10.11
真空能级代表电子逸出材料表面所需的能量阈值。它通常位于半导体导带之上,作为电子能量的参考基准。
在半导体中,电子亲和能是导带底与真空能级之间的能量差。
功函数是将一个电子从费米能级激发到真空能级所需的最小能量,其数值取决于材料本身。
由于金属具有密集的费米能级态,其功函数较高,约为 2 至 5 eV。
半导体的功函数会随着费米能级的变化而改变,受掺杂和温度的影响。
金属与半导体接触时达到平衡状态,在结区形成连续的真空能级。
同时,电荷转移持续进行,直到费米能级对齐,导致半导体中的能带弯曲,并形成肖特基势垒。
结的势垒高度由金属的功函数和半导体的电子亲和能决定。