chem. 205, 305-312 (2014).
  7. Li, C., et al. Effects of substrate on the structural, electric and optical properties of Al-doped ZnO films prepared by radio frequency magnetron sputtering. Thin Solid Films. 517, 3265-3268 (2009).
  8. Ellmer, K. Resistivity of polycrystalline zinc oxide films: current status and physical limit. J. Phys. D: Appl. Phys. 34, 3097(2001).
  9. Wang, F. G., et al. optical and electrical properties of Hf-doped ZnO transparent conducting films prepared by sol-gel method. J. Alloy. Compd. 623, 290-297 (2015).
  10. Senay, V., et al. ZnO thin film synthesis by reactive radio frequency magnetron sputtering. Appl. Surf. Sci. 318, 2-5 (2014).
  11. Chi, P. W., Su, C. W., Jhuo, B. H., Wei, D. H. Photoirradiation caused controllable wettability switching of sputtered highly aligned c-axis-oriented zinc oxide columnar films. Int. J. Photoenergy. 2014, 765209(2014).
  12. Jamal, R. K., Hameed, M. A., Adem, K. A. Optical properties of nanostructured ZnO prepared by a pulsed laser deposition technique. Mater. Lett. 132, 31-33 (2014).
  13. Kobayashi, T., Nakada, T. Effects of post-deposition on transparent conductingZnO:B thin films grown by MOCVD. Jpn. J. Appl. Phys. 53, 05FA03(2014).
  14. Chao, C. H., et al. Postannealing effect at various gas ambients on ohmic contacts of Pt/ZnO nanobilayers toward ultraviolet photodetectors. Int. J. Photoenergy. 2013, 372869-1155 (2013).
  15. Barankin, M. D., Gonzalez II, E., Ladwig, A. M., Hicks, R. F. Plasma-enhanced chemical vapor deposition of zinc oxide at atmospheric pressure and low temperature. 91, 924-930 (2007).
  16. Fons, P., et al. Uniaxial locked epitaxy of ZnO on the α face of sapphire. Appl. Phys. Lett. 77, 1801(2000).
  17. Ko, H. J., Chen, Y., Hong, S. K., Yao, T. akafumi MBE growth of high-quality ZnO films on epi-GaN. J. Cryst. Growth. 209, 816-821 (2000).
  18. Park, D. J., Lee, J. Y., Park, T. E., Kim, Y. Y., Cho, H. K. Improved microstructural properties of a ZnO thin film using a buffer layer in-situ annealed in argon ambient. Thin Solid Films. 515, 6721-6725 (2000).
  19. Kim, M. S., et al. Nitrogen-passivation effects of Si substrates on the properties of ZnO epitaxial layers grown by using plasma-assisted molecular beam epitaxy. J. Korean Phys. Soc. 56, 827-831 (2010).
  20. Li, G. M., Zhang, J. W., Hou, X. Temperature dependence of performance of ZnO-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors. Sens. Actuator A-Phys. 209, 149-153 (2014).
  21. Wang, X. F., et al. superhigh gain visible-blind UV detector and optical logic gates based on nonpolar a-axial GaN nanowire. Nanoscale. 6, 12009-12017 (2014).
  22. Inamdar, S. I., Rajpure, K. Y. High-performance metal-semiconductor-metal UV photodetector based on spray deposited ZnO thin films. J. Alloy. Compd. 595, 55-59 (2014).
  23. Tian, C. G., et al. Effects of continuous annealing on the performance of ZnO based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors. Mater. Sci. Eng. B-Adv. Funct.Solid-State Mater. 184, 67-71 (2014).
  24. Chen, H. Y., et al. Realization of a self-powered ZnO MSM UV photodetector with high responsivity using an asymmetric pair of Au electrodes. J. Mater. Chem. C. 2, 9689-9694 (2014).
  25. Subramanyam, T. K., Srinivasulu Naidu,, S,, Uthanna, S. Effect of substrate temperature on the physical properties of DC reactive magnetron sputtered ZnO films. Opt. Mater. 13, 239-247 (1999).
  26. Iwanaga, H., Kunishige, A., Takeuchi, S. Anisotropic thermal expansion in wurtzite-type crystals. J. Mater. Sci. 35, 2451-2454 (2000).
  27. Okaji, M. Absolute thermal expansion measurements of single-crystal silicon in the range 300-1300 K with an interferometric dilatometer. Int. J. Thermophys. 9, 1101-1109 (1988).
  28. Pearse, R. W. B., Lichtenberg, A. J. The identification of molecular spectra. , 4th ed, Chapman and Hall. (1976).
  29. Chao, C. H., Wei, D. H. Growth of non-polar ZnO thin films with different working pressures by plasma enhanced chemical vapor deposition. Jpn. J. Appl. Phys. 53, 11RA05(2014).
  30. Lin, B., Fu, Z., Green Jia, Y. luminescent center in undoped zinc oxide films deposited on silicon substrate. Appl. Phys. Lett. 79, 943-945 (2001).
  31. Koida, T., et al. Radiative and nonradiative excitonic transitions in nonpolar (110) and polar (000) and (0001) ZnO epilayers. Appl. Phys. Lett. 84 (110), 1079(2004).

الوصول مقيد. يرجى تسجيل الدخول أو بدء فترة تجريبية لعرض هذا المحتوى.

إعادة الطباعة والأذونات

الوسوم

C
توليف وتوصيف عالية ج المحور أكسيد الزنك رقيقة بواسطة البلازما المحسن الأبخرة الكيميائية نظام ترسب و photodetector تطبيق الأشعة فوق البنفسجية لها
تواصل معنا
أوصِ به للمكتبة

الخصوصية

شروط الاستخدام

السياسات

حقوق الطبع والنشر © 2026 MyJoVE Corporation. جميع الحقوق محفوظة.