晶体结构中的缺陷：化学计量点缺陷

化学计量点缺陷是在不改变纯净化合物整体化学式和电中性的条件下，在其晶格中形成的本征缺陷。

在离子晶体（如氯化钠）中，肖特基缺陷是由于等量且带相反电荷的离子缺失而形成的晶格空位。

例如，具有肖特基缺陷的 MX₂ 晶格包含一个空位阳离子和两个空位阴离子，以保持电中性。

肖特基缺陷的数量由离子数 N 和这些缺陷形成的热力学概率计算得出。

弗伦克尔缺陷常见于溴化银等晶体中，其中较小的阳离子会迁移至较大阴离子晶格点之间的间隙位置。

弗伦克尔缺陷的数量由 N 个离子和 N_i 个间隙位点计算得出。

由于离子数量保持不变，弗伦克尔缺陷不会改变观测到的密度，而肖特基缺陷会导致观测密度低于根据X射线衍射和晶胞数据计算出的密度。

在这两种缺陷中，空位为离子扩散提供了更开放的通道，从而提高了电导率。