Name: تحليل الاتصال واجهات لأجهزة أسلاك متناهية الصغر واحدة الجاليوم (فيديو) | JoVE Journal
Uploaded: 2013-11-15T17:00:00.000+00:00
Duration: 11 min 13 s
Description: اكتشف طريقة لإزالة طبقات النيكل/الذهب لتحليل واجهات أسلاك GaN النانوية الفردية باستخدام المجهر الإلكتروني الماسح. تساعد هذه التقنية الباحثين على دراسة تشكيل الفجوات وتحسين أداء أجهزة أشباه الموصلات.

ai_agent_IP

ai_agent

maintenance

instantTrialDurationMinutes

isBiopharma

enableNewMyJoveSectionDesign

educationFeatures

seoMetaApi

ai_copilot_institution_blacklist

ai_chat_institution_blacklist

freeAccessWindow

ssoRoleCapture

scheduledMaintenanceBanner

joveLabsFeatures

disable_autoplay_for_bots

extended_trial_duration

5 minutes

فإن الكتاب أود أن أنوه الأفراد في شعبة الكم الالكترونيات والضوئيات من المعهد الوطني للمعايير والتكنولوجيا في بولدر، CO على مساعدتهم.

كانت تزرع الجاليوم NWS المستخدمة في هذه التجارب من قبل خالية من حافز الجزيئية تناضد شعاع (مبي) على سي (111) ركائز 9. ويتضح الإجراء العام لإعداد تعليق NW من الركيزة مع NWS كما نمت في الشكل 1. 1. أسلاك متناهية الصغر التعليق التحضير <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> يلتصق صغيرة (&lt;5 مم × 5 مم) قطعة من NWS كما نمت على الركيزة. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ملء قارورة صغيرة توج مع حوالي 1 مل من الأيزوبروبانول (IPA). </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> وضع قطعة المشقوق في قنينة، وإغلاق الغطاء ويصوتن لمدة 30 ثانية من أجل إزالة NWS من الركيزة. مرة واحدة على استعداد، لا يزال تعليق NW قابلة للحياة لفترة ممتدة من الزمن. </li></ol> 2. إعداد الركيزة ركائز المستخدمة هي مخدر مشددة (ρ ~ 0،001-0،005 Ω سم) 3 بوصة سي رقائق مع 200 نيوتن متر من نمت حراريا-شافي 2 على كلا الجانبين. <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> إذا ايلىهو المطلوب الاتصال ctrical إلى الركيزة السيليكون، وحفر قبالة أكسيد من مساعدات من الرقاقة باستخدام مطبوع ري مع الشروط التالية، O 2 تدفق = 20 SCCM، CHF 3 تدفق = 50 SCCM، -240 V التحيز، 120 W لل 20 دقيقة. يساعد هذه الخطوة أيضا تجنب شحن من العينة خلال المجهر الإلكتروني. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> بعد أكسيد حفر، ويفر نظيفة عن طريق الغمر وجهه لأسفل باستخدام حامل ثلاثي القوائم في كوب 1،000 مل مع ~ 100 مل من الأسيتون لمدة 5 دقائق. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> إزالة رقاقة من الأسيتون وعلى الفور شطف جانبي الرقاقة باستخدام زجاجة بخ IPA من أكثر من 1،000 فارغة كوب مل، والتي سيتم استخدامها للنفايات المذيبات. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> كرر الخطوة 2 باستخدام IPA. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> كرر الخطوة 3 الشطف الرقاقة مع H 2 O منزوع الأيونات أكثر من الدورق النفايات المذيبات. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> كرر الخطوة 2 باستخدام H 2 O. منزوع الأيونات </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ضربة الجافة باستخدام رقاقة N الجافة مضغوط 2. </li></ol> 3. أسلاك متناهية الصغر تشتت <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> يلتصق نظيفة ثأفير إلى 4 أرباع متساوية. وسوف يكون كل ربع 3 أنماط الاتصال المودعة على ذلك في المناطق العامة هو مبين في الأرقام 2A وباء. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> يصوتن القارورة من NW التعليق قبل الاستغناء من أجل الحصول على تركيز NW موحدة في التعليق. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تعيين micropipette لحجم قطرة المطلوب (3-30 ميكرولتر) ورسم تعليق NW من القارورة. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تأخذ قطعة الركيزة (¼ رقاقة) التي سيتم استخدامها للتفريق وضمان أن يكون مستوى بحيث التعليق NW لا تهاجر بعيدا إلى الحواف. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> الاستغناء عن التعليق على NW (المؤكسد) السطح الأمامي من الركيزة سي في المنطقة العامة حيث سيتم إيداع نمط الاتصال. إذا رغبت في ذلك، وديعة قطرات إضافية من تعليق NW في نفس المنطقة، بعد المذيب من الانخفاض السابق قد تبخرت تماما. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> كرر الخطوة 3.4 لمناطق أخرى حيث 2 نمط الاتصال سيكون. لا تستغني تعليق NW من أكثرمن 1 المدى النمو على قطعة ركيزة واحدة (¼ رقاقة) من أجل تجنب التلوث المتبادل. ويتضح تشتت تعليق NW على الركيزة في أرقام 2C والتطوير. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> بعد أن تبخرت قطرة النهائي من NW التعليق، ضع عينة الوجه إلى أسفل في حامل ثلاثي القوائم وتراجع بلطف في الحمامات المتعاقبة من الأسيتون والأيزوبروبانول لإزالة الشوائب غير المرغوب فيها. شطف في H 2 O منزوع الأيونات، وضربة الجافة في N 2. لا تستخدم زجاجات بخ أو يصوتن المذيب خلال هذه عملية التنظيف لتجنب إزالة الزائدة من NWS من على سطح الأرض. </li></ol> 4. ضوئيه من نمط الاتصال استخدام تقنيات الطباعة التصويرية القياسية لإنشاء نمط الاتصال في غرفة نظيفة مع الظروف المحيطة من ~ 20 درجة مئوية والرطوبة النسبية ~ 40٪. سوف قناع كثافة اليجنر (الخطوة 4.6)، وقت التعرض (الخطوة 4.8) ووضع الوقت (الخطوة 4.9) تكون تعتمد على المعدات والثانية ينبغي تعديلها لإنتاج أقصى قدر تعريف النمط مع رفع خارج مقاومة (LOR) تقوض من حوالي 0.5 ميكرون. <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تدور انطلاقه مقاومة على عينة باستخدام خطوتين صفة (1) 300 دورة في الدقيقة لمدة 10 ثانية (2) 2،000 دورة في الدقيقة لمدة 45 ثانية. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> وضع عينة على طبق ساخن لخبز لمدة 5 دقائق على 150-170 درجة مئوية. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> إزالة عينة والسماح لتبرد لمدة 30 ثانية ثم تدور على مقاومة للضوء باستخدام خطوتين صفة (1) 1،000 دورة في الدقيقة لمدة 3 ثانية (2) في 5،000 دورة في الدقيقة لمدة 45 ثانية. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> وضع عينة على طبق ساخن لخبز لمدة 1 دقيقة في 115 درجة مئوية. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تسمح العينة لتبرد لمدة 1 دقيقة. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> معايرة قناع اليجنر إلى شدة ضوء ~ 1.90 ميغاواط / سم 2. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تحميل العينة إلى قناع اليجنر، مع قناع المناسبة لنمط الاتصال المثبتة. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> جلب عينة في اتصال مع قناع وفضح عينة لمدة 24 ثانية. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تطوير مقاومة للضوء عن طريق عينة يحوم في كوب من المطور لمدة 21 ثانية. