تأثير الانحناء على الخصائص الكهربائية من الترانزستورات مجال التأثير على أساس الكريستال مرنة عضوي واحدة

الهدف العام من هذا العمل هو توضيح كيف سيؤثر ثني الركيزة المسطحة على خاصية ترانزستور تأثير المجال ، الذي يتم إعداده على الركيزة. يمكن أن تساعد هذه الطريقة في الإجابة على الأسئلة الرئيسية في الأجهزة الإلكترونية المرنة. بما في ذلك ، كيف سيؤثر ثني الركيزة على أداء الجهاز الذي يستخدم الترانزستورات العضوية.

الميزة الرئيسية لهذه التقنية ، هي تلك البيانات الكمية الواسعة ، في اتجاه الانحناء المختلف. وأدلة حول ترتيبات التعبئة في الكريستال العضوي. قم بإعداد نموذج TCDAP كما هو موضح في بروتوكول النص.

ضع العينة في أحد طرفي القارب ، وقم بتحميل القارب في أنبوب داخلي زجاجي. قم بتحميل الأنبوب الداخلي في أنبوب زجاجي أطول ، وادفعه على بعد حوالي 17 سم من الفتحة. بعد ذلك ، قم بتحميل الأنبوب الزجاجي الطويل في أنبوب نحاسي مثبت أفقيا على رف.

تأكد من أن قارب TCDAP يقع في منتصف منطقة التسخين ، ويتم تحديده بواسطة شريط تسخين حول الأنبوب النحاسي. قم بتطهير نظام PBT بغاز الهيليوم بمعدل تدفق 30 سم مكعب في الدقيقة. ثم قم بتشغيل المحول لتسخين شريط التسخين إلى 310 درجة مئوية.

حافظ على درجة الحرارة هذه لمدة يومين. بعد تبريد النظام إلى درجة حرارة الغرفة ، اجمع البلورات من الأنبوب الداخلي. ضع شريطا على الوجهين على مادة البولي إيثيلين تيريفثاليت شفافة بسمك 200 ميكرون أو الركيزة PET.

افحص البلورات تحت مجهر ستيريو. حدد بلورات لامعة ذات نوعية جيدة ، بأبعاد حوالي 5 ملليمترات × 0.03 ملم لتصنيع الجهاز. ضع إبرة مثل بلورة TCDAP بالتوازي مع طول ركيزة PET على الشريط المزدوج الوجهين ، وقم بإصلاحها بإحكام.

تحت مجهر ستيريو ، قم بتطبيق الجرافيت الغروي المائي من خلال إبرة حقنة ميكرولتر ، في خط يمتد من طرفي البلورة ، ويعمل كمصدر واستنزاف. انتظر حوالي 30 دقيقة حتى يجف الجرافيت الغروي، وقم بقياس المسافة بين بقعتي الجرافيت تحت المجهر البصري، لتحديد رابط القناة الدقيق. استخدم شريطا موصلا للكربون لتثبيت ركيزة PET على شريحة مجهرية.

ضع الشريحة بالقرب من نهاية أنبوب الشلل في غرفة الترسيب. تزن صفر نقطة خمسة جرامات من مقدمة العازل العازل ، باراسيكلوفان ، وضعها بالقرب من مدخل أنبوب الشلل. ضخ النظام إلى فراغ من 10 إلى سالب 2 تور.

قم بتسخين منطقة الشلل بالقرب من مركز الأنبوب إلى درجة حرارة محددة مسبقا تبلغ 700 درجة مئوية ، وحافظ عليها عند درجة الحرارة هذه. قم بتسخين عينة Paracylophane إلى 150 درجة مئوية. سوف تمر أبخرة السلائف عبر منطقة الشلل ، لإعطاء المونومرات.

والتي سوف تتكثف بالقرب من نهاية أنبوب الشلل وتبلمر لتشكيل طلاء بوليمر. بعد استمرار تفاعل بلمرة الشلل لمدة ساعتين ، قم بتبريد النظام وإخراج العينات من أنبوب الشلل. تحديد سمك طبقة البوليمر العازلة المترسبة ، عن طريق قياس ارتفاع خطوة طبقة البوليمر على الركيزة باستخدام مقياس التدقيق وفقا لتعليمات الشركة المصنعة.

