MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：耗尽型

耗尽型MOSFET在无栅极偏压时已处于导通状态，但需要施加栅源电压才能关断。

它们的功能类似于结型场效应晶体管（JFET），其中由于沟道掺杂，漏极-源极沟道本身具有导电性。这在漏极和源极之间形成了一条低电阻通路，使得无需栅极偏压即可实现电流导通。

对于N沟道耗尽型MOSFET，其漏极特性表明，栅极电压越正，沟道越宽，从而漏极电流越大。

当栅极电压变得更负时，漏极电流减小。对于 p 沟道耗尽型 MOSFET，这一行为则相反。

栅极阈值电压是指沟道完全关闭、电流停止流动时的栅源电压。

饱和电流是指在栅源电压为零时，器件中能够流过的最大电流。

耗尽型MOSFET作为常闭开关工作，在数字逻辑电路中可用作负载电阻。

它们被广泛应用于启动辅助电源电路、电压扫描电路、电流监测电路以及固态继电器等场合。