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> شطف مع H 2 O منزوع الأيونات وضربة الجافة ثإيث N 2. </li></ol> 5. عينة المعالجة المسبقة قبل ترسب المعادن قبل تحميل العينات في المبخر شعاع الإلكترون لترسب المعادن، وإعطاء رقاقة منقوشة علاج الأوزون والأشعة فوق البنفسجية وحمض الهيدروكلوريك: H 2 O حمام. <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> عينات الحمل إلى الأشعة فوق البنفسجية مولد الأوزون لمدة 10 دقيقة مع فائق النقاء O 2 معدل تدفق 80 SCCM. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> بعد العلاج بالأوزون والأشعة فوق البنفسجية، وعينات من مكان في حمض الهيدروكلوريك: H 2 O (1:10) حل لمدة 1 دقيقة في درجة حرارة الغرفة. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> شطف عينات مع H 2 O منزوع الأيونات وضربة الجافة بلطف مع N 2. </li></ol> 6. شعاع الإلكترون التبخر من الاتصال المعادن <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> مباشرة بعد المعالجة، تركيب العينات إلى الصوانى باستخدام مسامير ومقاطع والصوانى آمنة في المبخر البريد شعاع. تأكد من أن يكفي ني والاتحاد الافريقي متاحة للترسب. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> ضخ أسفل غرفة حتى يكون الضغط أقل من 1.3 × 10 -3 Pو(1 μTorr) (قد يتطلب ضخ بين عشية وضحاها). </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> مجموعة عالية الجهد إلى 10 كيلو فولت وتبدأ دوران عينات في 5 دورة في الدقيقة. يتم إغلاق مصراع جعل بالتأكيد. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> حدد بوتقة ني وأدخل المعلمات لني في رصد معدل وضوح الشمس. إيداع 50 نانومتر (500 Å) ني بمعدل ترسب ~ 0.1 نانومتر / ث. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> بمجرد أن يبرد مصدر ني بما فيه الكفاية لأسفل (~ 15 دقيقة)، والتحول إلى الاتحاد الافريقي بوتقة، تغيير المعلمات إلى تلك الخاصة الاتحاد الافريقي، وإيداع 100 نانومتر (1،000 Å) للاتحاد الافريقي في معدل ترسب ~ 0.1 نانومتر / ثانية. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> مرة واحدة قد بردت الاتحاد الافريقي بوتقة أسفل (~ 10 دقيقة)، وتنفيس وتفريغ غرفة عينة الصوانى. إذا لم تكن متأكدا من سماكة المعادن، واستخدام profilometer لتحديد سمك ني / الاتحاد الافريقي. </li></ol> 7. الاتصال المعادن الرفع حالا <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> إزالة عينات من الصوانى ووضع في حمام متجرد مقاوم الضوء في درجة حرارة الغرفة لبضع ساعات لرفع قبالة معدنية تترسب على مقاومة للضوء. إذا رغبت في ذلك، رفع درجة حرارة حمام إلى حوالي 50-60 درجة مئوية إلى acceleمعدل انطلاقه. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> إذا لم يكن هذا المعدن تؤتي ثمارها تماما، استخدام زجاجة بخ من مزيل PG لإزالة بقوة المعدن غير مرغوب فيها المتبقي من السطح. لا يصوتن العينة لأن هذا يمكن أن يسبب أسلاك لكسر خالية من المعدن. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> شطف مزيل PG من العينة مع IPA في كوب النفايات المذيبات ووضع العينة إلى دورق نظيفة IPA. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> كرر الخطوة 7.3 باستخدام H 2 O منزوع الأيونات ثم ضربة العينة الجافة باستخدام N 2. </li></ol> 8. الاتصال يصلب أجهزة اختبار قبل يصلب الاتصال من أجل مقارنة هذه مع أجهزة صلب. أداء يصلب الاتصال من الأفلام ني / الاتحاد الافريقي باستخدام annealer الحراري السريع (RTA) مع فائق النقاء N 2 / O 2 (3:1) مثل الغاز العملية. <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> الانتظار على الأقل 24 ساعة بعد إزالة الاتصال المعدنية قبل عينات الصلب، لضمان وصلت الاتصالات المعدن التوازن بعد الترسيب. </li><li&gt; تطهير هيئة الطرق والمواصلات عن طريق تشغيل 2 N 2 / O عند درجة حرارة 650 درجة مئوية لمدة 5 دقائق من دون أي عينات. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> عينات الحمل وضبط معدل تدفق N 2 / O 2-1،4 SLPM. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> عينات يصلب على 550 درجة مئوية لمدة 10 دقيقة. كان معدل زيادة درجة الحرارة ~ 500 درجة مئوية / دقيقة. </li></ol> 9. إزالة ني / الاتحاد الافريقي السينمائي منذ إزالة الفيلم ني / الاتحاد الافريقي هو عملية مدمرة، وعادة ما يتم تصويرها الأجهزة واختبارها قبل هذه الخطوة. ويتضح هذا الإجراء لإزالة الفيلم ني / الاتحاد الافريقي في الشكل 3. <ol style=";text-align:right;direction:rtl"><li style=";text-align:right;direction:rtl"> الانتظار على الأقل 24 ساعة بعد الاتصال يصلب قبل إزالة فيلم ني / الاتحاد الافريقي. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> يلتصق قطعة من العينة من منطقة الفائدة. جعل حجم متأكدا من عينة كبيرة بما فيه الكفاية من أجل الاستيلاء على الحواف مع ملاقط دون لمس مجال الاهتمام. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> تأمين دبوس كعب SEM جبل في حامل بحيث الجبل يمكن نقلها بسهولة أو يؤخذ بها. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> وضع قطعة من جonductive الشريط الكربون مسطحة على سطح جبل. قطعة من الشريط الكربون يجب أن تكون أكبر من مساحة الفيلم الذي هو المراد إزالتها. علامة تبويب الكربون موصل وهذا هو الحجم الدقيق للسطح جبل يعمل بشكل جيد جدا لهذا التطبيق. تطبيق الشريط الكربون أو علامة التبويب إلى سطح جبل ببطء وبعناية للتأكد من أن السطح على نحو سلس قدر الإمكان. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> قبل إزالة الدعم من الشريط، وذلك باستخدام الإصبع، تضغط بشدة على الشريط بحيث يتم التمسك بحزم على سطح جبل. وهذا مهم جدا حتى ان الشريط لا تؤتي ثمارها مع العينة. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> أخذ عينة قطعة المشقوق ووضع بلطف مجال الاهتمام مباشرة على الشريط الكربون على طول حافة جبل ان هذه المنطقة من العينة التي تم استخدامها للتعامل مع مع ملاقط معلقة قبالة (3A الشكل) الحافة. مرة واحدة تم وضع العينة على الشريط، لا إزالته لاعادة تموضع من أجل تجنب تدمير الفيلم ني / الاتحاد الافريقي. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> اضغط بشدة على أسفلإلى الجزء الخلفي من العينة باستخدام ملقط (الشكل 3B). والحرص على عدم الضغط من الصعب جدا على العينة حول حواف جبل لأن هذا يمكن أن يسبب عينة لكسر. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> لإزالة الركيزة، واتخاذ شفرة حلاقة نظيفة أو مشرط ودفع برفق بين الركيزة والشريط على طول حواف العينة (الشكل 3C). كرر هذه العملية بعناية، بايعاز شفرة الحلاقة أبعد قليلا في كل مرة حتى يمكن بسهولة مقشر الركيزة قبالة عن طريق الاستيلاء عليه مع ملاقط. يمكن استخدام الكثير من القوة كسر العينة. للحفاظ على الشريط من نزوله مع الركيزة، وضع زوج من ملقط أو التحقيق على منطقة الشريط الذي هو المجاورة لالركيزة عند التحديق الركيزة من (الشكل 3C). ينبغي أن يظل الفيلم ني / الاتحاد الافريقي صلب انضمت إلى الشريط (الشكل 3D). في المتوسط، وهذا يستغرق حوالي خطوة 1 دقيقة لإكمال. </li><li style=";text-align:right;direction:rtl"> صورة إزالة حديثا فيلم ني / الاتحاد الافريقي باستخدام SEM في أقرب وقت ممكن حتى لق لمراقبة واجهة تتعرض حديثا من الفيلم قبل أن يصبح الملوثة. </li></ol>