ضع الجرافيت الغروي ذو القاعدة الأيزوبروبانول من خلال إبرة حقنة ميكرولتر ، لتشكيل خط على الجزء الخلفي من الطبقة العازلة ، فوق البلورة ، ليكون بمثابة قطب البوابة. استخدم المشرط لقطع ثقب من خلال الفيلم العازل البوليمري ، فوق منطقة قطب تصريف المصدر لفضح الأقطاب الكهربائية الموجودة تحتها للتوصيل. بمساعدة حامل في المشابك ، قم بإحضار مجسات القطب الكهربائي من محلل المعلمات لملامسة أقطاب بوابة تصريف المصدر.

سجل الخصائص الوريدية عند إمكانات البوابة المختلفة وفقا لتعليمات الشركة المصنعة. لقياس الخصائص في حالة بهرج ، قم بلف الجانب الخلفي من ركيزة PET المرنة حول أسطوانات ذات أنصاف أقطار مختلفة ، وقم بتثبيت ركيزة PET للأسطوانة من أربعة جوانب بشريط مفرغ. قم بتوصيل المجسات ، بحيث تقوم أقطاب بوابة التصريف المصدر وقياس الخصائص الوريدية عند إمكانات البوابة المختلفة ، كما كان من قبل.

للقياس في حالة الانضغاط ، لف نصف الجانب الأمامي من ركيزة PET حول نهاية الأسطوانة ، بحيث تواجه أقطاب بوابة تصريف مصدر البلورة الأسطوانة ، ومع ذلك لا تزال مكشوفة. قم بتثبيت ركيزة PET على الأسطوانة بشريط مفرغ. أخيرا ، قم بتوصيل المجسات بأقطاب بوابة تصريف المصدر ، وقم بقياس الخصائص الوريدية عند إمكانات البوابة المختلفة كما كان من قبل.

يظهر ترانزستور تأثير المجال البلوري الفردي العلوي المحضر على ركيزة مرنة. بالإضافة إلى المخططات التخطيطية لتجربة الانحناء. يظهر الانحناء التصاعدي ، أو حالة الانضغاط ، بالإضافة إلى حالة الانحناء الهابط أو الزهرج.

هنا تراكب لخصائص النقل لجهاز ترانزستور تأثير المجال أحادي البلورة TCDAP في حالة الانحناء الهابط. يتم أيضا عرض تراكب لخصائص النقل لجهاز ترانزستور تأثير المجال أحادي البلورة TCDAP في حالة الانحناء الصاعد. تعرض هذه المخططات الحركة المقاسة كدالة لنصف قطر الانحناء للأجهزة القائمة على البلورة المفردة TCDAP ، للانحناء الهابط والانحناء لأعلى.

تباينت حركة التأثير الميداني لجهاز البلورة المفردة في الاتجاه المعاكس ، اعتمادا على اتجاه الانحناء. والتي قد تكون بسبب التغيرات في ترتيب تعبئة الجزيئات في البلورة. تم تصميم هذه التجربة لفهم خاصية الجهاز للترانزستورات العضوية ، عند ثني ركيزة الجهاز.

استخدمت هذه التجربة بلورات مفردة من الموصل العضوي كمادة قناة. للقضاء على المضاعفات المنهجية. يعد اختيار البلورة المفردة بالحجم والجودة المناسبين أمرا مهما.

يعد استخدام الشريط على الوجهين أمرا ضروريا للحفاظ على اتصال مستمر بين البلورة العضوية والطبقة العازلة ، بحيث يمكن الحصول على نتيجة قابلة للتكرار. عند ثني نهاية الجهاز لأعلى للوصول إلى حالة الانضغاط عن طريق الالتفاف حول الأسطوانة يتم لف الجهاز في نهاية الأسطوانة بحيث يتعرض نصف الجهاز للهواء. هذا سمح إذا المعلمة وأن يكون ملامسة مع أقطاب كهربائية.

يشير إلى أنه في حالة الانضغاط ، تزداد الحركة ، وأكثر من ذلك ، مع انحناء أعلى. بينما في حالة بهرج ، تنخفض الحركة ، وأيضا المزيد من الانخفاض ، مع انحناء أعلى للانحناء. بدلا من العلاقة بين الحجامة الإلكترونية والحركة ، يتم ترشيد النتائج لتكون بسبب التغيرات في المسافة بين الجزيئات في البلورة ، عند الانحناء.

تسمح هذه الطريقة بقياسات التيارات في حالة الزينة وكذلك في حالات الانضغاط. وهو أكثر تمثيلا للوضع الحقيقي. وتسمح هذه الطريقة أيضا بقياس مجموعة متنوعة من الخصائص الكهربائية مباشرة على ركيزة مرنة.