原子核的抗磁屏蔽：局部抗磁电流

在分子中，外加磁场B₀，导致原子核周围的电子密度发生流动，形成局部抗磁性电流，从而产生局部磁场， B_局部，相反 B₀.

因此，这些原子核所感受到的有效磁场 B_effective 等于 B₀ 减去 B_local，这一现象称为局部抗磁屏蔽。

本质上，B_local 随着原子核周围电子密度的增加而增大，导致屏蔽效应增强，B_effective 降低。

由于分子内电子密度存在差异，每个原子核受到不同程度的屏蔽，因而经历不同的有效磁场。

处于电子密度较高环境中的原子核受到良好屏蔽，所受到的有效磁场 B_effective 较低。

因此，翻转其自旋所需的能量低于在缺电子环境中屏蔽较差的原子核所需的能量。

因此，屏蔽核的吸收频率低于去屏蔽核。