<ol><li>Lu, W., Lieber, C. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Semiconductor+nanowires%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Phys.+D%3A+Appl.+Phys%22%5BJournal%5D)">Semiconductor nanowires.</a> J. Phys. D: Appl. Phys. 39, R387-R406 (2006).</li>
<li>Mater Res, A. nnuR. ev 34, 83-122 (2004).</li>
<li>Pettersen, S. V., Grande, A. P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Formation+and+electronic+properties+of+oxygen+annealed+Au%2FNi+and+Pt%2FNi+contacts+to+p-type%5BTitle%5D)+AND+%22%22%5BJournal%5D)">Formation and electronic properties of oxygen annealed Au/Ni and Pt/Ni contacts to p-type.</a> 22, 186-193 (2007).</li>
<li>Chen, L. C., Ho, J. K., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((The+Effect+of+Heat+Treatment+on+Ni%2FAu+Ohmic+Contacts+to+p-Type%5BTitle%5D)+AND+%22%22%5BJournal%5D)">The Effect of Heat Treatment on Ni/Au Ohmic Contacts to p-Type.</a> 176, 773-777 (1999).</li>
<li>Liday, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Investigation+of+NiOx-based+contacts+on+p-GaN%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Mater.+Sci.+Mater.+Electron%22%5BJournal%5D)">Investigation of NiOx-based contacts on p-GaN.</a> J. Mater. Sci. Mater. Electron. 19, 855-862 (2008).</li>
<li>Narayan, J., Wang, H., Oh, T. H., Choi, H. K., Fan, J. C. C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Formation+of+epitaxial+Au%2FNi%2FAu+ohmic+contacts+to+p-GaN%5BTitle%5D)+AND+%22Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Formation of epitaxial Au/Ni/Au ohmic contacts to p-GaN.</a> Appl. Phys. Lett. 81 (21), 3978-3980 (2002).</li>
<li>Ho, J. K., Jong, C. S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Low-resistance+ohmic+contacts+to+p-type+GaN+achieved+by+the+oxidation+of+Ni%2FAu+films%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Appl.+Phys.+Lett%22%5BJournal%5D)">Low-resistance ohmic contacts to p-type GaN achieved by the oxidation of Ni/Au films.</a> J. Appl. Phys. Lett. 86 (8), 4491-4497 (1999).</li>
<li>Herrero, A. M., Blanchard, P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Microstructure+evolution+and+development+of+annealed+Ni%2FAu+contacts+to+GaN+nanowires%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Microstructure evolution and development of annealed Ni/Au contacts to GaN nanowires.</a> Nanotechnology. 23 (36), 5203.1-5203.10 (2012).</li>
<li>Bertness, K. A., Roshko, A., Sanford, N. A., Barker, J. M., Davydov, A. V. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Spontaneously+grown+GaN+and+AlGaN+nanowires%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Crystal+Growth%22%5BJournal%5D)">Spontaneously grown GaN and AlGaN nanowires.</a> J. Crystal Growth. 287, 522-527 (2006).</li>
<li>Herrero, A. M., Bertness, K. A. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Optimization+of+Dispersion+and+Surface+Pretreatment+for+Single+GaN+Nanowire+Devices%5BTitle%5D)+AND+%22J.+Vac.+Sci.+Tech.+B%22%5BJournal%5D)">Optimization of Dispersion and Surface Pretreatment for Single GaN Nanowire Devices.</a> J. Vac. Sci. Tech. B. 30 (6), 2201.1-2201.5 (2012).</li>
</ol>

