10.5
El transporte de portadores en semiconductores genera corriente, a través de mecanismos de deriva y difusión.
La corriente de deriva surge cuando un campo eléctrico externo hace que las partículas cargadas se aceleren entre colisiones.
Teniendo en cuenta los electrones, la velocidad adicional añadida al movimiento térmico de los electrones se denomina velocidad de deriva. Se puede obtener igualando el impulso perdido durante las colisiones y el impulso obtenido del campo aplicado.
El factor de proporcionalidad -movilidad- caracteriza el transporte de electrones y huecos debido a la deriva.
Las densidades de corriente de deriva para ambos portadores se pueden expresar como el producto de la densidad de carga, la movilidad y la intensidad del campo eléctrico. La suma de estos dos da la densidad total de corriente de deriva. Aquí, el término entre paréntesis da conductividad.
La corriente de difusión es el resultado del movimiento térmico aleatorio de los portadores de regiones de alta a baja densidad de portadores.
La densidad de la corriente de difusión es igual al producto del flujo portador y la constante de proporcionalidad, que incluye la carga elemental y el coeficiente de difusión. Su relación con la movilidad da la relación de Einstein.
Si tanto el campo eléctrico como el gradiente de concentración están presentes, tanto la corriente de deriva como la de difusión contribuyen a la corriente total.
La generación de corriente eléctrica en semiconductores está impulsada fundamentalmente por dos mecanismos: deriva y difusión. Estos procesos son esen…
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