الإلكترون توجيه التباين التصوير لرابيد III-V Heteroepitaxial توصيف

يتمثل المفهوم الأساسي لهذه التقنية في استخدام توجيه الإلكترون وظواهر التشتت الخلفي داخل المجهر الإلكتروني الماسح كطريقة للتصوير القائم على الحيود للعيوب البلورية. باستخدام نمط توجيه الإلكترون للتوجيه ، يتم توجيه العينة داخل المجهر لإنشاء ظروف حيود براج بين شعاع الإلكترون والطائرات البلورية. ينتج عن هذا توجيه الإلكترون وبالتالي انخفاض إنتاجية التشتت الخلفي.

عندما تكون في ظروف الحيود ، تخلق العيوب البلورية اضطرابات في المستويات الشبكية التي تشتت الإلكترونات خارج الحزمة الموجهة ، مما يخلق مناطق موضعية من إشارة التشتت الخلفي المتزايدة. يمكن تصوير ميزات الخلل هذه بشكل فعال عن طريق مسح شعاع الإلكترون عبر سطح العينة ورسم خرائط إشارة التشتت الخلفي للإلكترون. الصور الناتجة تعادل تلك التي تم الحصول عليها عبر TEM ، ولكن يتم إنتاجها في جزء بسيط فقط من الوقت ، مما يجعلها تقنية توصيف سريعة قوية مع تطبيقات في مجموعة واسعة من مجالات أبحاث المواد البلورية ، وتوصيف العيوب البلورية والبنية المجهرية مهم للغاية لكل مجال من مجالات أبحاث المواد.