أعلن عن أي تضارب في المصالح.

تقنية عرض يسمح للتحليل الاتصال / الركيزة والاتصال / NW المجهرية الأجهزة NW احد. المزايا الرئيسية لهذه التقنية منخفضة التكلفة والبساطة. فإنه يسمح للتحليل نوعي وكمي من واجهة الاتصال على نطاق واسع مع الركيزة وكذلك على نطاق submicrometer مع NWS الفردية. استخدام الشريط الكربون لإزالة الفيلم وSEM بذرة دبوس لعينة تصاعد تجعل من الممكن للتحليل باستخدام تقنيات توصيف البيئات التي تتطلب الضغط المنخفض نظيفة. بالإضافة إلى استخدام SEM لتصوير التشكل واجهة، والعديد من تقنيات توصيف أخرى يمكن استخدا...

مصنوعة أجهزة احد NW عن طريق تشتيت تعليق NW على ركيزة العازلة وتشكيل منصات الاتصال على الركيزة عبر ضوئيه التقليدية وترسب المعادن، مما يؤدي إلى مشكلة عشوائيا الأجهزة الطرفية اثنين. وعادة ما يستخدم سميكة شافي 2 الفيلم على رقاقة سيليكون باعتبارها الركيزة العازلة 1،2. للمعادن تترسب على سطح شافي 2، وهو مشكلة شائعة الناتجة عن المعالجة الحرارية هو وقوع تشكيل الفراغ في المعادن / شافي 2 واجهة. بالإضافة إلى تكسير والتبطين للفيلم المعادن، وهذا يمكن تشكيل الفراغ تؤثر سلبا على أداء الجهاز من زيادة في المقاومة الناجمة عن الحد من منطقة التماس. الاتصالات ني / الاتحاد الافريقي تتأكسد في N 2 / O 2 الاجواء هي نظام الاتصال السائدة المطبقة على ف الجاليوم 3-7. خلال المعالجة الحرارية في N 2 / O 2، وينشر ني إلى السطح لتشكيل بظاهرة والاتحاد الافريقي ينشر وصولا الىسطح الركيزة. في هذا العمل، وقد تبين تشكيل الفراغ المفرط في الاتصال / NW والاتصال / شافي 2 واجهات لتحدث أثناء الصلب من الاتصالات ني / الاتحاد الافريقي لNWS على شافي 2 8. مورفولوجيا سطح الفيلم ني / الاتحاد الافريقي صلب، ومع ذلك، لا تشير إلى وجود فراغات أو الدرجة التي حدثت تشكيل الفراغ. لمعالجة هذه المشكلة، قمنا بتطوير تقنية لإزالة الاتصالات ني / الاتحاد الافريقي والجاليوم NWS من شافي 2 / سي ركائز من أجل تحليل واجهة للاتصال مع الركيزة وNWS. هذه التقنية يمكن استخدامها لإزالة أي هيكل الاتصال الذي يحتوي على التصاق الفقراء إلى الركيزة. تتم إزالة الأفلام ني / الاتحاد الافريقي مع الجاليوم NWS جزءا لا يتجزأ منها من الركيزة شافي 2 مع الشريط الكربون. وانضمت الشريط الكربون إلى دبوس معيار جبل لتوصيف عن طريق استخدام المسح الضوئي المجهر الإلكتروني (SEM) جنبا إلى جنب مع العديد من الأدوات الأخرى. الإجراء مفصلة عن القوات المسلحة البورونديةموصوفة rication الأجهزة الجاليوم NW واحد وتحليل الاتصال واجهة التشكل.

