半导体基础知识

载流子产生是指电子-空穴对的生成。

带间跃迁产生在直接带隙半导体中通过热激发或光子吸收发生。在这种半导体中，价带顶和导带底具有相同的动量。

载流子的间接产生是通过吸收声子的晶格能量实现的，在间接带隙半导体中占主导地位，这类半导体的价带顶和导带底位于不同的动量处。

在俄歇产生过程中，载流子通过消耗高能粒子的能量而产生。这些高能粒子在碰撞电离过程中，可利用存在的强电场产生多个电子-空穴对。

相比之下，复合是指电子与空穴相互湮灭的过程。

在带间复合过程中，电子从导带跃迁至价带，释放出一个光子。

在间接复合过程中，位于导带与价带之间的局域化能态（称为陷阱）被用于实现能带间的跃迁，并以热的形式释放能量。

俄歇复合涉及电子与空穴的复合，将产生的能量传递给另一个载流子。