12.11
场效应晶体管是一种包含栅极、漏极和源极三个端子的三端单极型器件。
载流子通过一个通道从源极流向漏极,该通道的电导率由栅极与源极之间施加的电势差控制。
根据栅极二极管的结构,场效应晶体管可分为结型场效应晶体管、金属-半导体场效应晶体管和金属-氧化物-半导体场效应晶体管。
结型场效应晶体管(JFET)通过栅极-沟道pn结的扩展来控制沟道电导率。由于其较低的输入阻抗,JFET通常用于模拟电路中。
MESFET采用金属-半导体二极管作为整流接触,具有制备温度较低和电阻较小等优点。由于其高频响应特性,MESFET被用于微波应用中。
由于具有高输入阻抗,MOSFET 是最常见的类型,广泛应用于数字电路中。
根据沟道的半导体材料,场效应晶体管可以进一步分类。
它们被用于放大器、开关和电压调节器中。由于具有高输入阻抗、体积小、噪声低以及功耗较低等优点,场效应晶体管在这些应用中优于双极结型晶体管。
场效应晶体管(FET)是电子电路中不可或缺的一部分,其特点是具有三个端子来对其进行设置:栅极、漏极和源极。这些晶体管是单极器件,能够利用电子或空穴来将其作为电荷载流子,而双极晶体管则会同时使用这两种类型的载流子。场效应晶体管的主要功能是调节这些载体通过沟道从源极流向漏极的流动过程。栅极和源极端子之间…