<table><tbody><tr><td colspan = "4" > الكواشف والمواد </td></tr> مقاومة <tr><td>الإقلاع</td><td>MicroChem</td><td>LOR 5A</td><td>يختلف وفقا للتطبيق</td></tr> يختلف مقاوم <tr><td>للضوء</td><td>Shipley</td><td>1813</td><td>وفقا للتطبيق</td></tr><tr><td>المطور</td><td>Rohm و Haas Electronic Materials</td><td>MF CD-26</td><td>يختلف وفقا للتطبيق</td></tr><tr><td>متجرد</td> <td>مقاوم للضوءيختلف مزيل النانو</td><td>MicroChem PG</td><td>وفقا للتطبيق</td></tr><tr><td>Ni المصدر</td><td>الدولي للمواد المتقدمة</td><td>99.999٪</td><td></td></tr> نقاء <tr><td>مصدر الاتحاد الأفريقي</td><td>المواد المتقدمة</td><td>الدولية 99.999٪ نقاء</td><td></td></tr><tr><td>SiO2 / Si رقائق</td><td>وادي السيليكون للإلكترونيات الدقيقة</td><td>3 بوصة & lt ؛ 100> N / As 0.001-0.005 ohm-cm ، 200 nm أكسيد</td><td></td>حراري</tr><tr><td>شريط الكربون</td><td>SPI Supplies</td><td>5072 ، 8 مم بعرض</td><td></td></tr> <tr>< td colspan = "4" > المذيبات هي أشباه الموصلات القياسية أو درجة البحث. البائع ليس مهما للنتيجة التجريبية.</td></tr><tr><td colspan = "4" > غازات الحفر الأيونية التفاعلية وغازات التلدين الحراري هي درجة نقاء عالية. البائع ليس مهما للنتيجة التجريبية.</td></tr><tr><td colspan = "4" ><قوي>EQUIPMENT< / قوي></td></tr> <tr><td>منظف بالموجات فوق الصوتية</td><td>Cole-Palmer</td><td>EW-08849-00</td><td></td></tr><tr><td>ماصة دقيقة</td> منخفضة الطاقة <td>Rainin</td><td>PR-200</td><td>مقننة ، نصائح التخلص</td></tr> من <tr><td>النقش الأيوني التفاعلي</td><td>SemiGroup</td><td>RIE 1000 TP</td><td>يستخدم البائعون الآخرون أيضا مع معلمات عملية مختلفة</td></tr><tr><td>محاذاة القناع</td><td>Karl Suss</td><td>MJB3</td><td>يستخدم البائعون الآخرون أيضا مع معلمات عملية مختلفة</td></tr><tr><td>منظف الأوزون بالأشعة فوق البنفسجية</td><td>Jelight</td><td>Model 42</td> يستخدم <td>البائعون الآخرون أيضا مع معلمات عملية مختلفة</td></tr><tr><td>مبخر شعاع إلكتروني</td><td>CVC</td><td>SC-6000</td><td>يستخدم البائعون الآخرون أيضا مع معلمات عملية مختلفة</td></tr><tr>< td colspan = "4" > * يتم إعطاء الشركات المصنعة وأسماء المنتجات فقط من أجل الاكتمال. لا تشكل هذه الاستشهادات المحددة تأييدا للمنتج من قبل NIST ولا تعني أن المنتجات المماثلة من الشركات الأخرى ستكون أقل ملاءمة.</td></tr></tbody></table>

تحليل الاتصال واجهات لأجهزة أسلاك متناهية الصغر واحدة الجاليوم

Analysis of Contact Interfaces for Single GaN Nanowire Devices

واحد الجاليوم أسلاك متناهية الصغر (شمال غرب) الأجهزة ملفقة على شافي 2 يمكن أن يحمل تدهور قوية بعد الصلب بسبب وقوع تشكيل الفراغ في الاتصال / شافي 2 واجهة. هذا تشكيل الفراغ يمكن أن يسبب تكسير والتبطين للفيلم المعدنية، والتي يمكن أن تزيد من المقاومة أو تؤدي إلى الفشل الكامل للجهاز NW. من أجل معالجة القضايا المرتبطة تشكيل الفراغ، تم تطوير تقنية التي تزيل ني / الاتحاد الافريقي الأفلام الاتصال معدن من ركائز للسماح لفحص وتوصيف الاتصال / الركيزة واجهات اتصال / NW الأجهزة الجاليوم NW احد. يحدد هذا الإجراء درجة الالتصاق من الأفلام اتصال لالركيزة وNWS ويسمح لتوصيف التشكل وتكوين واجهة اتصال مع الركيزة وأسلاك. هذه التقنية مفيدة أيضا لتقييم كمية التلوث المتبقية التي لا تزال من NW التعليق علىالثانية من عمليات الطباعة بصفائح معدة ضوئيا على سطح NW-شافي 2 قبل ترسب المعادن. يتم عرض خطوات تفصيلية من هذا الإجراء لإزالة صلب الاتصالات ني / الاتحاد الافريقي لالمغنيسيوم مخدر الجاليوم NWS على شافي 2 الركيزة.

ويرد مثال على تحليل ووزارة شؤون المرأة في صلب الأفلام ني / الاتحاد الافريقي إزالتها من الركيزة شافي 2 باستخدام الشريط الكربون في الشكل 4. يظهر سطح الاتصال ني / الاتحاد الافريقي قبل إزالة في الشكل 4A. يظهر الجانب السفلي من نفس المنطقة من معين هذا الفيلم ني / الاتحاد الافريقي بعد إزالة في الشكل 4B. مقارنة بين السطح والتشكل السفلي يمكن أن تساعد في تحديد ما إذا كان هناك علاقة بين الاثنين. على سبيل المثال، عند مقارنة الصورتي...

وقد تم تطوير تقنية التي تزيل ني / الاتحاد الافريقي الأفلام الاتصال معدن من الركيزة للسماح لفحص وتوصيف الاتصال / الركيزة واجهات اتصال / NW الأجهزة الجاليوم أسلاك متناهية الصغر واحدة.

Single GaN nanowire (NW) devices fabricated on SiO2 can exhibit  a strong degradation after annealing due to the  occurrence of void formation at the ...

