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金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
12.15
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种具有三个端子的半导体器件:源极、漏极和栅极,也被称为IGFET、MISFET和MOST。
根据衬底以及源极或漏极区域的掺杂类型,它可以是n沟道或p沟道。
在n沟道MOSFET中,衬底包含两个重掺杂的n型源极和漏极区域。在表面生长一层薄薄的二氧化硅,并在其上方沉积金属以形成栅极电极。
当栅极电压为零时,除少量漏电流外,源极到漏极之间无电流通过。
当栅极施加正偏压时,来自衬底的电子会向栅极移动,形成反型层,从而允许大量电子从源极流向漏极。通过改变栅极电压,可以调节该导电沟道的电导。
传统电流从漏极流向源极,称为漏极电流。
MOSFET在智能手机、笔记本电脑和电动汽车等多种应用中起着关键作用。
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)凭借着其多功能性和高效的控制电流的能力,使其能够在现代电子器件中发挥着关键的作用。该器件也被称为绝缘栅型场效应管(IGFET)、金属绝缘体半导体场效应管(MISFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。其中有三个主要的端子:源极、漏极和栅极。…