تصنيع شوتكي الثنائيات في هيتيروستروكتوري بيمجزنو/أكسيد الزنك Zn القطبية نمت تنضيد الحزمة الجزيئية مساعدة البلازما

10K مشاهدة

14:16 دقيقة

أكتوبر 23, 2018

10.3791/58113-v

أكتوبر 23, 2018

10K مشاهدة

تحقيق اتصالات شوتكي عالية الجودة أمر ضروري لتحقيق تعديل بوابة فعالة في هيتيروستروكتوري مجال تأثير الترانزستورات (هفيتس). نقدم منهجية التلفيق وخصائص شوتكي الثنائيات في هيتيروستروكتوريس بيمجزنو/أكسيد الزنك Zn القطبية مع الغاز إلكترون الأبعاد اثنين عالية الكثافة (2DEG)، نمت تنضيد الحزمة الجزيئية مساعدة البلازما في قوالب قان.

استكشف المزيد من الفيديوهات

بنية BeMgZnO غير المتجانسة

Chapters in this video

0:04

Title

1:01

Growth and Preparation of GaN Template by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)

4:42

Molecular Beam Epitaxy (MBE) Growth of BeMgZnO/ZnO Heterostructures

8:35

Schottky Diode Fabrication

10:09

Results: Characterization of Zn-Polar Be0.02Mg0.26ZnO/ZnO Heterostructures and Ag/Be0.02Mg0.26ZnO/ZnO Schottky Diodes

12:07

Conclusion

Related Videos