الهدف العام من هذا الإجراء هو السماح بفحص وتوصيف الواجهات البينية بين الركيزة الملامسة والأسلاك النانوية في أجهزة السلك النانوي الواحد من نتريد الغاليوم. يتم تحقيق ذلك أولاً عن طريق تحضير معلق من الأسلاك النانوية وتوزيعه على ركيزة. وتتمثل الخطوة الثانية في ترسيب ملامسات النيكل والذهب على الأسلاك النانوية ثم تلدين العينة.تتمثل الخطوة النهائية في إزالة نقاط تلامس الذهب والنيكل من الركيزة عن طريق لصقها بشريط كربوني. وفي النهاية، يُستخدم المجهر الإلكتروني الماسح لفحص واجهات التلامس للكشف عن تكون أي فراغات. يمكن لهذه الطريقة أن تساعد في الإجابة على التساؤلات المتعلقة بكيفية معالجة الأسلاك النانوية شبه الموصلة.وعلى وجه التحديد، تمنحنا هذه الطريقة وسيلة لتقييم مدى جودة التصاق التلامسات المعدنية بالأسلاك النانوية في الركيزة المحيطة. ويُعد العرض المرئي لهذه الطريقة أمراً هاماً لأن تقنيات تشتيت الأسلاك النانوية ونقل الغشاء قد يكون تعلمها صعباً، إذ يمكن للتفاصيل الصغيرة المتعلقة بالتعامل والوضع أن تؤثر بشكل كبير على المردود. كنت أفحص العينة باستخدام SEM عندما لاحظت أن منطقة من التلامس المعدني قد بدأت في الارتفاع والابتعاد عن الركيزة.عندما فحصت الأمر عن كثب، لاحظت أن الجانب السفلي من التلامس يتميز بهذه المورفولوجيا غير العادية للغاية. وللحصول على رؤية أفضل لتلك المورفولوجيا في الجانب السفلي، قمت بتطوير هذه التقنية؛ للبدء، قم بفصل قطعة صغيرة من أسلاك نتريد الغاليوم النانوية المنسجمة (as grown) على ركيزة سيليكون 1 1 1 وضعها في قارورة صغيرة تحتوي على 1 mL من الإيزوبروبانول. قم بإجراء المعالجة بالسونيكة للقارورة لمدة 30 ثانية لإزالة الأسلاك النانوية من ركيزة التثبيت الخاصة بها.بعد ذلك، يتم تنظيف رقاقة السيليكون عن طريق غمرها وجهها لأسفل في الأسيتون باستخدام حامل ثلاثي القوائم. وبعد مرور خمس دقائق، تُرفع الرقاقة من الأسيتون ويُشطف كلا جانبيها باستخدام زجاجة رش تحتوي على الإيزوبروبانول. ثم تُغمر الرقاقة في دورق يحتوي على 100 milliliters من الإيزوبروبانول.بعد مرور خمس دقائق، أخرج الرقاقة واشطفها بالماء منزوع الأيونات قبل وضعها في دورق آخر يحتوي على ماء منزوع الأيونات. وبعد بقاء الرقاقة في الماء لمدة خمس دقائق، أخرجها وجففها بتيار من النيتروجين. مرة أخرى، قم بإجراء المعالجة بالموجات فوق الصوتية لقارورة الأسلاك النانوية لمدة 30 ثانية.بعد ذلك، يتم سحب 30 µL من المحلول بواسطة الماصة وتوزيعها على كل منطقة من المناطق الثلاث على السطح المؤكسد لرقاقة ربعية نظيفة، مع التأكد من استواء الرقاقة لضمان عدم انتقال معلق الأسلاك النانوية نحو الحواف. وبعد تبخر القطرة الأخيرة من معلق الأسلاك النانوية، توضع العينة في حمامات متتالية من الأسيتون ثم الإيزوبروبانول لإزالة الشوائب غير المرغوب فيها.بعد ذلك، اشطف ربع الرقاقة بالماء منزوع الأيونات وجففها باستخدام النيتروجين. لا تستخدم زجاجات الرش أو جهاز السونيكيتور للمذيب أثناء عملية التنظيف. ولتجنب الإزالة المفرطة للأسلاك النانوية من السطح، أضف طبقة من LOR five A liftoff.قم بوضع المادة المقاومة (resist) على رقاقة السيليكون التي تحتوي على الأسلاك النانوية المشتتة عن طريق إضافة من 1 إلى 2 مل من المادة المقاومة فوق الأسلاك النانوية، ثم قم بطلاء العينة بالدوران (spin coat) بسرعة 300 RPM لمدة 10 ثوانٍ، تليها سرعة 2000 RPM لمدة 45 ثانية. بعد عملية الدوران، قم بإزالة بقايا LOR five A من حواف العينة عن طريق مسحها باستخدام micro chem nano EBR pg. ثم انقل العينة إلى لوح تسخين واخبزها في درجة حرارة تتراوح من 150 إلى 170 °C.بعد مرور خمس دقائق، أخرج العينة من لوح التسخين واتركها تبرد لمدة 30 ثانية. وبمجرد أن تبرد، أعد العينة إلى جهاز الطلاء الدوراني وأضف من 1 إلى 2 مل من المقاوم الضوئي mega deposit SPR 6 61 0.0 لتغطية السطح، ثم قم بطلاء العينة دورانيًا لمدة 35 ثانية بسرعة 3000 RPM.بعد ذلك، يتم نقل العينة إلى لوح تسخين وخبزها لمدة دقيقة واحدة عند 95 °C. ثم، يتم تحميل القناع تليها العينة في جهاز محاذاة القناع. يتم تعريض العينة لجرعة قدرها 240 mJ/cm².بعد ذلك، يتم تحميض المقاوم الضوئي عن طريق تحريك العينة في بيكر يحتوي على micro posit MF 26، وهو مظهر ضوئي، لمدة 60 ثانية تقريبًا أو حتى يكتمل التحميض تمامًا. وبمجرد الانتهاء من التحميض، تُشطف العينة بالماء منزوع الأيونات ثم تُجفف بتيار من النيتروجين. تُوضع العينات في مولد أوزون بالأشعة فوق البنفسجية (UV ozone generator) وتُعرض للأوزون لمدة 10 دقائق مع تمرير أكسجين عالي النقاوة بمعدل تدفق قدره 80 standard cubic centimeters per minute عبر الجهاز.بعد المعالجة بنطاق OZ، ضع العينات في مزيج من حمض الهيدروكلوريك بتركيز 10% لمدة دقيقة واحدة في درجة حرارة الغرفة. ثم أخرج العينات واشطفها بالماء منزوع الأيونات وجففها بتيار من النيتروجين. قم بتثبيت العينات الجافة في مبخر الحزمة الإلكترونية عن طريق تأمينها إلى البلاتين باستخدام البراغي والمشابك.