晶体生长：结晶原理

结晶是一种相变过程，晶体从饱和溶液等来源中形成，通常伴随着溶液的冷却。

结晶过程始于初级成核，即从不含任何预先存在的晶体以促进该过程的澄清溶液开始。初级成核分为同质成核和异质成核两种类型。

在异相成核过程中，晶体在尘埃颗粒等成核表面上形成。相比之下，均相成核则发生在不含任何异相微粒的澄清溶液中。

在二次成核过程中，晶体的生长是由于引入的晶种等母体晶体所导致的。

达到临界簇尺寸的成核簇会生长并形成更大的晶体，而半径较小的成核簇则会发生溶解。

当溶质在溶剂中的浓度与溶解度之比，即过饱和度比值 S，超过1时，便会发生晶体生长。通过溶剂蒸发提高溶质浓度，或通过降低温度减小溶质的溶解度，均可增大 S 的值。

结晶法常用于制造活性药物成分。