金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）：增强型

p沟道和n沟道MOSFET的两种工作模式为增强型和耗尽型。

增强型MOSFET在栅源电压为零时通常处于关闭状态，意味着漏极与源极之间无电流流过。

只有当在栅极施加正电压时，才会产生漏极电流。该正电压产生一个电场，吸引衬底中的电子向氧化层移动，形成反型层。该反型层在源极和漏极之间形成导电沟道，从而实现电流的流通。

增大正栅极电压会增加通过沟道的漏极电流。

增强型MOSFET由于其导通时电阻低、关断时电阻高以及输入电阻高，是优异的电子开关。

用于LED灯的调光开关采用增强型MOSFET来控制亮度。

通过旋转调光器上的旋钮来调节栅极电压。当电压为零时，灯熄灭。随着栅极电压的增加，流经LED的电流增大，使其变得更亮。

增强型MOSFET用于集成电路中，以制造CMOS型逻辑门和功率开关电路。