بعد ذلك، قم بتثبيت البلاتين في المبخر ذو الحزمة الإلكترونية ووضع بوتقات النيكل والذهب داخل الجهاز. قم بتفريغ الغرفة باستخدام المضخة حتى ينخفض الضغط إلى أقل من 1 µtorr. وبناءً على قوة المضخة، قد تستغرق هذه العملية بضع ساعات أو ليلة كاملة.بعد ذلك، اضبط الجهد العالي على 10 kilovolts، وتأكد من إغلاق الغالق، وابدأ في تدوير العينات بسرعة 5 RPM. بعد ذلك، اختر بوتقة النيكل واضبط معدل الترسيب على 0.1 nanometers per second، ثم رسب 500 nanometers من النيكل على العينات. عند الانتهاء، اترك المصدر ليبرد لمدة 15 minutes ثم انتقل إلى بوتقة الذهب.اضبط معدل ترسيب الذهب عند 0.1 nanometers per second ورسّب 100 nanometers على العينات. وبمجرد انتهاء عملية الترسيب، انتظر لمدة 10 minutes حتى تبرد بوتقة الذهب، ثم قم بتنفيس الغرفة وإخراج عينة الـ Platin. أخرج العينات من الـ PLA وضعها في حمام من الـ photo reist.يُوضع المُزيل في درجة حرارة الغرفة لبضع ساعات لإزالة المعدن المترسب على المقاوم الضوئي، وإذا رُغب في ذلك، يمكن رفع درجة حرارة الحمام إلى حوالي 50 إلى 60 درجة Celsius لتسريع العملية. تتم عملية الإزالة بعد بضع ساعات. تحقق مما إذا كان المعدن قد انفصل عن المقاوم الضوئي.استخدم ماصة أو زجاجة رش من مزيل المقاومة الضوئية لإزالة أي بقايا معدنية غير مرغوب فيها من السطح بقوة. بعد ذلك، اشطف العينة بأكملها باستخدام الإيزوبروبانول، يليه الماء منزوع الأيونات، ثم جفف العينات باستخدام النيتروجين بعد الإزالة، مع تركها لمدة 24 ساعة على الأقل قبل إجراء عملية التلدين للعينات.بعد ذلك، قم بتطهير جهاز التلدين الحراري السريع باستخدام خليط مكون من ثلاثة أجزاء من النيتروجين إلى جزء واحد من الأكسجين بمعدل تدفق 1.4 liters per minute عند 650 °C لمدة خمس دقائق دون وجود أي عينات بداخله. بعد ذلك، خفّض درجة الحرارة إلى 550 °C. قم بتحميل العينات وتلدينها لمدة 10 minutes.ابدأ بوضع قطعة من الشريط الكربوني بعناية على قاعدة تثبيت دبوس المجهر الإلكتروني الماسح (SEM pin stub mount) بحيث يكون الشريط أملس قدر الإمكان. قبل إزالة الطبقة الخلفية للشريط، استخدم إصبعك للضغط بقوة على الشريط لضمان التصاقه بإحكام بالقاعدة. خذ العينة وضع المنطقة المراد فحصها برفق مباشرة على الشريط الكربوني على طول حافة القاعدة، بحيث يكون جزء العينة الذي استُخدم للإمساك به بواسطة الملاقط معلقاً خارج الحافة.بمجرد وضع العينة على الشريط، لا تقم بإزالتها لإعادة تحديد موقعها. ومن أجل تجنب إتلاف الغشاء، اضغط بقوة على ظهر العينة باستخدام الملقط. احرص على عدم الضغط بقوة مفرطة حول حواف التثبيت لأن ذلك قد يؤدي إلى كسر العينة.بعد ذلك، خذ شفرة حلاقة نظيفة أو مشرطاً وقم بدفعه بلطف بين الركيزة والشريط على طول حواف العينة حتى يمكن تقشير الركيزة بسهولة عن طريق إمساكها بملقط. قد يؤدي استخدام قوة مفرطة إلى كسر العينة لمنع انفصال الشريط مع الركيزة. ضع ملقطاً على منطقة الشريط المجاورة للركيزة.عند نزعه، يجب أن يظل غشاء الذهب والنيكل المتأثر ملتصقاً بالشريط اللاصق، ويتم فحص غشاء الذهب والنيكل الذي تمت إزالته حديثاً باستخدام SEM في أسرع وقت ممكن لملاحظة الواجهة المكشوفة حديثاً للغشاء قبل أن تتعرض للتلوث. تظهر هنا صور SEM لغشاء Al والنيكل والذهب قبل وبعد إزالته من ركيزة ثاني أكسيد السيليكون باستخدام شريط كربوني. العينة الموجودة على اليمين لم تخضع لأي عملية تنظيف قبل ترسيب المعدن، مما أدى إلى تلوث متبقٍ نتج عنه توزيع غير منتظم للفراغات، وفراغات كبيرة عيانية تشبه البثور.أحد التطبيقات الهامة لهذه التقنية هو تحليل مورفولوجيا الواجهة بين الأسلاك النانوية ونقاط التلامس، وذلك من خلال صور مجهر التباين الكيميائي (CM) للجانب السفلي من أغشية النيكل والذهب المنحنية التي تم ترسيبها على أسلاك نانوية موزعة على ثاني أكسيد السيليكون. وتظهر هنا الركائز السيليكونية. وتسمح الصور عالية التكبير، مثل تلك التي تظهر على الجانب الأيمن، بفحص الواجهة بين الأسلاك النانوية ونقاط التلامس.تفتقر صورة SCM الموجودة في أسفل اليمين إلى السلك النانوي، مما يتيح دراسة الواجهة بين التلامس والسلك المفقود بسهولة أكبر. يمكن أن يؤدي وجود هذا التلوث المتبقي إلى زيادة ملحوظة في عدد الفراغات الملاحظة عند الواجهة بين التلامس والركيزة. ومن خلال تحديد درجة تكوين الفراغات عند الواجهة بين التلامس والركيزة، يمكن تقييم فعالية طرق التنظيف المختلفة.ركزت هذه التجارب على فعالية طرق التنظيف المختلفة قبل ترسيب الذهب والنيكل على ثاني أكسيد السيليكون لإزالة التلوث المتبقي. وهذا يبرز الميزة الواضحة لاستخدام التنظيف بمنطقة UVO وحمض HCL قبل ترسيب المعادن. بعد مشاهدة هذا الفيديو، يجب أن يتكون لديك تصور جيد عن كيفية توزيع الأسلاك النانوية على ترسيب ركيزة جديدة، وتكوين وصلات معدنية للأسلاك النانوية، وإزالة الوصلات المعدنية لفحص واجهة اتصال الأسلاك النانوية باستخدام هذا الإجراء.يمكن إجراء تقنيات إضافية مثل مطيافية الأشعة السينية المشتتة للطاقة من أجل الإجابة على أسئلة إضافية مثل تكوين الطبقة.

