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金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET):增强型
12.17
p沟道和n沟道MOSFET的两种工作模式为增强型和耗尽型。
增强型MOSFET在栅源电压为零时通常处于关闭状态,意味着漏极与源极之间无电流流过。
只有当在栅极施加正电压时,才会产生漏极电流。该正电压产生一个电场,吸引衬底中的电子向氧化层移动,形成反型层。该反型层在源极和漏极之间形成导电沟道,从而实现电流的流通。
增大正栅极电压会增加通过沟道的漏极电流。
增强型MOSFET由于其导通时电阻低、关断时电阻高以及输入电阻高,是优异的电子开关。
用于LED灯的调光开关采用增强型MOSFET来控制亮度。
通过旋转调光器上的旋钮来调节栅极电压。当电压为零时,灯熄灭。随着栅极电压的增加,流经LED的电流增大,使其变得更亮。
增强型MOSFET用于集成电路中,以制造CMOS型逻辑门和功率开关电路。
增强型金属氧化物半导体场效应晶体管是电子产品中的关键元件,其特点是能够充当一个高效的开关。它们属于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)大家族中的一部分。它们有两种类型:p 沟道和 n 沟道,每种类型中都具有适合特定的极性操作。
在基本形式中,增强型金属氧化物半导体场效应晶体管在栅极-源极电压…