الإلكترون توجيه التباين التصوير لرابيد III-V Heteroepitaxial توصيف

11K مشاهدة

استشهد بها 22

07:50 دقيقة

يوليو 17, 2015

10.3791/52745-v

يوليو 17, 2015

11K مشاهدة

Julia I. Deitz¹ , Santino D. Carnevale² , Steven A. Ringel³ , David W. McComb³ , Tyler J. Grassman¹^,²

¹Department of Materials Science and Engineering, The Ohio State University, ²Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University, ³Institute of Materials Research, The Ohio State University

تم وصف استخدام تصوير تباين توجيه الإلكترون في المجهر الإلكتروني الماسح لتوصيف العيوب في الأغشية الرقيقة غير المتجانسة III-V / Si. تسفر هذه الطريقة عن نتائج مماثلة للفحص المجهري الإلكتروني للإرسال ، ولكن في وقت أقل بكثير بسبب عدم وجود إعداد مطلوب للعينة.