analysis-of-contact-interfaces-for-single-gan-nanowire-devices

Research

JoVE Journal

Engineering

الهندسة

نحن تصف تصنيع الجهاز وبروتوكول القياس لأنابيب الكربون القائمة على أجهزة الاستشعار عالية التردد. تردد تقنية الاستشعار عالية يخفف من الأيونية الأساسية (ديباي) تأثير الفحص ويسمح أنابيب جهاز الاستشعار البيولوجي وسيتم تشغيلها في حلول عالية القوة الأيونية حيث فشل أجهزة الاستشعار الالكترونية التقليدية. توفر التكنولوجيا لدينا منصة فريدة لنقطة من الرعاية (POC) أجهزة الاستشعار الإلكترونية التي تعمل في ظروف ذات الصلة من الناحية الفسيولوجية.

تصنيع الكربون الأنابيب الجزيئية عالي التردد الكترونيات النانو جهاز الاستشعار البيولوجي للاستشعار عالية في حلول القوة الأيونية

وتعرض هذه الورقة على بروتوكول تلفيق مفصلة لبوابة المعرفة من قبل أشباه الموصلات النقاط الكمومية الجانبية على heterostructures الغاليوم. وتستخدم هذه الأجهزة النانومترية الحجم إلى اعتراض بعض الإلكترونات للاستخدام كما بت الكم في معالجة المعلومات الكمومية أو لإجراء التجارب جرحشاعثزرحشرتاد أخرى مثل قياسات تصرف متماسك.

النانوية من بوابة المعرفة الغاليوم / AlGaAs الجانبي نقاط الكم

يتم توفير إجراء مفصل لتعاطي المنشطات السطحية لواجهات السيليكون. يتم إثبات المنشطات السطحية الضحلة للغاية باستخدام طبقات أحادية تحتوي على الفوسفور وعملية التلدين السريعة. يمكن استخدام هذه الطريقة لتعاطي المنشطات لأسطح المنطقة العيانية وكذلك الهياكل النانوية.

الاتصال أحادي الطبقة المنشطات من السيليكون السطوح والأسلاك المتناهية الصغر عن طريق المركبات الفوسفورية العضوية

يمكن للأسلاك النانوية الفضية نقل الإلكترونات والمعلومات الضوئية في وقت واحد في شكل بلازمونات سطحية. ويوصف هنا إجراء لتحقيق مثل هذه الدوائر المشتركة وتقييم القيود المفروضة على نشر كل من حاملي المعلومات.

تقييم النقل Plasmonic في سيلفر الحالية الحاملة الأسلاك المتناهية الصغر

نصف مناهج تصنيع الجهاز والتوصيف الكهربائي للهياكل النانوية لأشباه الموصلات لطبقة الموليبدينوم ديسيلينيد (MoSe2) بسماكات مختلفة. بالإضافة إلى ذلك ، يتم وصف تصنيع جهات الاتصال الأومية للبلورات النانوية المكونةمن 2 طبقة من MoSe بطريقة ترسيب شعاع الأيونات المركزة باستخدام البلاتين (Pt) كمعدن تلامس.

أومية الاتصال التصنيع باستخدام تقنية تركز أيون شعاع وتوصيف الكهربائية للطبقة أشباه الموصلات النانوية

يتم تقديم طريقة لنمو الأنابيب النانوية الكربونية المحاذاة رأسيا ذات درجة الحرارة المنخفضة ، والتصنيع اللاحق لهياكل الاختبار الكهربائية الرأسية باستخدام تصنيع أشباه الموصلات.

تلفيق درجة الحرارة منخفضة الكربون الأنابيب الجزيئية عمودي روابط متوافق مع تكنولوجيا أشباه الموصلات

نصف الخطوات الرئيسية للاستشعار الحيوي باستخدام ترانزستورات التأثير الميداني للأسلاك النانوية من البولي سيليكون ، بما في ذلك تحضير الجهاز وتثبيت وتأكيد مسبار جزيئي للحمض النووي على سطح الأسلاك النانوية ، بالإضافة إلى شروط استشعار الحمض النووي.

إعداد السيليكون أسلاك متناهية الصغر حقل التأثير الترانزستور لتطبيقات كيميائية وBiosensing

في هذه الورقة، وتدفق ويتجلى ديليكتروفوريسيس مساعدة للتجميع الذاتي لأجهزة أسلاك متناهية الصغر. ويرد تصنيع الترانزستور تأثير المجال أسلاك متناهية الصغر السليكون كمثال.

ديليكتروفوريسيس ساعد تدفق: طريقة منخفضة تكلفة لتصنيع الأجهزة عالية الأداء الحل مفهرسة أسلاك متناهية الصغر

نقدم هنا، بروتوكولا للتحكم في عدد الناقل في المواد الصلبة باستخدام الكهرباء.

المجال الكهربائي لسيطرة الدول الإلكترونية في نانوديفيسيس2 WS بالكهرباء النابضة

نقدم هنا، بروتوكولا لقياس الكهروكيميائية اللاحقة من الاصطدامات نانوحبيبات واحدة وتلفيق القطب نانوبوري لاسلكية مغلقة.

قطب نانوبوري لاسلكية مغلقة لتحليل واحد جسيمات نانوية

يصف هذا البروتوكول استخدام أسلاك السيليكون النانوية للتشكيل الحيوي البصري داخل الخلايا في طريقة بسيطة وسهلة الأداء. هذه التقنية هي قابلة للتكيف مع أنواع الخلايا المتنوعة ويمكن استخدامها في المختبر وكذلك في التطبيقات الحية.

أسلاك السيليكون النانوية والتحفيز البصري للتحقيقات من اقتران داخل وفيما بين الخلايا الكهربائية

اكتشف طريقة لإزالة طبقات النيكل/الذهب لتحليل واجهات أسلاك GaN النانوية الفردية باستخدام المجهر الإلكتروني الماسح. تساعد هذه التقنية الباحثين على دراسة تشكيل الفجوات وتحسين أداء أجهزة أشباه الموصلات.

تحليل الاتصال واجهات لأجهزة أسلاك متناهية الصغر واحدة الجاليوم

استكشف المزيد من الفيديوهات