12.1
晶体管在电子电路中起着至关重要的作用,能够实现放大器、存储器和微处理器的功能。
晶体管可以采用双极型技术或利用场效应的单极型器件来设计。
一个典型的双极型晶体管包含两个 p-n 结和三个不同的掺杂区域:发射极、基极和集电极。
晶体管的类型(NPN型或PNP型)由这三个区域使用N型或P型杂质进行掺杂的方式决定。
晶体管电路符号中的箭头表示在正向偏置条件下电流的常规流动方向。
“双极型”这一术语表明,在这些晶体管中,空穴和电子均对电流的传导有贡献。
发射极是一个高掺杂区域。基极是位于中间的中等掺杂区域,其宽度相对较窄,尤其是与少数载流子扩散长度相比。集电极是一个轻掺杂区域,比发射极和基极都更宽。
双极结型晶体管具有广泛的应用。在数字电子学中,它们可用作开关;而在模拟电子学中,则用作放大器。
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